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現(xiàn)代實(shí)時(shí)示波器技術(shù)的發(fā)展--射頻信號(hào)測(cè)量連載(二)

作者: 時(shí)間:2016-12-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
要實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)的直接測(cè)量,首先得益于由于材料和芯片技術(shù)發(fā)展帶來(lái)的實(shí)時(shí)示波器性能的提升。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201612/333351.htm

傳統(tǒng)的示波器由于帶寬較低,無(wú)法直接捕獲高頻的射頻信號(hào),所以在射頻微波領(lǐng)域的應(yīng)用僅限于中頻或控制信號(hào)的測(cè)試,但隨著芯片、材料和封裝技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)代實(shí)時(shí)示波器的的帶寬、采樣率、存儲(chǔ)深度以及底噪聲、抖動(dòng)等性能指標(biāo)都有了顯著的提升。

材料技術(shù)革新對(duì)示波器帶寬的提升

以材料技術(shù)為例,磷化銦(InP)材料是這些年國(guó)際和國(guó)內(nèi)比較熱門的材料。相對(duì)于傳統(tǒng)的SiGe材料或GaAs材料來(lái)說(shuō),磷化銦(InP)材料有更好的電性能,可以提供更高的飽和電子速度,更低的表面復(fù)合速度以及更高的電絕緣強(qiáng)度。在采用新型材料的過(guò)程中,還需要解決一系列的工藝問(wèn)題。比如InP材料的高頻特性非常好,但如果采用傳統(tǒng)的鋁基底時(shí)會(huì)存在熱膨脹系數(shù)不一致以及散熱效率的問(wèn)題。氮化鋁(AIN)是一種新型的陶瓷基底材料,其熱性能和InP更接近且散熱特性更好,但是AlN材料成本高且硬度大,需要采用激光刻蝕加工。

借助于新材料和新技術(shù)的應(yīng)用,現(xiàn)代實(shí)時(shí)示波器的硬件帶寬已經(jīng)可以達(dá)到60GHz以上,同時(shí)由于磷化銦(InP)材料的優(yōu)異特性,使得示波器的頻響更加平坦、底噪聲更低,同時(shí)其較低的功率損耗給產(chǎn)品帶來(lái)更高的可靠性。

磷化銦材料除了提供優(yōu)異的高帶寬性能外,其反向擊穿電壓更高,采用磷化銦材料設(shè)計(jì)的示波器可用輸入量程可達(dá)8V,相當(dāng)于20dBm以上,大大提高了實(shí)用性和可靠性。

ADC采樣技術(shù)對(duì)示波器采樣率的提升

要保證高的實(shí)時(shí)的帶寬,根據(jù)Nyqist定律,放大器后面ADC采樣的速率至少要達(dá)到帶寬的2倍以上(工程實(shí)現(xiàn)上會(huì)保證2.5倍以上)。目前市面上根本沒(méi)有這么高采樣率的單芯片的ADC,因此高帶寬的實(shí)時(shí)示波器通常會(huì)采用ADC的拼接技術(shù)。

典型的ADC拼接有兩種方式,一種是片內(nèi)拼接,另一種是片外拼接。片內(nèi)拼接是把多個(gè)ADC的內(nèi)核集成在一個(gè)芯片內(nèi)部,典型的如下圖所示的Keysight公司S系列示波器里使用的40G/s采樣率的10bit ADC芯片,在業(yè)內(nèi)第一次實(shí)現(xiàn)8GHz帶寬范圍內(nèi)10bit的分辨率。片內(nèi)拼接的優(yōu)點(diǎn)是各路之間的一致性和時(shí)延控制可以做地非常好,但是對(duì)于集成度和工藝的挑戰(zhàn)非常大。

所謂片外拼接,就是在PCB板上做多片ADC芯片的拼接。典型的采用片外拼接的例子是Keysight公司的Z系列示波器,其采用8片20G/s采樣率的ADC拼接實(shí)現(xiàn)了160G/s的采樣率,保證了高達(dá)63GHz的硬件帶寬。

片外拼接要求各芯片間偏置和增益的一致性非常好,同時(shí)對(duì)PCB上信號(hào)和采樣時(shí)鐘的時(shí)延要精確控制。所以Z系列示波器的前端芯片里采用了先采樣保持再進(jìn)行信號(hào)分配和模數(shù)轉(zhuǎn)換的技術(shù),大大提高了對(duì)于PCB走線誤差和抖動(dòng)的裕量。




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