臺積電2024年將量產(chǎn)突破性的2nm工藝晶體管

9 月 25 日消息 據(jù) wccftech 報道，臺灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）在 2nm 半導(dǎo)體制造節(jié)點的研發(fā)方面取得了重要突破：臺積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝的試生產(chǎn)階段，并于一年后開始批量生產(chǎn)。

目前，臺積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝，該工藝將用于為 iPhone 12 等設(shè)備構(gòu)建處理器。

臺積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設(shè)計。該設(shè)計被稱為多橋溝道場效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對先前 FinFET 設(shè)計的補充。

臺積電第一次作出將 MBCFET 設(shè)計用于其晶體管而不是交由晶圓代工廠的決定。三星于去年 4 月宣布了其 3nm 制造工藝的設(shè)計，該公司的 MBCFET 設(shè)計是對 2017 年與 IBM 共同開發(fā)和推出的 GAAFET 晶體管的改進(jìn)。三星的 MBCFET 與 GAAFET 相比，前者使用納米線。這增加了可用于傳導(dǎo)的表面積，更重要的是，它允許設(shè)計人員在不增加橫向表面積的情況下向晶體管添加更多的柵極。

IT之家了解到，臺積電預(yù)計其 2 納米工藝芯片的良率在 2023 年將達(dá)到驚人的 90%。若事實如此，那么該晶圓廠將能夠很好地完善其制造工藝，并輕松地于 2024 年實現(xiàn)量產(chǎn)。三星在發(fā)布 MBCFET 時表示，預(yù)計 3nm 晶體管的功耗將分別比 7nm 設(shè)計降低 30% 和 45% 并將性能提高 30%。