Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管

器件采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 

美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年5月23日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有高浪涌電流保護(hù)能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性。 

日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封裝和D²PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由于采用MPS結(jié)構(gòu)，器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V，正向壓降與電容電荷乘積，即電源能效重要優(yōu)值系數(shù)（FOM），相比上一代解決方案降低17%。 

與接近的競品解決方案相比，二極管室溫下典型反向漏電流低30%，高溫下低70%。因此降低了導(dǎo)通損耗，確保系統(tǒng)輕載和空載期間的高能效。與超快恢復(fù)二極管不同，第三代器件幾乎沒有恢復(fù)拖尾，從而能夠進(jìn)一步提升效率。 

與擊穿電壓相當(dāng)?shù)墓瓒O管相比，SiC二極管熱導(dǎo)率高，反向電流低，反向恢復(fù)時間短。二極管反向恢復(fù)時間幾乎不受溫度變化的影響，可在+175 °C高溫下工作，不會因開關(guān)損耗造成能效變化。 

器件典型應(yīng)用包括發(fā)電和勘探應(yīng)用領(lǐng)域FBPS和LLC轉(zhuǎn)換器中的AC/DC功率因數(shù)校正（PFC）和 DC/DC超高頻輸出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試，測試時間和循環(huán)次數(shù)是AEC-Q101規(guī)定的兩倍。

新型SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為八周。