英飛凌科技:迎接低碳化和數(shù)字化新挑戰(zhàn)

以萬物互聯(lián)、高效清潔能源、綠色智能個(gè)性化出行為代表的低碳化、數(shù)字化長期發(fā)展趨勢(shì)是未來十年塑造世界的主要力量，會(huì)逐漸滲透到各個(gè)行業(yè)，推動(dòng)著半導(dǎo)體需求的持續(xù)增長。

2022 年對(duì)于英飛凌來說是創(chuàng)紀(jì)錄的一年。 由于敏銳地抓住了低碳化發(fā)展和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的趨勢(shì)，基于正確的戰(zhàn)略性定位，英飛凌在過去幾年?duì)I收和利潤持續(xù)增長，2022 財(cái)年錄得營收142.18 億歐元，同比增長29%，創(chuàng)下了新高。

數(shù)字化、低碳化的發(fā)展趨勢(shì)還在進(jìn)一步加速，所以，現(xiàn)在正是設(shè)定一個(gè)更具雄心的目標(biāo)運(yùn)營模式的時(shí)機(jī)。英飛凌上調(diào)了其長期財(cái)務(wù)目標(biāo)，預(yù)計(jì)2023 財(cái)年的總營收將達(dá)到155 億元左右，增長率約為10%。

不僅如此，英飛凌正在通過計(jì)劃投資建設(shè)新工廠，持續(xù)貫徹公司的戰(zhàn)略，并前瞻性地為公司的持續(xù)盈利性增長夯實(shí)基礎(chǔ)。我們計(jì)劃繼續(xù)擴(kuò)大其300 mm 晶圓制造能力，以滿足預(yù)期的模擬/ 混合信號(hào)和功率半導(dǎo)體加速增長的需求。新工廠計(jì)劃落址于德國的德累斯頓。該工廠計(jì)劃總投資50 億歐元，是英飛凌歷史上最大的單筆投資。這也將增強(qiáng)英飛凌作為一家全球功率系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的地位。

有鑒于2022 年的走勢(shì)，供應(yīng)鏈在2023 年依然會(huì)面臨較大挑戰(zhàn)，但主要呈現(xiàn)的是結(jié)構(gòu)性特點(diǎn)。對(duì)于一些產(chǎn)品來說，短缺仍然存在，這種緊缺狀況很可能持續(xù)到2023 年。然而，由于疫情導(dǎo)致的高需求產(chǎn)品的繁榮階段如消費(fèi)電子、支持居家工作的設(shè)備等即將結(jié)束，個(gè)人電腦、消費(fèi)電子和智能手機(jī)等市場(chǎng)的需求正在減弱。因此，某些技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能預(yù)計(jì)會(huì)有一些緩解，更多產(chǎn)能被重新分配給汽車和工業(yè)產(chǎn)品?？偟膩碚f，緊缺狀況在2022 年有所改善，并預(yù)計(jì)在2023 年有進(jìn)一步的改善。但仍然需要密切關(guān)注整個(gè)市場(chǎng)呈現(xiàn)出的結(jié)構(gòu)性異步波動(dòng)的特點(diǎn)，并對(duì)產(chǎn)能提前做出科學(xué)研判和精準(zhǔn)規(guī)劃。

在英飛凌的目標(biāo)市場(chǎng)上，低碳化和數(shù)字化的趨勢(shì)越發(fā)強(qiáng)勁。電動(dòng)出行、可再生能源、數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用在未來幾年將繼續(xù)強(qiáng)勁和可持續(xù)地增長，對(duì)半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)性需求正在增加。堅(jiān)持英飛凌的戰(zhàn)略定位，我們將在這一趨勢(shì)中取得長足的發(fā)展。

