臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實驗室

中國新能源汽車電驅(qū)動領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡稱“臻驅(qū)科技”）與全球知名半導體廠商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿(mào)易區(qū)試驗區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。

與IGBT^*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導損耗、開關(guān)損耗^*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著降低損耗的半導體，在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等方面的應(yīng)用日益廣泛。

自2017年合作以來，臻驅(qū)科技和羅姆就采用SiC功率元器件的車載應(yīng)用開發(fā)，展開了深入的技術(shù)交流。此次聯(lián)合實驗室的成立，旨在利用羅姆的SiC MOSFET^*3裸芯片和隔離型柵極驅(qū)動器，進行車載功率模塊和逆變器的開發(fā)。今后，雙方將進一步加速開發(fā)以SiC為中心的創(chuàng)新型電源解決方案。

臻驅(qū)科技董事長兼總經(jīng)理 沈捷博士 表示，“碳化硅功率半導體模塊在新能源汽車上的應(yīng)用是接下來幾年行業(yè)的大勢所趨，加緊匯集全球資源、加快產(chǎn)業(yè)化研發(fā)、加速成熟碳化硅產(chǎn)品商業(yè)化落地將有效保證零部件廠商核心競爭力。臻驅(qū)科技自成立以來便得到羅姆的大力支持，臻驅(qū)愿借此次聯(lián)合實驗室東風，深化雙方合作關(guān)系，協(xié)同共進。”

羅姆執(zhí)行董事 功率元器件事業(yè)本部長 伊野和英博士 表示，“羅姆作為碳化硅元器件的領(lǐng)先廠商，提供領(lǐng)先業(yè)界的元器件技術(shù)和驅(qū)動IC等產(chǎn)品相結(jié)合的電源解決方案，且擁有傲人業(yè)績，并針對xEV推動SiC的普及。在SiC功率元器件的技術(shù)開發(fā)方面，把握客戶需求和市場動向是非常重要的要素。臻驅(qū)科技作為車載功率模塊和逆變器廠商，在SiC應(yīng)用研究方面發(fā)揮著重要的作用。羅姆希望通過成立聯(lián)合實驗室，加強雙方的合作關(guān)系，憑借以SiC為核心的電源解決方案為汽車技術(shù)革新做出貢獻?！?/p>

臻驅(qū)科技董事長兼總經(jīng)理 沈捷博士（右）與羅姆半導體（上海）有限公司董事兼總經(jīng)理 久保田進矢（左）在揭牌儀式上握手

＜術(shù)語解說＞

*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）

同時具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性的功率晶體管。

*2） 傳導損耗、開關(guān)損耗

因元器件結(jié)構(gòu)的緣故，MOSFET和IGBT等晶體管在使用時會產(chǎn)生損耗。傳導損耗是電流流過元器件時（ON狀態(tài)時），受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時（開關(guān)動作時）產(chǎn)生的損耗。

*3) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的縮寫）

金屬－氧化物－半導體場效應(yīng)晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。用作開關(guān)元件。