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格芯終止7nm FinFET工藝研發(fā),接下來要發(fā)大招?

作者: 時間:2018-08-29 來源:與非網(wǎng) 收藏
編者按:和其他晶圓廠一樣,格芯正在迎來各種各樣的挑戰(zhàn)。

  (GLOBALFOUNDRIES)公司宣布,將擱置7納米 項目,并調(diào)整相應研發(fā)團隊來支持強化的產(chǎn)品組合方案。在裁減相關人員的同時,一大部分頂尖技術人員將被部署到14/12納米衍生產(chǎn)品和其他差異化產(chǎn)品的工作上。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201808/391307.htm

  方面表示,他們正在重新部署具備領先優(yōu)勢的發(fā)展路線圖,以服務未來幾年采用該技術的下一波客戶。公司將相應優(yōu)化開發(fā)資源,讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用,提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。

  與此同時,方面宣布,為了更好地施展格芯在ASIC設計和IP方面的強大背景和重大投資,公司正在建立獨立于晶圓代工業(yè)務外的ASIC業(yè)務全資子公司。相關的ASIC業(yè)務需要持續(xù)使用最先進的技術。該獨立ASIC實體將為客戶提供7納米及以下的晶圓代工替代選項,讓ASIC業(yè)務部與更廣泛的客戶展開合作,特別是日益增多的系統(tǒng)公司,他們需要ASIC服務同時生產(chǎn)規(guī)模需求無法僅由格芯提供。

  這是湯姆·嘉菲爾德(Tom Caulfield)在今年年初接任首席執(zhí)行官后做出的一個重大決定。

  “客戶對半導體的需求從未如此高漲,并要求我們在實現(xiàn)未來技術創(chuàng)新方面發(fā)揮越來越大的作用”。嘉菲爾德表示,“今天,絕大多數(shù)無晶圓廠客戶都希望從每一代技術中獲得更多價值,以充分利用設計每個技術節(jié)點所需的大量投資。從本質(zhì)上講,這些節(jié)點正在向為多個應用領域提供服務的設計平臺過渡,從而為每個節(jié)點提供更長的使用壽命。這一行業(yè)動態(tài)導致設計范圍到達摩爾定律外部界限的無晶圓廠客戶越來越少。我們正重組我們的資源來轉(zhuǎn)變業(yè)務重心,加倍投資整個產(chǎn)品組合中的差異化技術,有針對性的服務不斷增長的細分市場中的客戶?!?/p>

  格芯正在加強投資具有明顯差異化、為客戶增加真正價值的領域,著重投資能在其產(chǎn)品組合中提供豐富功能的產(chǎn)品。這包括繼續(xù)側(cè)重于FDX?平臺、領先的射頻產(chǎn)品(包括RF SOI和高性能鍺硅)和模擬/混合信號,以及滿足越來越多低功耗、實時連接、車載設計需求的其他技術。隨著自動駕駛、物聯(lián)網(wǎng)和全球過渡至5G等新領域的強勁需求,格芯被賦予與眾不同的定位——服務“智能互聯(lián)”這一新興市場。

  “減輕前沿技術領域的投資負擔將使格芯能夠?qū)ξ锫?lián)網(wǎng)、IoT、5G行業(yè)和汽車等快速增長市場中對大多數(shù)芯片設計人員真正重要的技術進行更有針對性的投資,” Gartner研發(fā)副總裁Samuel Wang,先生表示,“雖然最先進技術往往會占據(jù)大多數(shù)的熱搜頭條位置,但鮮少有客戶能夠承擔為實現(xiàn)7納米及更高精度所需的成本和代價。14納米及以上技術將在未來許多年繼續(xù)成為芯片代工業(yè)務的重要需求及驅(qū)動因素。這些領域?qū)⒂袠O大的創(chuàng)新空間,可以助力下一輪科技發(fā)展狂潮?!?/p>

  晶圓代工老二的求變

  格芯前身是AMD的晶圓制造部門,在2009年的時候,因為公司業(yè)務調(diào)整,AMD將其獨立出來,成立了獨立的晶圓代工廠格芯。現(xiàn)在的格芯被由阿布扎比比穆巴達拉投資公司(Mubadala Investment Company)所有。


格芯終止7nm FinFET工藝研發(fā),接下來要發(fā)大招?

  根據(jù)國際知名分析機構ICcinsights的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2017年,格芯的營收約為60.6億美元,成為僅次于臺積電的全球第二大純晶圓代工廠。拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新的數(shù)據(jù)也顯示,在今年上半年,格芯的營收約為26.05億美元,依然位居全球第二的位置。正如前面所說,這是格芯堅持兩步走的戰(zhàn)略所達成的。


格芯終止7nm FinFET工藝研發(fā),接下來要發(fā)大招?

  但和其他晶圓廠一樣,格芯正在迎來各種各樣的挑戰(zhàn)。

  過去幾十年,在摩爾定律的指導下,全球晶圓廠都在按照18個月的周期去推動工藝的進步,但隨著工藝的微縮,進入最近幾年,硅片的局限突顯,制約了了平面晶體管的進一步微縮。與此同時,UC伯克利胡正明明教授提出了FinFET晶體管的概念,并最初由英特爾在22nm工藝上首先實現(xiàn),繼續(xù)延續(xù)摩爾定律,推動芯片的持續(xù)微縮。與此同時,三星,臺積電和格芯等領先的純晶圓代工廠也在同步推進FinFET工藝的研發(fā),并將制程工藝推進到了。與此同時,業(yè)界也在探索FD-SOI的解決方案。



關鍵詞: 格芯 7nm FinFET

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