宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的200 V 氮化鎵產(chǎn)品系列（eGaNFET）的性能提升了一倍

新一代200 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）是48 V_OUT同步整流、D類音頻放大器、太陽能微型逆變器和功率優(yōu)化器，以及多電平、高壓AC / DC轉(zhuǎn)換器的理想功率器件。

新一代200 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、太陽能微型逆變器和功率優(yōu)化器，以及多電平、高壓AC / DC轉(zhuǎn)換器的理想功率器件。

增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）最新推出的兩款200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），性能更高而同時(shí)成本更低，目前已有供貨。采用這些領(lǐng)先氮化鎵器件的應(yīng)用十分廣闊，包括D類音頻放大器、同步整流器、太陽能最大功率點(diǎn)跟蹤器（MPPT）、DC/DC轉(zhuǎn)換器（硬開關(guān)和諧振式），以及多電平高壓轉(zhuǎn)換器。

EPC2215（8 mΩ、162 Apulsed）和EPC2207（22 mΩ、54 Apulsed）的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%，而性能卻倍增。 與基準(zhǔn)硅器件相比，這兩款氮化鎵器件的性能更高。 EPC2215的導(dǎo)通阻抗降低了33％，但尺寸卻縮小了15倍。 其柵極電荷（QG）較基準(zhǔn)硅MOSFET器件小十倍，并且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復(fù)電荷（QRR），從而使得D類音頻放大器可以實(shí)現(xiàn)更低的失真，以及實(shí)現(xiàn)更高效的同步整流器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

EPC首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow表示：“最新一代的eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內(nèi)，實(shí)現(xiàn)更高的性能，而且其成本與傳統(tǒng)MOSFET器件相若。氮化鎵器件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET器件的趨勢日益明顯。”

EPC公司與得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校的半導(dǎo)體功率電子中心（SPEC）合作開發(fā)了的400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四電平飛跨電容（FCML）圖騰柱無橋整流器，適用于數(shù)據(jù)中心，它使用了最新的200 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2215）。 得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校的Alex Huang教授說：“ 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）的優(yōu)越特性使得轉(zhuǎn)換器能夠?qū)崿F(xiàn)高功率密度、超高效率和低諧波失真?！?/p>

Performance comparison of benchmark silicon 200 V FET vs. 200 V eGaN FETs

產(chǎn)品價(jià)格和供貨

下表列出了產(chǎn)品及相關(guān)開發(fā)板和參考設(shè)計(jì)板的價(jià)格。