功率半導體器件的直接均流技術

4)選定70%ITM(即交點附近)為中心點，以其1.5 和0.5 倍的電流及對應電壓做直線近似得到大電流區(qū)對應的門檻電壓和斜率電阻;再選定以35%ITM 為中心點，以其1.5 和0.5 倍的電流及對應電壓做直線近似得小電流區(qū)對應的門檻電壓和斜率電阻。得到的特性曲線如圖3所示。

6)離交點過遠做器件并聯(lián)是不妥當?shù)模瑸榇瞬⒙?lián)器件不宜太多，一般以8 個以內(nèi)的并聯(lián)為好，否則并聯(lián)數(shù)越多，余量必然越大，越偏離交點。

7)不再保留強迫均流方法一和方法二。

8)酌情保留強迫均流方法三。

9)保留母線、器件、柜體配置及對磁場影響的解決方案。比較好的解決方案是將一組并聯(lián)器件按串接方法用同一組緊固件，類似串聯(lián)連接方法緊固，相間器件通過引出線并聯(lián)在一起，這樣就很好地解決了磁場影響問題。

3 器件測試數(shù)據(jù)匹配和應用

運用上述直接均流技術，在上海電氣電站設備有限公司上海發(fā)動機廠進行現(xiàn)場測試，數(shù)據(jù)記錄如表1 所列(器件為直徑38 mm 的整流二極管，采用雙并后再十并的方式，表中參數(shù)意義參見《變頻技術應用》2009 年第2 期的“多個器件并聯(lián)中的均流匹配問題”)。

測試結果表明：在沒有任何保護的情況下，實現(xiàn)理想的直接并聯(lián)連接，均流系數(shù)在97%耀98%。

4 結語

器件制造技術和裝置應用技術緊密結合是提升器件技術水平的捷徑。做裝置的要研究器件的內(nèi)里技術，做器件的更要研究應用中的技術問題。

直接并聯(lián)技術的成功應用就是器件制造技術和裝置應用技術的創(chuàng)新結合。不同品種功率器件的并聯(lián)會有些細微差別，但雙極型功率半導體器件直接并聯(lián)技術自有的內(nèi)在規(guī)律和特點越來越被認知和接受，其應用的意義和帶來的效益逐步展示出來，對它的全面推廣已勢在必行。

注：上海電氣電站設備有限公司上海發(fā)動機廠副總工程師王庭山先生等一起進行了現(xiàn)場試驗，特致謝意。