半導(dǎo)體利好：后摩爾時代的集成電路潛在顛覆性技術(shù)

上周末，科技體制改革和創(chuàng)新體系建設(shè)小組會議在北京召開，探討了很多有關(guān)于十四五規(guī)劃的工作安排，這次會議中最引人矚目的關(guān)注焦點是提到了后摩爾時代集成電路顛覆性技術(shù)。

會議還專題討論了面向后摩爾時代的集成電路潛在顛覆性技術(shù)。（這是最關(guān)鍵的一句話）

后摩爾定律時代 換道超車曙光出現(xiàn)

“摩爾定律”是集成電路行業(yè)所遵循的規(guī)律，是指價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，每隔18~24個月便會增加一倍，器件性能亦提升一倍。在摩爾定律時代下，先行者與后發(fā)者猶如在一條直道上賽跑。后發(fā)者雖然在直道上小步快跑，但是領(lǐng)先者憑借多年先發(fā)優(yōu)勢早已一騎絕塵，后發(fā)者難以追趕。

眾所周知，目前芯片禁運的大背景下，我們國家的科技發(fā)展受到了很大的制約，半導(dǎo)體卡脖子的問題一直沒得到解決，也是擺在我們面前的頭等大事。產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)在摩爾定律還在發(fā)揮作用的時期，一直遭遇著不斷落后挨打的窘境。

但是隨著摩爾定律（ Moore's Law）先進(jìn)工藝驅(qū)動芯片持續(xù)微縮的同時也導(dǎo)致了所需成本指數(shù)級增長、開發(fā)周期拉長，良率下降 ，盈利風(fēng)險明顯升高。隨著 28nm推進(jìn)到20nm節(jié)點，單個晶體管的成本不降反升，性能提升也逐漸趨緩，這標(biāo)志著后摩爾時代來臨。

如天風(fēng)證券研報所指出的，在后摩爾時代，摩爾定律形成的多年先發(fā)優(yōu)勢或不再受用，后發(fā)者如果能夠提前識別并做出前瞻性布局，完全存在換道超車的可能性。

3條技術(shù)路線將成發(fā)展重點

天風(fēng)證券研報指出，超越摩爾定律相關(guān)技術(shù)發(fā)展的重點，存在3條技術(shù)路線：

一是發(fā)展不依賴于特征尺寸不斷微縮的特色工藝，以此擴(kuò)展集成電路芯片功能；同花順ifind數(shù)據(jù)庫吸納是，特色工藝制造相關(guān)概念股包含，聞泰科技、華虹半導(dǎo)體、中芯國際、華潤微、中車時代半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微

二是將不同功能的芯片和元器件組裝在一起封裝，實現(xiàn)異構(gòu)集成。其創(chuàng)新點在于推出各種先進(jìn)封裝技術(shù)，具有降低芯片設(shè)計難度、制造便捷快速和降低成本等優(yōu)勢。天風(fēng)證券指出，國內(nèi)已在先進(jìn)封裝領(lǐng)域有長足發(fā)展，核心技術(shù)與國際領(lǐng)先企業(yè)并跑，同時對未來有長期戰(zhàn)略布局的龍頭封裝企業(yè)包括，長電科技、通富微電、ASMPacific。

三是在材料環(huán)節(jié)創(chuàng)新，發(fā)展第三代半導(dǎo)體。目前，第三代半導(dǎo)體材料中比較成熟的有碳化硅、氮化鎵等。第三代半導(dǎo)體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，可以實現(xiàn)更好電子濃度和運動控制，特別是在苛刻條件下備受青睞，在5G、新能源汽車、消費電子、新一代顯示、航空航天等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。