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FSMC知識詳解,以及驅(qū)動TFTLCD原理

作者: 時間:2018-01-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  一,簡介

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201801/374605.htm

  :靈活的靜態(tài)存儲控制器

  能夠與同步或異步存儲器和16位PC存儲器卡連接

  STM32的接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲器

  STM32 407和103是不支持SD RAM的,429,439支持SD RAM操作

  二,FSMC驅(qū)動LCD原理

    

  FSMC驅(qū)動外部SRAM(LCD被當(dāng)做SRAM)

  SRAM控制包含:

  地址線(如A0~A25)

  數(shù)據(jù)線(如D0~D15)

  寫信號(WE,即WR)

  讀信號(OE,即RD)

  片選信號(CS)

  若SRAM支持字節(jié)控制,還有UB/LB信號。

  上一節(jié)提到的信號,RS、D0~D15、WR、RD、CS、RST和BL等

  其中真正操作LCD時用到的就只有:

  數(shù)據(jù)&命令:RS

  數(shù)據(jù)線:D0~D15

  寫信號:WR

  讀信號:RD

  片選信號:CS

  操作時序和SRAM控制類似,唯一不同是有RS信號,但是沒有地址信號

  通過RS信號來決定傳送是數(shù)據(jù)還是命令,可以理解為一個地址信號

  將RS接到FSMC地址線A10(A0-A25隨意),TFTLCD就被當(dāng)做一個SRAM使用

  這樣TFTLCD成為只有一個地址的SRAM設(shè)備,從而實(shí)現(xiàn)FSMC驅(qū)動TFTLCD

  三,FSMC存儲塊

  STM32的FSMC支持8/16/32位數(shù)據(jù)寬度,我們使用的LCD為16位,所以設(shè)置選擇16位

  FSMC的外部設(shè)備地址映像:STM32的FSMC將外部存儲器劃分為固定大小為256M字節(jié)的四個存儲塊

    

  如圖:

  FSMC分為4塊,每塊256M字節(jié)又被劃分為4*64,即四個片選

  NOR / PSRAM使用塊1,共256M

  NAND閃存使用塊2,3,共512M

  PC卡使用塊4,共256M

  所以我們使用NOR PSRAM驅(qū)動TFTLCD

  四,存儲塊1(Bank1)寄存器介紹

  STM32的FSMC存儲塊1(Bank1)用于驅(qū)動NOR FLASH/SRAM/PSRAM

  Bank1被分為4個區(qū),每個區(qū)管理64M字節(jié)空間,每個區(qū)都有獨(dú)立的寄存器對所連接的存儲器進(jìn)行配置。

  Bank1的256M字節(jié)空間由28根地址線(HADDR[27:0])尋址。 這里HADDR,是內(nèi)部AHB地址總線

  HADDR[25:0]來自外部存儲器地址FSMC_A[25:0],而HADDR[26:27]對4個區(qū)進(jìn)行尋址。

  如下圖所示:

  說明:

  HADDR[27:26]是不可手動配置的,當(dāng)選擇所在區(qū)后會自動賦值

  注意:

  1,當(dāng)Bank1接 8位寬度存儲器時:HADDR[25:0] -> FSMC_A[25:0]

  2,當(dāng)Bank1接16位寬度存儲器時:HADDR[25:1] -> FSMC_A[24:0]

  由于內(nèi)部每個地址對應(yīng)一個字節(jié),外部設(shè)備16位寬,FSMC的一個地址對應(yīng)兩個字節(jié)

  即:

  0000對應(yīng)FSMC_A[0]=0 (2字節(jié))

  0010對應(yīng)FSMC_A[0]=1 (2字節(jié))

  0100對應(yīng)FSMC_A[1]=1 (2字節(jié))

  所以對應(yīng)關(guān)系需要除以2,內(nèi)部右移一位對齊

  此時最低位沒用,訪問最低位需要使用UB/LB

  不論外部接8位/16位寬設(shè)備,F(xiàn)SMC_A[0]永遠(yuǎn)接在外部設(shè)備地址A[0]

  五,存儲塊1(Bank1)模式A讀寫時序

  STM32的FSMC存儲塊1支持的異步突發(fā)訪問模式

  包括模式1,模式A~D等多種時序模型,驅(qū)動SRAM一般使用模式1或模式A

  我們使用模式A驅(qū)動LCD(當(dāng)做SRAM使用),模式A支持讀寫時序分開設(shè)置

  上一篇說的LCD時序,我們知道,LCD的讀寫耗時是不同的.寫快讀慢

  這里采用模式A,針對不同的速度,做不同的設(shè)置

  模式A讀時序:

  模式A寫時序:

  ILI9341時序-讀寫高低電平最小持續(xù)時間:

  根據(jù)ILI9341時序讀寫高低電平最小持續(xù)時間來配置模式A的讀寫時序

  六,FSMC相關(guān)寄存器介紹

  對于NOR FLASH/PSRAM控制器-存儲塊1,可通過FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器設(shè)置(其中x=1~4,對應(yīng)4個區(qū))。

