噪聲、外加功率及測量時間的考量——低功率納米技術(shù)
圖9不同儀器典型測試條件下,測試對象需要的功率(參見尾注中“用于對比的儀器”)
可見,測試對象測試的噪聲功率(VJohnson2/R)是溫度的函數(shù),與其電阻無關(guān)。測量1%均方根噪聲的測試對象需要信號電壓比噪聲電壓高100倍,因此信號功率為噪聲功率的1002即10,000倍,如圖9中較高的虛線所示。(請參閱尾述中關(guān)于用于采集數(shù)據(jù)的儀器的描述。)
系統(tǒng)噪聲和測試對象噪聲中較大的那個噪聲用于確定需要的外加功率,這個功率在多數(shù)測量中應(yīng)盡可能的小。增加測量時間可以以時間增加的系數(shù)來降低測量所需的外加功率。舉例來說,如果時間增加4倍(比如由1/2秒增加到2秒),那么外加功率會減少為1/4。
對于電流源與納伏表的結(jié)合,圖9顯示其在測量500Ω到100MΩ范圍的電阻時系統(tǒng)噪聲都要小于室溫下的熱噪聲。物理特性是直流反轉(zhuǎn)系統(tǒng)的唯一限制,并且系統(tǒng)的整體性能使低溫下的測量獲益,使得測量可以在更低的功率下進(jìn)行。
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