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差分對:你需要了解的與過孔有關(guān)的四件事

作者: 時間:2017-10-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  在一個高速印刷電路板 () 中,通孔在降低信號完整性性能方面一直飽受詬病。然而,的使用是不可避免的。在標(biāo)準的電路板上,元器件被放置在頂層,而差分對的走線在內(nèi)層。內(nèi)層的電磁輻射和對與對之間的串?dāng)_較低。必須使用將電路板平面上的組件與內(nèi)層相連。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201710/366834.htm

  幸運的是,可設(shè)計出一種透明的來最大限度地減少對性能的影響。在這篇博客中,我將討論以下內(nèi)容:

  過孔的基本元件

  過孔的電氣屬性

  一個構(gòu)建透明過孔的方法

  差分過孔結(jié)構(gòu)的測試結(jié)果

  1. 過孔結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)知識

  讓我們從檢查簡單過孔中將頂部傳輸線與內(nèi)層相連的元件開始。圖1是顯示過孔結(jié)構(gòu)的3D圖。有四個基本元件:信號過孔、過孔殘樁、過孔焊盤和隔離盤。

  過孔是鍍在電路板頂層與底層之間的通孔外的金屬圓柱體。信號過孔連接不同層上的傳輸線。過孔殘樁是過孔上未使用的部分。過孔焊盤是圓環(huán)狀墊片,它們將過孔連接至頂部或內(nèi)部傳輸線。隔離盤是每個電源或接地層內(nèi)的環(huán)形空隙,以防止到電源和接地層的短路。

  

  圖1:單個過孔的3D圖

  2. 過孔元件的電氣屬性

  如表格1所示,我們來仔細看一看每個過孔元件的電氣屬性。

  

  表1:圖1中顯示的過孔元件的電氣屬性

  一個簡單過孔是一系列的π型網(wǎng)絡(luò),它由兩個相鄰層內(nèi)構(gòu)成的電容-電感-電容 (C-L-C) 元件組成。表格2顯示的是過孔尺寸的影響。

  

  表2:過孔尺寸的直觀影響

  通過平衡電感與寄生電容的大小,可以設(shè)計出與傳輸線具有相同特性阻抗的過孔,從而變得不會對電路板運行產(chǎn)生特別的影響。還沒有簡單的公式可以在過孔尺寸與C和L元件之間進行轉(zhuǎn)換。3D電磁 (EM) 場解算程序可以根據(jù)布局布線中使用的尺寸來預(yù)測結(jié)構(gòu)阻抗。通過重復(fù)調(diào)整結(jié)構(gòu)尺寸和運行3D仿真,可優(yōu)化過孔尺寸,來實現(xiàn)所需阻抗和帶寬要求。

  3. 設(shè)計一個透明的差分過孔

  我們曾在之前的帖子中討論過,在實現(xiàn)差分對時,線路A與線路B之間必須高度對稱。這些對在同一層內(nèi)走線,如果需要一個過孔,必須在兩條線路的臨近位置上打孔。由于差分對的兩個過孔距離很近,兩個過孔共用的一個橢圓形隔離盤能夠減少寄生電容,而不是使用兩個單獨的隔離盤。接地過孔也被放置在每個過孔的旁邊,這樣的話,它們就能夠為A和B過孔提供接地返回路徑。

  圖2顯示的是一個地-信號-信號-地 (GSSG) 差分過孔結(jié)構(gòu)示例。兩個相鄰過孔間的距離被稱為過孔間距。過孔間距越小,互耦合電容越多。

  

  圖2:使用背面鉆孔的GSSG差分過孔

  不要忘記,在傳輸速率超過10Gbps時,過孔殘樁會嚴重影響高速信號完整性。幸運的是,有一種背面鉆孔制造工藝,此工藝可以在未使用的過孔圓柱上鉆孔。根據(jù)制造工藝公差的不同,背面鉆孔去除了未使用的過孔金屬,并最大限度地將過孔殘樁減少到10mil以下。

  3D EM仿真器用來根據(jù)所需的阻抗和帶寬來設(shè)計差分過孔。這是一個反復(fù)的過程。此過程重復(fù)地調(diào)整過孔尺寸,并運行EM仿真,直到實現(xiàn)所需的阻抗和帶寬。

  4. 如何驗證性能

  圖2中顯示的差分過孔設(shè)計已構(gòu)建完畢并經(jīng)測試。測試樣片包括頂層的一對差分線,之后是到內(nèi)部差分線的差分過孔,然后第二對差分過孔再次連接至頂層的球狀引腳柵格陣列封裝 (BGA) 接地焊盤。信號路徑的總長度大約為1330mil。我用差分時域反射儀 (TDR) 測得其差分阻抗,用網(wǎng)絡(luò)分析儀測得了帶寬,并用高速示波器測量了數(shù)據(jù)眼圖來了解其對信號的影響。圖3,4,5分別顯示了阻抗、帶寬和眼圖。左圖是使用背面鉆孔時的測試結(jié)果,而右圖是無背面鉆孔的測試結(jié)果。在圖5中的帶寬波特圖中,我們可以很清楚地看到背面鉆孔對于在數(shù)據(jù)速率大于10Gbps 的情況下實現(xiàn)高性能是必不可少的。

  使用背面鉆孔,ZDIFF大約為85? 無背面鉆孔,ZDIFF大約為58?

  

  圖3:TDR阻抗波特圖

  12.5GHz時的插入損耗大約為3dB 12.5GHz時的插入損耗大于8dB

  

  圖4:頻率響應(yīng)

  使用背面鉆孔時,數(shù)據(jù)眼是打開的 無背面鉆孔時,數(shù)據(jù)眼是關(guān)閉的

  

  圖5:25Gbps時的數(shù)據(jù)眼圖

  TI擁有豐富的高速信號調(diào)理集成電路 (IC)產(chǎn)品庫,諸如retimer和redriver。它們有助于減輕和緩解所有類型差分對的缺陷和高插入損耗,從而實現(xiàn)先進系統(tǒng)中的可靠數(shù)據(jù)通信并擴展傳輸距離。

  請在下方留言—我很想聽一聽你對這篇帖子的反饋,或者是你希望從以后的“差分對”帖子中了解哪些內(nèi)容。

  其他資源

  查看TI低壓差分信號(LVDS),多點LVDS (MLVDS),信號調(diào)理retimer和redriver產(chǎn)品庫概述。

  從LVDS用戶手冊中了解與差分信令有關(guān)的更多內(nèi)容。

  仔細閱讀TI兩端口40千兆以太網(wǎng) (40GbE)/10GbE四通道小外形尺寸可插拔 (QSFP+) 信號調(diào)節(jié)器參考設(shè)計。

  從DS80PCI810線性redriver參考設(shè)計中了解TI的外設(shè)組件高速互連 (PCIe) Gen-3板卡。

  閱讀與WEBENCH® 接口設(shè)計人員工具相關(guān)的更多內(nèi)容。這一工具可以幫助設(shè)計人員使用TI信號調(diào)理IC來解決差分對損壞問題。



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