臺積電2nm工藝2023年風險試產(chǎn)良率或達90%

據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風險試產(chǎn)良率就可以達到90%。

供應鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場效應晶體管（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構。

據(jù)悉，臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團隊，尋找可行路徑進行開發(fā)。

考量成本、設備相容、技術成熟及效能表現(xiàn)等多項條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎的MBCFET架構，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。

極紫外光（EUV）微顯影技術的提升，使臺積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術更為成熟，良率提升進度較預期順利。

臺積電此前透露2nm研發(fā)生產(chǎn)將在新竹寶山，規(guī)劃P1到P4四個超大型晶圓廠，占地90多公頃。