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一種基于L6562的高功率因數(shù)Boost電路的設(shè)計(jì)方案

作者: 時(shí)間:2016-12-08 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  引言

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201612/327658.htm

  Boost是一種升壓電路,這種電路的優(yōu)點(diǎn)是可以使輸入電流連續(xù),并且在整個(gè)輸入電壓的正弦周期都可以調(diào)制,因此可獲得很高的功率因數(shù);該電路的電感電流即為輸入電流,因而容易調(diào)節(jié);同時(shí)開(kāi)關(guān)管門極驅(qū)動(dòng)信號(hào)地與輸出共地,故驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單;此外,由于輸入電流連續(xù),開(kāi)關(guān)管的電流峰值較小,因此,對(duì)輸入電壓變化適應(yīng)性強(qiáng)。

  儲(chǔ)能電感在Boost電路起著關(guān)鍵的作用。一般而言,其感量較大,匝數(shù)較多,阻抗較大,容易引起電感飽和,發(fā)熱量增加,嚴(yán)重威脅產(chǎn)品的性能和壽命。因此,對(duì)于儲(chǔ)能電感的設(shè)計(jì),是Boost電路的重點(diǎn)和難點(diǎn)之一。本文基于ST公司的L6562設(shè)計(jì)了一種Boost電路,并詳細(xì)分析了磁性元器件的設(shè)計(jì)方法。

  Boost電路的基本原理

  Boost電路拓?fù)?/strong>如圖1所示。圖中,當(dāng)開(kāi)關(guān)管T導(dǎo)通時(shí),電流,IL流過(guò)電感線圈L,在電感線圈未飽和前,電流線性增加,電能以磁能的形式儲(chǔ)存在電感線圈中,此時(shí),電容Cout放電為負(fù)載提供能量;而當(dāng)開(kāi)關(guān)管T關(guān)斷時(shí),由于線圈中的磁能將改變線圈L兩端的電壓VL卡及性,以保持其電流IL不突變。這樣,線圈L轉(zhuǎn)化的電壓VL與電源Vin串聯(lián),并以高于輸出的電壓向電容和負(fù)載供電,如圖2所示是其電壓和電流的關(guān)系圖。圖中,Vcont為功率開(kāi)關(guān) MOSFET的控制信號(hào),VI為MOFET兩端的電壓,ID為流過(guò)二極管D的電流。以電流,IL作為區(qū)分,Boost電路的工作模式可分為連續(xù)模式、斷續(xù)模式和臨界模式三種。

  

  

  分析圖2,可得:

  

  式(2)即為Boost電路工作于連續(xù)模式和臨界模式下的基本公式。

  臨界狀態(tài)下的Boost-APFC電路設(shè)計(jì)

  基于L6562的臨界工作模式下的Boost-APFC電路的典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖3所示,圖4所示是其APFC工作原理波形圖。

  

  

  利用Boost電路實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)的原理是使輸入電流跟隨輸入電壓,并獲得期望的輸出電壓。因此,控制電路所需的參量包括即時(shí)輸入電壓、輸入電流及輸出電壓。乘法器連接輸入電流控制部分和輸出電壓控制部分,輸出正弦信號(hào)。當(dāng)輸出電壓偏離期望值,如輸出電壓跌落時(shí),電壓控制環(huán)節(jié)的輸出電壓增加,使乘法器的輸出也相應(yīng)增加,從而使輸入電流有效值也相應(yīng)增加,以提供足夠的能量。在此類控制模型中,輸入電流的有效值由輸出電壓控制環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)調(diào)制,而輸入電流控制環(huán)節(jié)使輸入電流保持正弦規(guī)律變化,從而跟蹤輸入電壓。本文在基于此類控制模型下,采用ST公司的L6562作為控制芯片,給出了Boost-APFC電路的設(shè)計(jì)方法。

  L6562的引腳功能如下:

  INV:該引腳為電壓誤差放大器的反相輸入端和輸出電壓過(guò)壓保護(hù)輸入端;

  COMP:該引腳同時(shí)為電壓誤差放大器的輸出端和芯片內(nèi)部乘法器的一個(gè)輸人端。反饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)接在該引腳與引腳INV之間;

  MULT:該引腳為芯片內(nèi)部乘法器的另一輸入端;

  CS:該腳為芯片內(nèi)部PWM比較器的反相輸入端,可通過(guò)電阻R6來(lái)檢測(cè)MOS管電流;

  ZCD:該腳為電感電流過(guò)零檢測(cè)端,可通過(guò)一限流電阻接于Boost電感的副邊繞組。R7的選取應(yīng)保證流入ZCD引腳的電流不超過(guò)3 mA;

  GND:該引腳為芯片地,芯片所有信號(hào)都以該引腳為參考,該引腳直接與主電路地相連;GD:為MOS管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出引腳。為避免MOS管驅(qū)動(dòng)信號(hào)震蕩,一般在GD引腳與MOS管的極之間連接一十幾歐姆到幾十歐姆的電阻,電阻的大小由實(shí)際電路決定;

