X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。

X-FAB采用首個110納米BCD-on-SOI技術實現(xiàn)下一代汽車應用 

通過轉移到較低的工藝節(jié)點，X-FAB XT011產品的標準單元庫密度達到其成熟的XT018 180納米BCD-on-SOI半導體平臺的兩倍；對于SONOS嵌入式閃存的實現(xiàn)，相較于XT018，其面積也減少了35%；此外，超低導通電阻（R_(ds)on）高壓N溝道器件的性能是另一個重要特性（相比XT018工藝有超過25%的改進）。顯著增強的熱性能意味著可以更好地解決大電流應用的難題——這點通常與對Bulk BCD工藝的期望相匹配。 

此種全新BCD-on-SOI技術能夠實現(xiàn)符合AEC-Q100 Grade 0等級的設計需求，具有高度穩(wěn)健性。其工作溫度范圍為-40℃至175℃，還表現(xiàn)出較高的抗EMI能力。由于沒有寄生雙極效應，發(fā)生閂鎖的風險完全消除，從而確保最高程度的操作可靠性。 

X-FAB為XT011提供了全面的工藝設計套件（PDK）以及廣泛的IP元素，如SRAM、ROM和基于SONOS的閃存和嵌入式EEPROM。因此，客戶將擁有實現(xiàn)“首次成功（first-time-right）”設計所需的所有手段，并將轉化為更短的上市時間。 

XT011工藝主要針對需要更高級別數(shù)據處理能力的下一代車載應用。此外，它將為現(xiàn)有的工業(yè)和醫(yī)療產品提供通往更小幾何尺寸的路徑。 

“X-FAB已經作為BCD-on-SOI技術的首選晶圓廠而廣為人知；此次成為首家過渡至110納米的晶圓廠，進一步突出了我們在這一領域無與倫比的專業(yè)知識?！?/span>X-FAB的首席技術官Joerg Doblaski表示，“通過此新一代車規(guī)級工藝，我們將為客戶構建生產更復雜且高度集成智能模擬產品所需的堅實基礎?！?/span> 

采用全新XT011 110納米BCD-on-SOI半導體工藝器件將在X-FAB位于巴黎附近的科爾貝-埃索訥（Corbeil-Essonnes）工廠制造。量產將于2023年下半年啟動。 

縮略語：

BCD       Bipolar-CMOS-DMOS

CMOS           互補金屬氧化物半導體

DTI         深槽隔離

EDA       電子設計自動化

SOI        絕緣體上硅

SONOS  硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