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應(yīng)用角:云電源

作者:安森美 時(shí)間:2018-07-12 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  是描述用于傳輸、存儲(chǔ)和處理云數(shù)據(jù)的設(shè)備的電源的通用術(shù)語。在電信或傳輸應(yīng)用中,將為基帶單元和遠(yuǎn)程無線電單元供電。用于存儲(chǔ)和處理的服務(wù)器機(jī)群還需要大型不間斷電源,以確保在暫時(shí)斷電時(shí)用戶仍可訪問云。每臺(tái)服務(wù)器還將需要一個(gè)電源單元(PSU),以及眾多的DC-DC轉(zhuǎn)換器來提供負(fù)載點(diǎn)電源。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201807/383191.htm

  由于物聯(lián)網(wǎng)顯著增加了捕獲某種數(shù)據(jù)的端點(diǎn)數(shù)(2017年付運(yùn)約20億臺(tái)設(shè)備,比2015年增長54%),因此需要大量的存儲(chǔ)器來處理和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。為此,正在構(gòu)建大型服務(wù)器機(jī)群,這些機(jī)群將消耗大量電力。電源轉(zhuǎn)換將產(chǎn)生熱量,終將會(huì)有損耗。這種發(fā)熱如此之大,以至于導(dǎo)致冷卻成本是運(yùn)行服務(wù)器機(jī)群的主要成本之一。這導(dǎo)致PSU制造商不斷尋求構(gòu)建更高能效的PSU。此外,為了以更佳的能效降低冷卻成本,需要減小PSU的尺寸,從而使更多的服務(wù)器可以安裝在相同的空間中。

  傳輸這些數(shù)據(jù)的方式有很多種,但2019年部署的是下一代無線互聯(lián)5G。一旦5G技術(shù)得以充分利用,它將能夠提供比當(dāng)前4G LTE網(wǎng)絡(luò)快10倍的速度。這種速度的提高需要更高的功率,這將使每個(gè)5G無線電中的功率MOSFET數(shù)增加約5倍。

  為此,安森美半導(dǎo)體提供高性能分立方案,以成功地實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)的高能效目標(biāo)。相較上一代超級(jí)結(jié)器件,新的高能效的分立650 V SuperFETIII MOSFET系列使云電源能夠達(dá)到這更高的能效。SuperFETIII技術(shù)提供三種不同的版本:易驅(qū)動(dòng)版本(Easy Drive)、快恢復(fù)版本(FRFET)和快速版本(FAST)。應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將決定應(yīng)該使用哪個(gè)版本來獲得最佳的能效。

  針對(duì)次級(jí)端,安森美半導(dǎo)體提供全系列中、低壓MOSFET,這些MOSFET已針對(duì)云電源進(jìn)行了優(yōu)化。T6技術(shù)為30V、40V和60V提供業(yè)界最低的RDSon。新的T8技術(shù)為25V、40V、60V和80V提供與T6相同的超低RDSon,同時(shí)進(jìn)一步改善了開關(guān)參數(shù)。對(duì)于80 V、100 V和120 V,采用PTNG技術(shù),提供出色的RDSon和體二極管性能。隨著制造商挑戰(zhàn)更高能效和強(qiáng)固性,他們開發(fā)出像安森美半導(dǎo)體的650及1200 V碳化硅()二極管這樣的器件,用于功率因數(shù)校正(PFC)級(jí)。

  隨著基于云的物聯(lián)網(wǎng)的急劇增加,云由最高能效的電源供電很重要。安森美半導(dǎo)體正盡己所能,提供25V至650 V的領(lǐng)先行業(yè)的MOSFET,并開發(fā)下一代半導(dǎo)體。



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