  VCC:芯片電源引腳。該引腳同時(shí)連接于啟動(dòng)電路和電源電路。

  另外,在電路設(shè)計(jì)時(shí),穩(wěn)壓管D2應(yīng)選用15 V穩(wěn)壓管,電容C2應(yīng)選用10μF的電解電容;二極管D5應(yīng)選用快恢復(fù)二極管(如1N4148);電阻R3應(yīng)選用幾百千歐的電阻。

  圖5給出了由L6562構(gòu)成的APFC電源的實(shí)際電路圖。圖中,輸入交流電經(jīng)整流橋整流后變換為脈動(dòng)直流,作為Boost電路的輸入;電容C4用以濾除電感電流中的高頻信號(hào),降低輸入電流的諧波含量;電阻R1和R2構(gòu)成電阻分壓網(wǎng)絡(luò),用以確定輸入電壓的波形與相位,電容C10用以慮除3號(hào)引腳的高頻干擾信號(hào);Boost電感L的一個(gè)副邊繞組,一方面通過(guò)電阻R7將電感電流過(guò)零信號(hào)傳遞到芯片的5腳,另一方面作為芯片正常工作時(shí)的電源;芯片驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過(guò)電阻R8和R9連到MOS管的門極;電阻R11作為電感電流檢測(cè)電阻,用以采樣電感電流的上升沿(MOS管電流),該電阻一端接于系統(tǒng)地,另一端同時(shí)接在MOS管的源極,同時(shí)經(jīng)電阻R10接至芯片的4腳;電阻R5和R6構(gòu)成電阻分壓網(wǎng)絡(luò),同時(shí)形成輸出電壓的負(fù)反饋回路;電容C9連接于芯片1、2腳之間,以組成電壓環(huán)的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò);電阻R4,電容C6,二極管D5,穩(wěn)壓管D6和Boost電感的副邊則共同構(gòu)成芯片電源。

  

  Boost電感的設(shè)計(jì)

  本設(shè)計(jì)采用AP法則來(lái)設(shè)計(jì)Boost電感。其原理是首先根據(jù)設(shè)計(jì)要求計(jì)算所需電感:

  

  式中,Virms為輸入電壓有效值;Vo為輸出電壓,fsw(min)為MOS管的最小工作頻率,通常在20kHz以上;Pi為輸入功率。計(jì)算要求的AP值為:

  

  式中,Ku為磁芯窗口利用率,Jc為電流密度,IL(pk)為電感電流峰值。

  根據(jù)(4)式的計(jì)算結(jié)果可選擇磁芯的AP值(大于AP_req,AP=AeAw,單位為m4)。

  然后根據(jù)所選磁芯來(lái)計(jì)算原邊匝數(shù)及所需氣隙。副邊匝數(shù)一般按10:1選取。

  

  實(shí)驗(yàn)波形分析

  為了驗(yàn)證以上設(shè)計(jì)的合理性,本文設(shè)定最小輸入電壓為187 V,最大輸入電壓為264 V,輸入頻率為50 Hz,輸出電壓為400 V,PF=0.99,效率為87%,輸出功率26.5 W,最小工作頻率為65 kHz來(lái)進(jìn)行實(shí)物實(shí)驗(yàn),同時(shí)根據(jù)計(jì)算,并通過(guò)IL(pk)=465.3 mA來(lái)選取導(dǎo)線為mm,Jc=4/mm2,L=2.99 mH(L=2.7 mH時(shí),驗(yàn)證最小頻率為72 kHz>65 kHz,可滿足設(shè)計(jì)要求)。

  設(shè)Ku=0.3,δBmax=0.3T,由(4)式計(jì)算得:

  AP_req(min)=6.64×10-10m4

  這樣,可選擇磁芯EE16/6/5,其AP=7.5×10-10m4,可滿足設(shè)計(jì)要求;而由(5)式計(jì)算得Np=218.1匝,取215匝,并驗(yàn)證δBmax=0.304T,氣隙lgap=0.41 mm

  根據(jù)以上計(jì)算參數(shù)所搭建的試驗(yàn)?zāi)P蛠?lái)進(jìn)行的結(jié)果如圖6所示。

  

  由圖6可見(jiàn),輸入電流能良好的跟隨輸入電壓,且電流電壓相位差接近于零,故可實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)的控制。另外,MOSFET的電流是一種高頻三角波,其包絡(luò)為輸入電壓。由于MOSFET可實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān),能有效減小開(kāi)關(guān)損耗。根據(jù)測(cè)試結(jié)果,該電路的PF可達(dá)0.998以上,THD在5%以下。

  結(jié)束語(yǔ)

  本文基于L6562芯片設(shè)計(jì)了Boost高功率因數(shù)電路,并引用AP法則設(shè)計(jì)其關(guān)鍵元器件——Boost電感。經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證,該電路啟動(dòng)電流小,外圍元器件少,成本低廉,能同時(shí)滿足電源系統(tǒng)重量輕,穩(wěn)定性好,可靠性高等要求。實(shí)驗(yàn)證明,AP法則是一種快速準(zhǔn)確的設(shè)計(jì)方法。



關(guān)鍵詞: L6562高功率因

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