新聞中心

EEPW首頁 > 測試測量 > 設計應用 > CMOS IC的IDDQ測試

CMOS IC的IDDQ測試

作者: 時間:2017-01-12 來源:網絡 收藏
測試介紹

此測試涉及在輸入端處于VDD或VSS并且輸出端未連接時,測量CMOS IC的VDD電源耗電流。圖1是一個CMOS反相器的測試設置框圖。在這個例子中,2601/2602用于源電壓(VDD)并測量產生的靜態(tài)電流。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201701/337971.htm

圖1. 測量一個CMOS反相器的靜態(tài)電流

雖然這個例子示出的IC只有一個極,但是許多IC具有數以千計的柵極。因而,通常要使用預定的一系列測試向量(即施加至輸入端的邏輯1和0的模式)減少靜態(tài)電流的測量次數,并且必須保證全部柵極都被切換或者所需IC邏輯狀態(tài)都經過測試。

在整個測試中對IC的VDD引腳施加恒定電壓使IC保持在工作狀態(tài)。一個好的CMOS器件僅在開關時從VDD電源消耗大電流;在靜態(tài)條件下的耗電流極低。與涉及的缺陷類型有關,一顆有瑕疵IC的IDDQ將會高得多。測量時,將測試向量施加至IC輸入端,然后經過規(guī)定的建立時間后,測量產生的電流。完成測量后,將測量電流與預設閾值相比較以確定器件通過還是失效。此閾值通常設定為微安或納安級而且通常由多顆完好IC的IDDQ統計分析確定。隨著器件變得越來越復雜,IDDQ測試不能總是用簡單閾值測試執(zhí)行。在某些情況下,必須對被測器件(DUT)進行IDDQ數據統計分析以便可靠地確定通過/失效狀態(tài)。2600系列源表非常適于這兩種測試方案。

測試系統配置

圖2是面向CMOS IC,基于2600系列的

IDDQ測試系統。

圖2. IDDQ測試系統配置

如圖2所示,260X的HI和LO端子連至CMOS IC的VDD和VSS端子。在整個測試過程中,260X為IC提供恒定的直流電壓。IC的輸入端連至“數字測試系統”,這確保切換了全部柵極或實現了要求的邏輯狀態(tài)。假設此測試系統還控制著機械位置、DUT探測和處置好/壞器件。

對260X的控制可以像標準可編程儀器那樣,通過IEEE-488總線(GPIB)或者RS-232發(fā)送獨立指令實現。260X上的這兩種通信接口都是標準的。但是,為實現最大吞吐量,可以將完整的測試腳本下載至儀器的測試腳本處理器,然后執(zhí)行幾乎獨立于PC主機(系統控制器)的全部測試。當260X通過GPIB連接至主控制器時,它實際上能通過其RS-232端口控制另一臺儀器。因此,在適當情況下,260X能發(fā)送ASCII命令字符串至數字控制系統并從數字控制系統接收數據。

為進一步提升速度,外部硬件觸發(fā)器用于同步IDDQ測量和測試向量的使用。260X配備的14條數字輸入/輸出線路能用于數字控制(在此例中為通過/失效狀態(tài))或用作輸入或輸出觸發(fā)線路。

當向量被發(fā)送至CMOS IC時,數字測試系統觸發(fā)260X。當IDDQ值被評估完后,260X返回一個觸發(fā)信號至數字測試系統,數字測試系統生成另一個測試向量。此過程重復進行直至產生全部測試向量或者IC未能通過測試。測試完成后,260X向其數字I/O(DIO)端口寫入預先確定的位模式用于向數字測試系統指示器件的通過/失效狀態(tài)。

當IDDQ測試的通過/失效狀態(tài)僅通過源電流與閾值電平的比較來確定時,260X至少有兩種方法完成這種測量和檢查。如果需要IDDQ的實際值,那么260X能測量電流并將測量值與閾值進行比較。如果電流超出閾值電平,那么測試失敗;否則,測試通過。260X能按要求將任意或全部測量值以及通過/失效狀態(tài)返回至PC主機。如果無需IDDQ的實際值,那么260X能配置為數字比較器以實現更高的測試吞吐量。將260X的電流箝位極限設為閾值。施加測試向量并確定260X的箝位狀態(tài)。如果耗電流試圖超出此極限,那么260X將“進入箝位”并將電流箝在此極限。當發(fā)生此情況時,IDDQ測試失敗。如果電流未超出此閾值,那么設備將不會進入箝位狀態(tài)并且測試通過。由于無需用測量確定儀器的箝位狀態(tài),所以后面的方法通常比前面的快。如前所述,復雜器件的IDDQ測試不能總用簡單閾值測試來實現。在某些情況下,必須對被測器件(DUT)進行IDDQ數據統計分析以便可靠地確定通過/失效狀態(tài)。在從260X獲取全部測試數據后,PC主機就能進行數據分析。但數據傳輸的過程相當慢,會顯著影響測試吞吐量。

如果不需要保存讀數,那么數據傳輸的代價太大了。用于設置測試腳本處理器

的測試腳本語言包括數學庫及其它功能,能在儀器中進行大量分析,從而無需傳輸全部數據。260X的深存儲器進一步提供了便利。每條SMU通道的兩個非易失緩沖器能保存多達100,000個讀數。易失存儲器能用于更多數據的存儲。



關鍵詞: CMOSICIDDQ測

評論


技術專區(qū)

關閉