從Xtacking? 1.0到2.0 致態(tài)TiPro7000性能的秘密
近段時(shí)間以來(lái),致態(tài)TiPro7000的問(wèn)世,再次引發(fā)了全行業(yè)關(guān)注,作為一家2016年堪堪成立,不到6年,卻實(shí)現(xiàn)了從SATA到PCIe3.0,再到如今消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)巔峰PCIe4.0 SSD,全領(lǐng)域的產(chǎn)品布局,長(zhǎng)江存儲(chǔ)·致態(tài)背后的Xtacking?為何如此神奇?Xtacking?技術(shù)究竟又有多少魔力?
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202201/430846.htm根據(jù)官方解釋?zhuān)?a class="contentlabel" href="http://butianyuan.cn/news/listbylabel/label/Xtacking">Xtacking? 是長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心專(zhuān)利和技術(shù)品牌,代表著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新進(jìn)取和卓越貢獻(xiàn),同時(shí)它也是長(zhǎng)江存儲(chǔ)面向企業(yè)客戶(hù)、消費(fèi)者推廣3D NAND產(chǎn)品的關(guān)鍵所在,也是體現(xiàn)長(zhǎng)江存儲(chǔ)原創(chuàng)設(shè)計(jì)的代表品牌。
致態(tài)TiPro7000
這個(gè)解釋實(shí)質(zhì)上有兩重意思,一方面著重強(qiáng)調(diào)了Xtacking?是一項(xiàng)核心的閃存制造技術(shù),是長(zhǎng)江存儲(chǔ)近年來(lái)發(fā)展壯大的關(guān)鍵專(zhuān)利,另一方面則是揭示了Xtacking?已然成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)重要的品牌資產(chǎn)和代名詞,有著非同凡響的象征意義。
今天,我們拋開(kāi)品牌意義不聊,重點(diǎn)聊聊Xtacking?作為閃存制造技術(shù),是如何推動(dòng)致態(tài)TiPro7000的性能炸裂。
01 主流NAND閃存制造邏輯
在理解Xtacking?技術(shù)之前,我們需要先聊聊全球其他閃存廠是如何制造閃存的。
我們都知道現(xiàn)階段全球NAND閃存玩家,主要有三星、鎧俠/西數(shù)、Intel/Micron以及SK海力士等幾家,其中鎧俠和西數(shù),intel和Micron,基于資本和市場(chǎng)共享機(jī)制,在這里可視為一家。
通過(guò)上圖全球主流NAND閃存橫截面可以看到,制造技術(shù)上,三星和鎧俠/西數(shù)大體上保持一致,都是常規(guī)的并列式架構(gòu),這樣的好處在于加工難度較低,但對(duì)于晶圓蝕刻設(shè)備與技術(shù)要求太高,尤其是三星采用的一次性加工、內(nèi)存孔(Memory Hole)的HARC蝕刻技術(shù),更是對(duì)于設(shè)備和操作經(jīng)驗(yàn)要求極高;鎧俠/西數(shù)采用的則是相對(duì)輕松的兩個(gè)48層堆疊而成,在技術(shù)難度上更具操作性,但也存在著內(nèi)存孔的貼合匹配等問(wèn)題。
Intel/Micron以及SK海力士,則采用了另一條制造路徑,即CUA,CMOS under Array,顧名思義就是將能夠控制數(shù)據(jù)讀取、寫(xiě)入的CMOS線(xiàn)路放置在Array以下的一種加工方式,這樣的架構(gòu)同樣存在制造工藝難度較高,優(yōu)勢(shì)則在于能夠擴(kuò)大單個(gè)芯片的存儲(chǔ)密度。
至于YMTC即長(zhǎng)江存儲(chǔ)則是采用了Xtacking?架構(gòu),該架構(gòu)原理是將CMOS線(xiàn)路用一種不同于存儲(chǔ)單元(Memory Cell)的晶圓制造而成,分別通過(guò)Bonding工藝進(jìn)行貼合,更加樸素的解釋便是等同于,在指甲蓋大小的面積上通過(guò)數(shù)十億根金屬通道,將CMOS和Array進(jìn)行連接,合二為一。
02 Xtacking?的先進(jìn)性
看到這里,大家應(yīng)該能夠腦補(bǔ)Xtacking?架構(gòu)和傳統(tǒng)上下并列,CUA等閃存結(jié)構(gòu)的不同之處,那么耦合而成的Xtacking?又有哪些特點(diǎn)呢?
