分析問(wèn)題：脈沖測(cè)試技術(shù)的原理、種類以及測(cè)試優(yōu)缺點(diǎn)指南

通過(guò)脈沖測(cè)試，工程技術(shù)人員可以獲得更多的器件信息，更準(zhǔn)確地分析和掌握器件的行為特征。例如，利用脈沖測(cè)試技術(shù)可以對(duì)納米器件進(jìn)行瞬態(tài)測(cè)試，確定其轉(zhuǎn)移函數(shù)，從而分析待測(cè)材料的特征。脈沖測(cè)試測(cè)量對(duì)于具有恒溫限制的器件也是必需的，例如SOI器件、FinFET和納米器件，可以避免自熱效應(yīng)，防止自熱效應(yīng)掩蓋研究人員所關(guān)心的響應(yīng)特征。器件工程師還可以利用脈沖測(cè)試技術(shù)分析電荷俘獲效應(yīng)。在晶體管開(kāi)啟后電荷俘獲效應(yīng)會(huì)降低漏極電流。隨著電荷逐漸被俘獲到柵介質(zhì)中，晶體管的閾值電壓由于柵電容內(nèi)建電壓的升高而增大；從而漏極電流就降低了。

脈沖測(cè)試有兩種不同的類型：加電壓脈沖和加電流脈沖。

電壓脈沖測(cè)試產(chǎn)生的脈沖寬度比電流脈沖測(cè)試窄得多。這一特性使得電壓脈沖測(cè)試更適合于熱傳輸實(shí)驗(yàn)，其中我們所關(guān)心的時(shí)間窗口只有幾百納秒。通過(guò)高精度的幅值和可編程的上升與下降時(shí)間能夠控制納米器件上的能耗大小。電壓脈沖測(cè)試可用于可靠性測(cè)試中的瞬態(tài)分析、電荷俘獲和交流應(yīng)力測(cè)試，也可用于產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)，模擬重復(fù)控制線，例如存儲(chǔ)器讀寫(xiě)周期。

電流脈沖測(cè)試與電壓脈沖測(cè)試非常相似。其中，將指定的電流脈沖加載到DUT上，然后測(cè)量器件兩端產(chǎn)生的電壓。電流脈沖測(cè)試常用于測(cè)量較低的電阻，或者獲取器件的I-V特征曲線，而不會(huì)使DUT產(chǎn)生大量的能耗，避免對(duì)納米器件的損害或破壞。

電壓和電流脈沖測(cè)試都有很多優(yōu)點(diǎn)，但是它們的缺點(diǎn)卻不盡相同。例如，超短電壓脈沖的速度特征分析屬于射頻（RF）的范疇，因此如果測(cè)試系統(tǒng)沒(méi)有針對(duì)高帶寬進(jìn)行優(yōu)化，那么測(cè)量過(guò)程中很容易產(chǎn)生誤差。其中主要有三種誤差來(lái)源：由于線纜和連接器造成的信號(hào)損耗、由于器件寄生效應(yīng)造成的損耗以及接觸電阻。

電流脈沖測(cè)試的主要問(wèn)題是上升時(shí)間較慢，可能長(zhǎng)達(dá)幾百納秒。這主要受限于實(shí)驗(yàn)配置中的電感和電容