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格芯擴(kuò)展FinFET產(chǎn)品新特性為全面實(shí)現(xiàn)未來(lái)智能系統(tǒng)

作者: 時(shí)間:2018-09-28 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導(dǎo)體代工廠,為世界上最富有靈感的科技公司提供獨(dú)一無(wú)二的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造服務(wù)。2018年9月25日, 在其年度全球技術(shù)大會(huì)(GTC)上,繼在300mm平臺(tái)上面向下一代移動(dòng)應(yīng)用推出8SW RF SOI客戶(hù)端芯片后,宣布計(jì)劃在其14/12nm 產(chǎn)品中引入全套新技術(shù),這是公司加強(qiáng)差異化投資的全新側(cè)重點(diǎn)之一,功能豐富的半導(dǎo)體平臺(tái)為下一代計(jì)算應(yīng)用提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的性能和可擴(kuò)展性。新工藝技術(shù)旨在為快速增長(zhǎng)市場(chǎng)(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛汽車(chē))應(yīng)用提供更好的可擴(kuò)展性和性能。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201809/392484.htm

  在當(dāng)今數(shù)據(jù)密集的世界,對(duì)高性能芯片的需求永無(wú)止境,以處理和分析互連設(shè)備產(chǎn)生的信息流。格芯的產(chǎn)品是為最嚴(yán)苛的計(jì)算應(yīng)用提供高性能、高功效的片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計(jì)的理想平臺(tái)。

  通過(guò)提供針對(duì)超高性能和增強(qiáng)型射頻連接進(jìn)行了優(yōu)化的晶體管改進(jìn)以及采用針對(duì)新興企業(yè)和云安全需求的新型高速、高密度存儲(chǔ)器,新平臺(tái)將改善功耗、性能和可擴(kuò)展性等性能。

  格芯業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁Bami Bastani博士表示:“我們致力于增強(qiáng)發(fā)展差異化產(chǎn)品,幫助客戶(hù)從每一代技術(shù)投資中獲得更多價(jià)值。通過(guò)在產(chǎn)品中引入這些新特性,我們將提供強(qiáng)大的技術(shù)改進(jìn),使客戶(hù)能夠?yàn)橄乱淮悄芟到y(tǒng)擴(kuò)展性能并創(chuàng)造創(chuàng)新產(chǎn)品。”

  格芯的14/12nm FinFET平臺(tái)提供先進(jìn)的性能和低功耗,具有顯著的成本優(yōu)勢(shì)。平臺(tái)添加了豐富的增強(qiáng)功能包括:

  · 超高密度:通過(guò)持續(xù)改進(jìn)12LP設(shè)計(jì)庫(kù)(7.5T),并結(jié)合SRAM和先進(jìn)的模擬技術(shù),在更小的芯片區(qū)域內(nèi)提供更高的晶體管密度,以支持客戶(hù)的內(nèi)核計(jì)算、連接和存儲(chǔ)應(yīng)用,以及移動(dòng)和消費(fèi)電子終端。

  · 性能提升:通過(guò)將SRAM Vmin降低100mV、待機(jī)漏電流降低約50%以提高性能,從而為現(xiàn)有應(yīng)用和新興應(yīng)用(如機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能)提升性能。

  · 射頻/模擬:提供全套無(wú)源器件、超厚金屬和LDMOS選項(xiàng),可面向含有較高數(shù)字內(nèi)容的6GHz以下的RF SoC實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的射頻性能(Ft/Fmax可達(dá)340GHz)。

  · 嵌入式存儲(chǔ)器:為新興企業(yè)、云和通信應(yīng)用提供超高安全性以及一次性可編程(OTP)和多次可編程(MTP)的嵌入式非易失性(eNVM)內(nèi)存。使用物理上無(wú)法檢測(cè)的電荷捕獲技術(shù)(CTT)實(shí)現(xiàn)安全解決方案,包括“物理上不可克隆的器件”功能和高效的非易失性存儲(chǔ)器,以實(shí)現(xiàn)更高的SoC集成度。格芯的CTT解決方案無(wú)需額外的處理或屏蔽步驟,與基于介電熔絲技術(shù)的類(lèi)似OTP解決方案相比,可提供雙倍密度。

  與28nm技術(shù)相比,格芯的14LPP技術(shù)可將器件性能提高55%,總功耗降低60%;而與當(dāng)今市場(chǎng)上的16/14nm FinFET解決方案相比,格芯的12LP技術(shù)可將電路密度提高15%,性能提升10%以上。格芯前沿的FinFET平臺(tái)自2016年初起已投入大規(guī)模生產(chǎn),并符合汽車(chē)2級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。

  正如格芯領(lǐng)導(dǎo)所說(shuō),格芯一直致力于增強(qiáng)發(fā)展差異化產(chǎn)品,幫助客戶(hù)從每一代技術(shù)投資中獲得更多價(jià)值?,F(xiàn)在為實(shí)現(xiàn)未來(lái)智能系統(tǒng)擴(kuò)展FinFET產(chǎn)品新特性,通過(guò)在FinFET產(chǎn)品中引入這些新特性,格芯將提供強(qiáng)大的技術(shù)改進(jìn),使客戶(hù)能夠?yàn)橄乱淮悄芟到y(tǒng)擴(kuò)展性能并創(chuàng)造創(chuàng)新產(chǎn)品。相信這不是終點(diǎn),期待隨著技術(shù)的不斷成熟格芯能給我們帶來(lái)更多的驚喜。



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