以“讓生活更便利、更安全、更環(huán)?！睘槭姑?，英飛凌的氣候戰(zhàn)略建立在兩個(gè)支柱之上：一方面，我們通過提高能源利用率實(shí)現(xiàn)低碳制造，使用清潔能源，減少直接碳排放，并促進(jìn)資源循環(huán)利用。我們目標(biāo)是到2025年，將二氧化碳排放量較2019 年減少70%，到2030 年實(shí)現(xiàn)碳中和；另一方面，我們通過提供更高能效的產(chǎn)品和解決方案，幫助整個(gè)社會(huì)實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排。經(jīng)統(tǒng)計(jì)，英飛凌的高能效產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電等各類應(yīng)用中，在2022 財(cái)年為整個(gè)社會(huì)帶來的二氧化碳減排量達(dá)1 億 t。而英飛凌在2022 財(cái)年的二氧化碳排放量僅為300 萬 t，比率為33:1，這意味著英飛凌每1 t 的碳排放，能夠撬動(dòng)起33 t 的碳減排。

英飛凌在SiC方面的競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)

SiC 是新材料，新技術(shù)，所以從材料、供應(yīng)鏈到應(yīng)用的成熟需要一個(gè)過程。英飛凌花了30 年時(shí)間不斷進(jìn)行技術(shù)打磨和沉淀，而且取得了重大突破。

英飛凌自1998 年開始在2 英寸晶圓上制造碳化硅二極管，2010 年采用4 英寸，2015 年跨入6 英寸量產(chǎn)，今天我們已經(jīng)走向8 英寸。我們?cè)谛酒?、器件和?yīng)用上都積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，在創(chuàng)新的技術(shù)的基礎(chǔ)上，2017 年推出了溝槽柵SiC MOSFET。

1）英飛凌是第1 個(gè)采用溝槽柵做SiC MOSFET 的企業(yè)，這一創(chuàng)新的技術(shù)很好地解決了柵極氧化層的可靠性問題，也提高了SiC MOSFET 的性能，而且每個(gè)晶圓可以比平面柵多產(chǎn)出30% 芯片。

2）英飛凌還在積極投資一些創(chuàng)新的技術(shù)，從而能夠更好的成就我們的生產(chǎn)效率和良率的提升。 2018 年我們收購了一家擁有碳化硅冷切割技術(shù)的高科技公司Siltectra。這種冷切割的芯片切割技術(shù)，對(duì)于碳化硅來說，非常高的價(jià)值在于它可以大大的減少對(duì)硅錠的原材料的浪費(fèi)，所以我們可以用同樣數(shù)量的原材料切割成加倍的晶圓來供生產(chǎn)，也降低晶圓生產(chǎn)過程中的單位能耗，這一技術(shù)可以切割成遠(yuǎn)薄于350 μm 的晶圓。有了冷切割技術(shù)，我們8 英寸SiC 的產(chǎn)量大大提高。

3）我們?cè)谟蟹浅８咝?，高功率密度的封裝，寄生電感非常低的模塊封裝，我們基于增強(qiáng)型SiCMOSFET 芯片技術(shù)單管，采用.XT 技術(shù)的單管，最大規(guī)格低至7 mΩ；也有低至2 mΩ 的Easy3B 半橋模塊；1.7 kV 和2 kV 芯片技術(shù)及其產(chǎn)品。

4）我們產(chǎn)品定義與開發(fā)，需要對(duì)應(yīng)用的需要和客戶的需求非常了解。英飛凌功率半導(dǎo)體在工業(yè)和汽車應(yīng)用中已經(jīng)積累了幾十年的經(jīng)驗(yàn)，我們已經(jīng)建立起豐富的標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，也有為客戶為應(yīng)用定制的產(chǎn)品。

碳化硅市場(chǎng)的增長是強(qiáng)勁的。最初，需求主要由工業(yè)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，例如太陽能和電動(dòng)汽車充電等，到現(xiàn)在，這一需求正日益被汽車應(yīng)用的高需求所超越。例如，在新能源汽車相關(guān)領(lǐng)域，續(xù)航里程和電池裝機(jī)量是關(guān)鍵，SiC 技術(shù)能夠顯著的提升續(xù)航里程，或者相同續(xù)航里程下，降低電池裝機(jī)量和成本。因此，SiC 正在越來越多地被采用，特別是在牽引主逆變器、車載充電機(jī)OBC以及高低壓DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。

（本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2023年1月期）