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華邦推出 QspiNAND Flash 新功能提升 Qualcomm 9205 平臺應用競爭力

作者: 時間:2020-06-23 來源:電子產品世界 收藏

全球半導體儲存解決方案領導廠商華邦電子,近日宣布推出擁有新功能的 QspiNAND Flash,是專為 Qualcomm? 9205 LTE 調制解調器而設計的。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202006/414616.htm

華邦推出業(yè)界首創(chuàng)的 1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash,為新型行動網絡 NB-IoT 模塊的設計人員提供正確的儲存容量。

 “到了2020年,物聯(lián)網的規(guī)模將成長到500億個連網裝置,未來幾年 Quad SPI-NAND 的采用率可能會增加4到5倍,” WebFeet Research 總裁 Alan Niebel 說道,“華邦的 1.8V QspiNAND Flash 相當適合汽車及 IoT 產業(yè)使用。NB-IoT 已經蓄勢待發(fā),在全新的連網世界中茁壯成長,2023年之前出貨量可望達到全球 6.85億個裝置”。

華邦電子美國分公司閃存事業(yè)群營銷部總監(jiān) Syed S. Hussain 表示:“華邦一直致力于創(chuàng)新及產品差異化,我們很自豪Qualcomm 9205 LTE主控芯片采用了華邦設計的QspiNAND Flash KGD 解決方案。我們會持續(xù)與 Qualcomm密切合作開發(fā)內存組件,打造適合 IoT 應用的次世代 LTE 調制解調器解決方案”。

華邦立足于傳統(tǒng) QSPI-NOR Flash,并進軍 QSPI-NAND Flash 領域,客戶可根據自身需求,自由選擇編碼儲存組件,以最低成本擴充規(guī)模。使用相同的 6 針腳信號及 QSPI 指令集提供 SLC NAND Flash 的大容量存儲,并采用 104MHz 讀取速度的全新Continuous Read 功能,效能毫不減損。

Qualcomm Europe Inc. 產品管理副總裁 Vieri Vanghi 表示:“Qualcomm已對華邦的 QspiNAND Flash 進行各種測試及驗證,目前以堆棧 KGD 解決方案形式運用于 Qualcomm 9205 LTE 調制解調器,讓 OEM 客戶能打造出外型極為精巧的系統(tǒng)。我們很榮幸能與華邦維持長久的合作關系,期望雙方能繼續(xù)共同提供頂尖的 IoT 技術解決方案”。

W25N QspiNAND Flash 系列裝置采用節(jié)省空間的 8 針腳封裝,以往的 SLC NAND Flash 無法做到這一點。W25N512GW 為 512Mb 內存,數組分為 32,768 個可編程頁面,每頁面為 2,112 字節(jié)。W25N512GW 提供全新的 Continuous Read 模式,可利用單一讀取指令高效存取整個內存數組,是編碼映像 (code shadowing) 應用的理想選擇。

104MHz 的頻率速度,可在使用快速讀取 Dual/Quad I/O 指令時,達到相當于 416MHz (104MHz x 4) 速度的 Quad I/O 效能。芯片內建不良區(qū)塊管理功能,讓 NAND Flash 更容易管理。

為滿足全球對大容量解決方案持續(xù)成長的需求,華邦 QspiNAND Flash 在臺灣臺中的 12 寸晶圓廠進行制造。華邦正在擴展產能,以確保支持汽車與 IoT 產業(yè)因全新業(yè)務帶來的增長。

 “SpiFlash 系列在加入 QspiNAND Flash 產品線后,有利于現(xiàn)有的 QSPI-NOR Flash 及 Parallel NAND Flash 轉換為 QspiNAND Flash,”華邦閃存技術總監(jiān) J.W. Park 說道,“華邦與客戶工程團隊合作開發(fā)的這款全新 512Mb QspiNAND Flash,在符合成本效益的設計原則下,可以提供同樣優(yōu)異的效能”。

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1.8V QspiNAND Flash 特色如下:

低功率且涵蓋不同使用場景的工作溫度

– 1.75V ~ 1.95V 供電

– 工作電流 25mA、待機電流 10μA、深度省電 (Deep Power Down) 電流1μA

– -40°C 至 +85°C 工作溫度 (工規(guī)級)

– -40°C 至 +105°C 工作溫度 (工規(guī)進階級與車規(guī)級)

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獨特的內存架構

– 啟用 ECC 時的頁面讀取時間:60μs

– 頁面寫入時間:250μs (標準值)

– 區(qū)塊抹除時間:2ms (標準值)

– 快速編程/抹除的效能

– 支持 OTP 內存區(qū)域

高效能高可靠性的 QspiNAND Flash

– QSPI 實作采用 46nm 制程技術

– 數據保存 10 年以上

– 支持最高每秒 52MB 的數據傳輸率

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 節(jié)省空間的封裝

– WSON8 6x8mm

– WSON8 5x6mm

– TFBGA24 6x8mm

– KGD (良裸晶粒)

W25N512GW 目前已上市。



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