傳三星逆勢操作擴大芯片產(chǎn)能 搶攻市占率

韓國1家報紙昨晚報導指出，盡管預測顯示經(jīng)濟可能放緩，三星電子公司（Samsung Electronics）仍打算明年在其最大半導體廠房提高芯片產(chǎn)能。

路透社報導，此舉與對手在需求下降和芯片過剩的情況下縮減投資形成鮮明對比。

分析師表示，三星堅持投資計劃可能有助其搶占內(nèi)存芯片市場占有率，并在需求復蘇時支撐股價。

「韓國經(jīng)濟新聞」（Korea Economic Daily）引述不具名業(yè)界消息人士報導，三星計劃擴建其位于韓國平澤市的P3工廠，增加12吋DRAM產(chǎn)能。

報導還說，三星還將擴建廠房，增產(chǎn)4奈米芯片，這將根據(jù)與客戶所訂的代工合約進行。

今年開始生產(chǎn)儲存型閃存（NAND Flash）的P3，是三星最大的芯片制造工廠。

「韓國經(jīng)濟新聞」報導還說，三星打算明年至少增加10臺極紫外光微影（EUV）機臺。

三星婉拒發(fā)表評論。