小電流測(cè)量 噪聲和源阻抗

DUT的源阻抗會(huì)影響SMU的反饋安培計(jì)的噪聲性能。當(dāng)源電阻減小時(shí)，安培計(jì)的噪聲增益將增大。圖20所示為反饋安培計(jì)的簡(jiǎn)化模型。

在該電路中：

RS=源電阻

CS=源電容

VS=源電壓

VNOISE=安培計(jì)的噪聲電壓

圖20.反饋安培計(jì)的簡(jiǎn)化模型

RF=反饋電阻

CF=反饋電容

電路的噪聲增益可由下式給出：

請(qǐng)注意，當(dāng)源電阻(RS)減小時(shí)，輸出噪聲增大。由于降低源電阻會(huì)對(duì)噪聲性能產(chǎn)生不利影響，所以在表1中根據(jù)電流測(cè)量量程給出了最小推薦源電阻值。

表1.最小推薦源電阻值

DUT的源電容也會(huì)影響SMU的噪聲性能。一般情況下，源電容增大時(shí)，噪聲增益也隨之增大。盡管最大

源電容值存在限值，但是通過(guò)連接一個(gè)電阻或正偏二極管與DUT串聯(lián)，通常能夠在更高的源電容值下進(jìn)行測(cè)量。二極管作為一個(gè)可變電阻，當(dāng)源電容的充電電流為高時(shí)，其阻值很小，然后隨著電流的減小而增大。