聯(lián)電：暫不參與先進(jìn)制程競賽 專注提升28和14納米競爭力

　　晶圓代工二哥聯(lián)電暫不參與先進(jìn)制程競賽，專注提升28納米和14納米制程的競爭力。共同總經(jīng)理簡山杰指出，將以追求特定領(lǐng)域的市占率進(jìn)入前兩名為目標(biāo)，預(yù)估28納米對營收貢獻(xiàn)可于三至四季內(nèi)回到兩成水準(zhǔn)。

　　聯(lián)電為晶圓雙雄之一，面臨國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的激烈競爭和臺積電的領(lǐng)先優(yōu)勢，仍積極布局短、中、長期發(fā)展策略。簡山杰指出，公司策略目標(biāo)為創(chuàng)造獲利和擴(kuò)大市占率，決定暫時不再追求先進(jìn)制程，避免折舊攤提持續(xù)處于高峰而影響獲利目標(biāo)。

　　簡山杰認(rèn)為，無論是5G或物聯(lián)網(wǎng)等，對于芯片需求仍相當(dāng)巨大，會根據(jù)需求強(qiáng)化需要的技術(shù)。目前聯(lián)電仍是市場上少數(shù)可以提供28納米HKMG gate-last制程的晶圓代工廠之一，并擁有臺南及廈門兩個策略性的生產(chǎn)據(jù)點，可以服務(wù)全球客戶。

　　在短期發(fā)展策略上，簡山杰表示，聯(lián)電將會專注強(qiáng)化晶圓專工的核心制造能力及提升營運(yùn)效率，擴(kuò)展在8寸和12寸的制程趨勢，以加強(qiáng)在晶圓專業(yè)代工市場的競爭力，以因應(yīng)市場趨勢并切入新的應(yīng)用領(lǐng)域。

　　聯(lián)電因此鎖定特定領(lǐng)域為發(fā)展重點，包括智能手機(jī)的相關(guān)應(yīng)用、應(yīng)用處理器(AP)和基帶芯片(BB)、射頻收發(fā)器(RF Transceiver)、OLED面板驅(qū)動芯片、觸控和驅(qū)動整合芯片(IDC)、MEMS等。

　　簡山杰指出，聯(lián)電中期策略將以擴(kuò)大市占率為重點，去年廈門量產(chǎn)的12寸晶圓廠為第二個12納米基地，除了能服務(wù)中國客戶群，也能提供中國半導(dǎo)體市場全方位的技術(shù)資源與晶圓制造服務(wù)，并協(xié)助全球客戶分散地區(qū)性風(fēng)險，確保競爭優(yōu)勢。

　　長期策略方面，聯(lián)電仍將持續(xù)致力于新技術(shù)的開發(fā)及應(yīng)用，以因應(yīng)市場趨勢，并拓展現(xiàn)有產(chǎn)品以外的市占率，包含物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)應(yīng)用、車用和家電等應(yīng)用市場。

　　針對暫緩參與10納米以下先進(jìn)制程競賽，簡山杰強(qiáng)調(diào)，現(xiàn)階段采取務(wù)實策略，雖會開發(fā)新技術(shù)，但對新技術(shù)重新定義，不再是14納米、10納米、7納米一路追。

　　簡山杰指出，聯(lián)電會選擇自己的戰(zhàn)場，要在特定技術(shù)做到最領(lǐng)先、最極致，做出競爭力，目標(biāo)是是要在特定應(yīng)用領(lǐng)域市占率拿到前兩名的位置。

　　聯(lián)電在大陸的布局甚早，一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先者，28納米和14納米均已量產(chǎn)出貨。簡山杰認(rèn)為，聯(lián)電的14 納米技術(shù)在電性速度與耗電量的表現(xiàn)都符合產(chǎn)業(yè)水準(zhǔn)，良率已達(dá)到客戶要求，第2季起挹注營收，達(dá)到新的里程碑。簡山杰指出，下半年14納米將持續(xù)出貨，后續(xù)投資和業(yè)務(wù)開發(fā)會以創(chuàng)造獲利為導(dǎo)向。

　　至于28納米方面，聯(lián)電自2014年上半年進(jìn)入量產(chǎn)后，至2016年下半年的營收占比即達(dá)到20%，但今年第3季因客戶調(diào)整而下滑。簡山杰表示，未來將配合市場趨勢及客戶需求，持續(xù)開發(fā)更先進(jìn)的制程技術(shù)，預(yù)計28納米對營收的貢獻(xiàn)將于未來三至四季內(nèi)會回到20%。另外，為了降低成本、提升毛利率表現(xiàn)，聯(lián)電也將努力提升工廠的營運(yùn)效率，透過導(dǎo)入工業(yè)4.0來提升產(chǎn)值、增加彈性，支援新產(chǎn)品的開發(fā)。