從理論設(shè)計(jì)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,主要有更快的傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度以及更靈活的開(kāi)發(fā)周期。
先說(shuō)速度,Xtacking?的制造原理是在兩片獨(dú)立的晶圓上,分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元,這樣的話(huà),可以在邏輯工藝上有著更多的自主選擇性,從而讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能,這也是致態(tài)TiPro7000能夠取得超過(guò)7400MB/s的核心要義,從閃存制造的源頭上,進(jìn)行了性能優(yōu)化,更多更高的I/O接口通道,為后續(xù)主控的性能調(diào)配奠定基礎(chǔ)。
再說(shuō)密度,3D NAND顆粒最重要的發(fā)展方向便是密度的優(yōu)化,在傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中,外圍電路約占芯片面積20~30%, Xtacking?技術(shù)創(chuàng)新的將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度,芯片面積可減少約25%,同等面積基礎(chǔ)上,Xtacking?架構(gòu)能夠提供更多的存儲(chǔ)單元。
最后再來(lái)看靈活的生產(chǎn)周期,實(shí)際上NAND顆粒的良品率和出貨量,是目前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的重要一環(huán),良品率方面,隨著Xtacking?2.0技術(shù)的誕生,長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存顆粒的良品率已然實(shí)現(xiàn)大幅度躍升,能夠滿(mǎn)足現(xiàn)階段長(zhǎng)江存儲(chǔ)客戶(hù)的良品需求;而出貨量上,基于Xtacking?工藝存儲(chǔ)單元和外圍電路的能夠獨(dú)立加工的特性,長(zhǎng)江存儲(chǔ)可以實(shí)現(xiàn)并行、模組化的靈活生產(chǎn)制造,根據(jù)推算Xtacking?工藝相較于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu),產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期可縮短三個(gè)月,生產(chǎn)周期可縮短20%。
03 不止于Xtacking? 致態(tài)TiPro7000強(qiáng)悍性能的秘密
更快更高更靈活的Xtacking?架構(gòu),為致態(tài)TiPro7000奠定了旗艦級(jí)性能的基礎(chǔ),可我們都知道一款旗艦級(jí)固態(tài)硬盤(pán),除開(kāi)閃存顆粒,在主控的選配和硬件優(yōu)化方面同樣關(guān)鍵。
致態(tài)TiPro7000內(nèi)置了英韌科技IG5236主控,這是一款采用12nm FinFET CMOS制造工藝的PCIe4.0主控芯片,長(zhǎng)江存儲(chǔ)在該主控基礎(chǔ)上,進(jìn)行了固件的優(yōu)化升級(jí),歷經(jīng)長(zhǎng)久的端到端的產(chǎn)品匹配,在充分挖掘該主控在GEN4協(xié)議上的潛能,并和Xtacking?2.0架構(gòu)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)高品質(zhì)3D TLC顆粒進(jìn)行校正和適配后,最終實(shí)現(xiàn)了性能的全部挖掘。
經(jīng)過(guò)筆者實(shí)測(cè),致態(tài)TiPro7000在最大順序性能方面達(dá)到了GEN4行業(yè)的巔峰水準(zhǔn),最大連續(xù)讀取7400MB/s,而最大連續(xù)寫(xiě)入也達(dá)到了5400MB/s,這一性能無(wú)論是對(duì)于游戲發(fā)燒友,還是存儲(chǔ)負(fù)載較重的專(zhuān)業(yè)內(nèi)容創(chuàng)作者,都能完全滿(mǎn)足他們?cè)谟脖P(pán)帶寬方面的性能需求。
04 綜述
從Xtacking?技術(shù)的原理,我們可以發(fā)現(xiàn),唯有打破常規(guī),持續(xù)創(chuàng)新,才是推動(dòng)產(chǎn)品革新,攀上巔峰的唯一要義。
作為一家年輕的存儲(chǔ)公司,長(zhǎng)江存儲(chǔ)·致態(tài)是幸福,也是幸運(yùn)的,不斷迭代的Xtacking?技術(shù),層出不窮的諸如致態(tài)TiPro7000優(yōu)秀產(chǎn)品,都一一昭示著它們正在一條正確的道路上,前行著。
雖然正確的道路,往往是曲折的,泥濘的,甚至是充滿(mǎn)危機(jī)的,但方向?qū)α?,其他不都是浮云了嗎?/p>
評(píng)論