  通過這3個寄存器,可以設(shè)置FSMC訪問外部存儲器的時序參數(shù),拓寬了可選用的外部存儲器的速度范圍。

  1,SRAM/NOR閃存片選控制寄存器(FSMC_BCRx)

  FSMC_BCRx

  EXTMOD:

  擴(kuò)展模式使能位,控制是否允許讀寫不同的時序,需設(shè)置為1

  WREN:

  寫使能位。我們要向TFTLCD寫數(shù)據(jù),需設(shè)置為1

  MWID[1:0]:

  存儲器數(shù)據(jù)總線寬度。00,表示8位數(shù)據(jù)模式;01表示16位數(shù)據(jù)模式;10和11保留。

  我們的TFTLCD是16位數(shù)據(jù)線,需設(shè)置WMID[1:0]=01。

  MTYP[1:0]:

  存儲器類型。00表示SRAM、ROM;01表示PSRAM;10表示NOR FLASH;11保留。

  我們把LCD當(dāng)成SRAM用,需設(shè)置MTYP[1:0]=00。

  MBKEN:

  存儲塊使能位。需設(shè)置為1

  2,SRAM/NOR閃存片選時序寄存器(FSMC_BTRx)-讀時序控制

  FSMC_BTRx

  ACCMOD[1:0]:

  訪問模式。00:模式A;01:模式B;10:模式C;11:模式D。

  我們使用模式A,需設(shè)置為00

  DATAST[7:0]:

  數(shù)據(jù)保持時間,等于: DATAST(+1)個HCLK時鐘周期,DATAST最大為255。

  對于ILI9341相當(dāng)于RD低電平持續(xù)時間,最大355ns

  對于STM32F1,一個HCLK=13.8ns (1/72M),設(shè)置為15,相當(dāng)于16個HCLK=220.8,加上STM32F1的FSMC性能較低一些,配置為15即可

  對于STM32F4,一個HCLK=6ns(1/168M) ,設(shè)置為60(360)。

  ADDSET[3:0]:

  地址建立時間。表示:ADDSET+1個HCLK周期,ADDSET最大為15。

  對ILI9341來說,這里相當(dāng)于RD高電平持續(xù)時間,為90ns。

  STM32F1的FSMC性能較低,即便設(shè)置為0,RD也有190ns高電平,所以設(shè)置為1

  STM32F1設(shè)置為15

  注意:

  如果未設(shè)置EXTMOD位,則讀寫共用FSMC_BTRx時序寄存器

  3,SRAM/NOR閃存寫時序寄存器(FSMC_BWTRx)-寫時序控制

  FSMC_BWTRx

  ACCMOD[1:0]:

  訪問模式。00:模式A;01:模式B;10:模式C;11:模式D。

  DATAST[7:0]:

  數(shù)據(jù)保持時間,等于: DATAST(+1)個HCLK時鐘周期,DATAST最大為255。

  對ILI9341來說,其實(shí)就是WR低電平持續(xù)時間,為15ns,不過ILI9320等則需要50ns。

  考慮兼容性,對STM32F1一個HCLK=13.8ns (1/72M),設(shè)置為3(4*13.8=55.2);

  對STM32F4,一個HCLK=6ns(1/168M) ,設(shè)置為9(9*6=54)。

  ADDSET[3:0]:

  地址建立時間。表示:ADDSET+1個HCLK周期,ADDSET最大值為1111 = 15。

  對ILI9341來說,這里相當(dāng)于WR高電平持續(xù)時間,為15ns。

  考慮兼容ILI9320,STM32F1即便設(shè)置為1,WR也有100ns高電平,所以設(shè)置為1。

  而對STM32F4,則設(shè)置為8(9*6=54)

  七,寄存器組合說明

  ST官方庫寄存器定義中并沒有FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等單獨(dú)寄存器

  而是將他們進(jìn)行了一些組合。規(guī)律如下:

  FSMC_BCRx和FSMC_BTRx,組合成BTCR[8]寄存器組,他們的對應(yīng)關(guān)系如下:

  BTCR[0]對應(yīng)FSMC_BCR1,BTCR[1]對應(yīng)FSMC_BTR1

  BTCR[2]對應(yīng)FSMC_BCR2,BTCR[3]對應(yīng)FSMC_BTR2

  BTCR[4]對應(yīng)FSMC_BCR3,BTCR[5]對應(yīng)FSMC_BTR3

  BTCR[6]對應(yīng)FSMC_BCR4,BTCR[7]對應(yīng)FSMC_BTR4

  FSMC_BWTRx則組合成BWTR[7],他們的對應(yīng)關(guān)系如下:

  BWTR[0]對應(yīng)FSMC_BWTR1,

  BWTR[2]對應(yīng)FSMC_BWTR2,

  BWTR[4]對應(yīng)FSMC_BWTR3,

  BWTR[6]對應(yīng)FSMC_BWTR4,

  BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留



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