臺積電RRAM技術(shù)引入英飛凌汽車MCU

11月25日，英飛凌和臺積電宣布，兩家公司正準(zhǔn)備將臺積電的電阻式RAM（RRAM）非易失性存儲器（NVM）技術(shù)引入英飛凌的下一代AURIX?微控制器（MCU），并將在臺積電的28納米節(jié)點上制造。

自第一個發(fā)動機管理系統(tǒng)問世以來，嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元(ECU)的主要構(gòu)建塊。目前，市場上大多數(shù)MCU系列都基于嵌入式閃存技術(shù)（eFlash）技術(shù)。而RRAM是嵌入式存儲器的下一步，可以進一步擴展到28納米及以上。

英飛凌AURIX TC4x MCU系列將性能擴展與虛擬化、安全和網(wǎng)絡(luò)功能的最新趨勢相結(jié)合，以支持下一代軟件定義的車輛和新的E/E架構(gòu)。

據(jù)介紹，基于臺積電RRAM技術(shù)的AURIX微控制器，可提供更高的抗擾度，并允許按位寫入而無需擦除，從而實現(xiàn)優(yōu)于嵌入式閃存的性能。其耐用性和數(shù)據(jù)保留性能與閃存技術(shù)相當(dāng)。

英飛凌認(rèn)為，與臺積電的合作成功奠定了RRAM在汽車領(lǐng)域的基礎(chǔ)，并使其Autrix系列微控制器具有更廣泛的供應(yīng)基礎(chǔ)。

基于臺積電RRAM技術(shù)的AURIX TC4x通過提高ASIL-D性能、人工智能功能和最新的網(wǎng)絡(luò)接口（包括10Base T1S以太網(wǎng)和CAN-XL）進一步擴大了這一成功。

2018年，臺積電開始量產(chǎn)汽車用40納米eFlash技術(shù)，但其40納米超低功耗嵌入式RRAM技術(shù)，完全兼容CMOS工藝，已于2017年底進入風(fēng)險生產(chǎn)。

2021年，臺積電代工廠的40納米RRAM技術(shù)成功進入量產(chǎn)，28納米和22納米節(jié)點也可作為物聯(lián)網(wǎng)市場的低成本解決方案。

目前，臺積電的非易失性存儲器解決方案包括閃存、自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）和RRAM。

據(jù)悉，英飛凌已經(jīng)將基于臺積電28納米eFlash技術(shù)的AURIX TC4x系列樣品運送給主要客戶，而基于28納米RRAM技術(shù)的首批樣品將于2023年底提供給客戶。