格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計(jì)劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿(mǎn)足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。

　　這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過(guò)10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠(chǎng)的12納米 FinFET產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)。這項(xiàng)技術(shù)利用了格芯在紐約薩拉托加縣Fab 8的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，該工廠(chǎng)自2016年初以來(lái)，一直在大規(guī)模量產(chǎn)格芯的14納米 FinFET平臺(tái)。

　　“世界正在處于向智能互聯(lián)時(shí)代轉(zhuǎn)型之中，這是一個(gè)前所未有的趨勢(shì)?！备裥臼紫瘓?zhí)行官桑杰·賈(Sanjay Jha)表示，“全新的12LP技術(shù)以更高的性能和密度幫助我們的客戶(hù)在系統(tǒng)層面上繼續(xù)創(chuàng)新，包括實(shí)時(shí)連接以及從高端圖像處理、汽車(chē)電子到工業(yè)應(yīng)用等邊緣處理?！?/p>

　　“我們很高興能進(jìn)一步拓展與格芯長(zhǎng)期以來(lái)的合作關(guān)系，成為他們?nèi)?2LP技術(shù)的主要客戶(hù)，” AMD首席技術(shù)官及技術(shù)與工程高級(jí)副總裁Mark Papermaster表示，“2017年，得力于我們與格芯的深度合作，AMD使用14納米 FinFET技術(shù)將一系列領(lǐng)先的高性能產(chǎn)品推向市場(chǎng)。我們很高興能與格芯在全新12LP工藝技術(shù)上進(jìn)行合作，這也是我們加速產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的一部分?！?/p>

　　除了晶體管級(jí)的增強(qiáng)，12LP平臺(tái)還將包括專(zhuān)為業(yè)內(nèi)增長(zhǎng)最快的兩個(gè)領(lǐng)域——汽車(chē)電子和射頻/模擬應(yīng)用而設(shè)計(jì)的面向市場(chǎng)的全新功能。

　　· 汽車(chē)安全和自動(dòng)駕駛方面的新興汽車(chē)應(yīng)用對(duì)于處理功耗和極致可靠性都有極高要求。12LP平臺(tái)兼具這兩種功能，并計(jì)劃于2017年第四季度在Fab 8進(jìn)行汽車(chē)二級(jí)資格認(rèn)證。

　　· 新射頻特性拓展了12LP平臺(tái)在6GHz以下無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)中的高級(jí)收發(fā)器等射頻/模擬應(yīng)用。/ 12LP為以數(shù)字邏輯為主，射頻/模擬內(nèi)容較少的射頻芯片架構(gòu)提供最佳邏輯和內(nèi)存微縮。

　　格芯的全新12納米 FinFET技術(shù)是現(xiàn)有12納米FD-SOI產(chǎn)品12FDXTM的補(bǔ)充。雖然有些應(yīng)用要求FinFET晶體管的卓越性能，但許多連接設(shè)備需要高度的集成，以及更靈活的性能和功耗，而這是FinFET無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。12FDX為下一代智能互聯(lián)系統(tǒng)提供了一種替代路徑，實(shí)現(xiàn)了10納米 FinFET的性能，且比當(dāng)前代FinFET產(chǎn)品功耗更低，成本更低，射頻集成更優(yōu)。