芯芯向榮or芯芯向戎 中國晶圓制造業(yè)發(fā)展情況解讀

　　六、“兩頭在外”的困境如何破局

　　01專項(xiàng)總體專家組組長多個場合表示，國家為什么要頒布推進(jìn)綱要?首先是滿足國家的戰(zhàn)略需求。國家戰(zhàn)略發(fā)展中所依靠的一些核心的芯片，我們基本上都依賴國外。其次，解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展“兩頭在外”的現(xiàn)象。也就是說，我們的設(shè)計(jì)企業(yè)，加工在外;制造企業(yè)，設(shè)計(jì)在外。

　　那么問題來了?核心的芯片就是CPU、內(nèi)存芯片、高速高精度AD/DA芯片、高端FPGA芯片和IGBT等。這些不是簡單建幾個FAB就可以生產(chǎn)，這些都需要更先進(jìn)的工藝技術(shù)。

　　為了破局“兩頭在外”的困境，我們必須有更先進(jìn)的工藝來支撐。

　　目前中芯國際和華力微的28nm工藝都于2015年下半年成功試產(chǎn)，還處在小規(guī)模量產(chǎn)階段，還只是28nm Poly。而28nm HKMG僅僅只是試制成功，離量產(chǎn)應(yīng)該還有一段路要走。

　　中芯國際12寸晶圓代工工藝主要是65/55nm、45/40nm兩大工藝節(jié)點(diǎn)，合計(jì)占公司總營收43%，公司CEO邱慈云表示28nm的營收在2017年將占公司總營收的7-9%。

　　中芯國際將跳過20nm制程，直接進(jìn)入14nm FinFET工藝制程，這將對中芯國際是一個巨大的考驗(yàn)。FinFET和Bulk CMOS工藝是完全不同的，Bulk CMOS是平面工藝，F(xiàn)inFET是立體工藝。

　　華力微在攻關(guān)28nm、14nm工藝的同時，也在評估FD-SOI技術(shù)，希望憑借其低成本優(yōu)勢和FinFET技術(shù)展開競爭。

　　其時在SOI方面國內(nèi)已經(jīng)進(jìn)行了布局。材料方面，2015年上海新傲科技已開始生產(chǎn)SOI工藝的200毫米晶圓，引入的是法國Soitec公司獨(dú)有的Smart Cut技術(shù)。

　　有工藝專家表示，雖然SOI工藝錯過成為主流技術(shù)的機(jī)會，無法與FinFET爭奪主流地位，也不會取代FinFET。但可以進(jìn)行差異化競爭，不和FinFET拼性能，但可以在合適的領(lǐng)域拼性價(jià)比，比如RF、嵌入式MARM、低功耗。

　　所以華力微未來上馬FD-SOI工藝技術(shù)，不失為一條捷徑。

　　七、小結(jié)

　　1、中國是需要建FAB，但是我們的設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)要跟上，我們不能依靠美歐日的設(shè)備材料公司提供，一旦有情況發(fā)生，將出現(xiàn)巧婦難為無米之炊。讓人欣慰的是，在02重大專項(xiàng)支持下，我國的設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)取得了喜人的進(jìn)步，刻蝕機(jī)、氧化機(jī)、薄膜、光刻、離子注入等設(shè)備成功替代國外廠商同類產(chǎn)品，進(jìn)入中芯國際。同時隨著國產(chǎn)設(shè)備大量投入使用，將使得我國芯片制造的設(shè)備采購成本降低。

　　2、在12寸及尖端先進(jìn)工藝方面，國家必須砸入重金進(jìn)行持續(xù)支持，F(xiàn)inFET和SOI同時攻關(guān)，緊跟國際先進(jìn)技術(shù)，不要妄想彎道超車，彎道超車稍有不慎就會車毀人亡。我們只要跟住對手，不要再次拉大差距，迫使對手忙中出錯，直線超車又快又安全。

　　3、加大人才培養(yǎng)力度。除了在大學(xué)進(jìn)行培養(yǎng)外，還應(yīng)該在中芯國際、華力微、華虹宏力等公司加大梯隊(duì)人才培養(yǎng)，要讓中芯國際、華力微、華虹宏力成為我國晶圓制造業(yè)的黃埔軍校。只要黃埔軍校真正發(fā)揮作用，中國的晶圓制造的運(yùn)營團(tuán)隊(duì)就不再需要花費(fèi)3倍高價(jià)去臺灣、美國等地區(qū)挖人了。

　　4、中央政府對晶圓制造要有合理的布局，同時對地方政府的不規(guī)范行為應(yīng)該進(jìn)行遏制。地方政府不能給予外資晶圓制造以超國民待遇，以免與內(nèi)資企業(yè)造成不公平競爭環(huán)境。