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臺積電陳平:超微縮和3D集成共同推動工藝前進

作者: 時間:2020-12-17 來源:EEPW 收藏

的未來還看不到盡頭,這是中國副總裁陳平博士最近在演講中傳遞的觀點。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202012/421324.htm

到底有沒有到盡頭,這是一個業(yè)界爭議了二十多年的話題,如果但從半導體工藝制程的進展上看,依舊繼續(xù)前行。作為目前半導體制造領(lǐng)域的領(lǐng)導者,來自的陳平博士就摩爾定律的發(fā)展進行了分析,本文觀點性內(nèi)容節(jié)選自陳平博士在ICCAD活動的現(xiàn)場報告。

計算是整個電子產(chǎn)業(yè)的核心驅(qū)動力,兩年前在珠海的設(shè)計年會上,當年的預測移動計算跟普及計算的兩個交差點會發(fā)生在2020年,從今年的產(chǎn)品來看,這一點真實發(fā)生了。所謂普及計算的時代,意味著計算平臺會從移動的智能手機,演變成多個平臺,包括移動平臺、高速計算平臺,IoT平臺和智能車載平臺。在新的時期里的核心技術(shù)是5G和AI,5G是代表了連接技術(shù),AI是數(shù)據(jù)的處理技術(shù)。5G跟AI非常依賴工藝技術(shù)之上,所以它對性能、功耗和集成度的要求都非常高。

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在工藝上滿足要求無非是兩個路徑,第一個路徑是繼續(xù)延伸所謂的摩爾定律,就是微縮技術(shù),所以在單片上面按照原來摩爾定律的方向繼續(xù)延伸。另外一個路徑是實現(xiàn),目前在兩個方面都取得了很好的成果,目前世界上最大的GPU SoC,已經(jīng)有了500億晶體管,而用現(xiàn)在做到了最大的芯片是有2000億。

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5G和AI共同的要求是兩個,一個是高能效,不管你是移動終端還是云計算,都需要很高的能效。第二個是集成度,要把更多的晶體管放在系統(tǒng)芯片里面去。滿足這兩個要求,先進工藝是不二選擇,必須有先進工藝來支撐這件事。我們看一下工藝,我們的工藝能不能支持這樣的應(yīng)用要求呢,這個曲線是我們熟悉的,所謂摩爾定律的一個曲線。5納米今年臺積電進入了大量的量產(chǎn),已經(jīng)有三個機種的量產(chǎn)。5納米比7納米還是更順利。5納米做的很多的器件,比如說蘋果12,很多朋友都在享用。3納米的研發(fā)進展現(xiàn)在也很順利,所以臺積電應(yīng)該是按照我們的計劃在進行,明年可以做完認證,后年會有大量的量產(chǎn)。5納米已經(jīng)被證明是成功的,再往前走,我們的工藝到底能夠走多遠呢,我跟大家做一些簡單的分析。

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我們知道做晶體管的微縮有幾個大的技術(shù),第一個就是光刻技術(shù),基于可見光的光刻技術(shù),很多年一直用各種各樣的彌補方法,終于在兩年前我們的EUV技術(shù)成熟,進行量產(chǎn)。它的光波長是13.5納米。我們的日子就比以前好過了很多,所以7nm和5nm這兩代已經(jīng)非常成功的引進,量產(chǎn)環(huán)節(jié)上已經(jīng)做得非常好了。

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再往前這個研發(fā)還在繼續(xù)的進行,所以EUV還會得到不斷的擴展,下一個節(jié)點叫high NA EUV。為了晶體管微縮,不光要保證光刻的技術(shù),你還要保證器件結(jié)構(gòu)和器件材料,因為當你器件變得很小的時候,你的器件結(jié)構(gòu)就不能支持你的電性要求。從10納米開始轉(zhuǎn)換,已經(jīng)用了好幾代,一直從3納米的結(jié)構(gòu)都是可以支持的。3納米以后需要做器件結(jié)構(gòu)的一些改變,現(xiàn)在這方面也有很好的候選者,這些都是后面的,所以在器件結(jié)構(gòu)上,后面也是有準備的。

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還有一個材料,這張圖可以顯示,如果用純粹的微材料的話,到3納米以后,你的速度會快速的降低。好在我們?nèi)祟惖膭?chuàng)新從來沒有停止,前幾年又有科技人員,又創(chuàng)造出了新的2D的材料,這些材料就是圖中所標識,他又可以拉回到水平去。所以摩爾定律,什么時候終結(jié)沒有答案,因為就我個人來說,我第一次參加這個討論是30年前,最近的20年每年都有人在非常確定的說,但是我們永遠不能低估人類的創(chuàng)造力和創(chuàng)新,當我們遇到一個困難的時候,總有優(yōu)秀的科學家兩找到新的答案。

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剛才講的是我們的單片上集成的晶體管,與此同時大家都已經(jīng)注意到所謂3DIC,就是異構(gòu)或者同構(gòu)的集成,最近已經(jīng)成為了我們行業(yè)的主流。從需求上來講有兩個很大的推手要我們做這件事。第一件事,我們在談SoC的時候,知道各種工藝技術(shù)它的路徑是不一樣的。我們的存儲器就比它要慢得多。在5納米以后明顯放慢,還有一些特殊工藝,像射頻工藝,他們那些本來就很慢,如果你把所有的東西都集成在同一個芯片上,第一不是永遠可能,第二也不經(jīng)濟,所以現(xiàn)在更好的方式,異構(gòu)的集成來做,這是一個必須要做的事,也是摩爾定律延伸的另一個手段。

第二是同構(gòu)的,我們需要把很多的晶體管放在電路上去,但是受光刻的限制,830平方毫米左右,這個是受限的。你如果做七八百個平方,你的成本,封裝,各種問題就會出現(xiàn),所以我們會把一個大的分成幾個小的,然后做到一起。

臺積電在這方面過去十來年,一直致力于研究,因為我們早就預見這種需求,一直在做研究,我們現(xiàn)在已經(jīng)推出了,最后稱之為3D這一個平臺,在3D平臺里面大概分兩大類的工藝,這個平臺類涵蓋的工藝細節(jié)非常多。

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總體來說分兩個部分,第一個部分叫做前段3D,這個是他對工藝的要求是最高的。第二種所謂的先進封裝的方式,這種有代表性的,我們臺積電已經(jīng)做了七八年的,CoWos技術(shù)和info技術(shù),和傳統(tǒng)的是相輔相成的,鼓勵大家對這個方面多關(guān)注。

除了我剛才講的3D,在晶體管的技術(shù)微縮以外,也除了我剛才已經(jīng)提到的以外,還有一個重要的趨勢,就是設(shè)計和工藝的緊密結(jié)合,這個詞不是一個很虛幻的詞,現(xiàn)在所有的工藝開發(fā)和設(shè)計的一個非常重要的元素。在系統(tǒng)架構(gòu)上,設(shè)計的時候跟硬件之間的結(jié)合也必須納入一個考慮,所以軟件和硬件的協(xié)同設(shè)計,協(xié)同優(yōu)化是一個系統(tǒng)設(shè)計的必須。

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所以總結(jié)剛才的分析,以集成電路純技術(shù)的發(fā)展方向來看,我們的看法是晶體管的技術(shù)微縮,3D的集成,軟硬件的協(xié)同優(yōu)化,這三個是我們的三大元素,缺一不可,指導我們今后很多年的發(fā)展。



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