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臺(tái)積電:5nm EUV工藝已在量產(chǎn)、明年推出增強(qiáng)版

作者: 時(shí)間:2020-08-25 來源:快科技 收藏

24日,舉辦了第26屆技術(shù)研討會(huì),并披露了旗下最新工藝制程情況。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202008/417500.htm

按照的說法,工藝規(guī)劃了兩代,分別是N5和N5P。

其中N5確定引入(極紫外光刻)技術(shù),并且已經(jīng)在大規(guī)模量產(chǎn)之中。相較于N7,N5的功耗降低了30%、性能提升了15%,邏輯器件密度是之前的1.8倍。

臺(tái)積電:5nm EUV工藝已在量產(chǎn)、明年推出增強(qiáng)版

N5P作為改良版,仍在開發(fā)中,規(guī)劃2021年量產(chǎn),相較于第一代,功耗進(jìn)一步降低10%、性能提升5%,據(jù)稱面向高性能計(jì)算平臺(tái)做了優(yōu)化。

據(jù)手頭資料,有望應(yīng)用在蘋果A14芯片(包括Apple Silicon PC處理器)、華為麒麟9000處理器、高通“驍龍875”、聯(lián)發(fā)科“天璣2000”、AMD第四代EPYC霄龍?zhí)幚砥魃系取?/p>

在7nm這一代上,臺(tái)積電實(shí)際上是三代,分別是N7、N7e和N7P,年底前要來的AMD Zen3家族是N7e。

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