bcd-on-soi 文章進(jìn)入bcd-on-soi技術(shù)社區(qū)

X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計(jì)劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲(chǔ)空間的EEPRO
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安森美推出業(yè)界領(lǐng)先的模擬和混合信號(hào)平臺(tái)

新聞概要●? ?Treo平臺(tái)基于65納米節(jié)點(diǎn)的BCD工藝技術(shù)，支持同行業(yè)領(lǐng)先的1- 90V寬電壓范圍和高達(dá) 175°C 的工作溫度●? ?Treo平臺(tái)將幫助客戶簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程，降低系統(tǒng)成本，并加快在汽車、醫(yī)療、工業(yè)、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域解決方案的上市速度●? ?安森美現(xiàn)可提供基于Treo平臺(tái)構(gòu)建的多個(gè)產(chǎn)品系列樣品，包括電壓轉(zhuǎn)換器、超低功耗模擬前端（AFE）、LDO、超聲波傳感器、多相控制器和單對(duì)以太網(wǎng)控制器●? ?基于該平臺(tái)構(gòu)建的
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晶像光電 SOI JX-K302P 四百萬(wàn)畫(huà)素物聯(lián)網(wǎng)感測(cè)器方案

晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬(wàn)分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)。該技術(shù)能夠明顯提升近紅外靈敏度，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的圖像質(zhì)量。通過(guò)BSI NIR+技術(shù)，安防監(jiān)控?cái)z像頭可以使用較少的紅外LED燈，并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質(zhì)量的圖像。搭配不同平臺(tái)SOC，可適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機(jī)、打獵相機(jī)、紅外夜視儀、運(yùn)動(dòng)攝影機(jī)和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機(jī)等領(lǐng)域。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)1. SOI JX-K30
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晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬(wàn)畫(huà)素物聯(lián)網(wǎng)感測(cè)器方案

晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬(wàn)分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)?？纱钆洳煌脚_(tái)SOC，適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機(jī)、打獵相機(jī)、紅外夜視儀、運(yùn)動(dòng)攝影機(jī)和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機(jī)等領(lǐng)域。?場(chǎng)景應(yīng)用圖SOI-SOI?產(chǎn)品實(shí)體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線加強(qiáng) 像素技術(shù)，可為在低光或無(wú)光環(huán)境中運(yùn)行的應(yīng)用提供新的可能性，同時(shí)降低總功耗
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意法半導(dǎo)體為MCU開(kāi)啟FD-SOI時(shí)代

意法半導(dǎo)體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲(chǔ)器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級(jí)進(jìn)化，并將此技術(shù)應(yīng)用在通用32位MCU市場(chǎng)領(lǐng)先的STM32系列MCU產(chǎn)品。
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SOI芯片熱潮再起，中國(guó)市場(chǎng)信心大增

受到美國(guó)政府的干擾，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展遇到了諸多困難，同時(shí)也給原來(lái)沒(méi)有得到足夠關(guān)注的技術(shù)或企業(yè)提供了很好的發(fā)展機(jī)遇，SOI（絕緣體上硅）制程工藝就是其中之一。2019 年之前，當(dāng)先進(jìn)制程工藝演進(jìn)到 10nm 時(shí)，當(dāng)時(shí)昂貴的價(jià)格，以及漏電流帶來(lái)的功耗水平偏高問(wèn)題，一直是業(yè)界關(guān)注的難題，SOI 正是看到了 FinFET 的這些缺點(diǎn)，才引起人們關(guān)注的，它最大的特點(diǎn)就是成本可控，且漏電流非常小，功耗低。在實(shí)際應(yīng)用中，SOI 主要分為 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）和 RF-SOI（射頻絕緣體上硅）。FD-SO
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解決 48V 電網(wǎng)及 FuSa 難題， Power-SOI 推動(dòng)智能功率器件創(chuàng)新

混合動(dòng)力汽車 (HEV) 和全電動(dòng)汽車 (EV) 設(shè)計(jì)如今廣受關(guān)注，一個(gè)重要的技術(shù)趨勢(shì)正悄然影響著汽車行業(yè)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)中的 48V 直流 (DC) 總線系統(tǒng)。48V 系統(tǒng)不僅適用于全電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車，它還適用于更常見(jiàn)的內(nèi)燃機(jī)汽車。汽車應(yīng)用 48V 電網(wǎng)48V 系統(tǒng)有何獨(dú)特之處？與在常規(guī)的供電條件下一樣，48V 系統(tǒng)歸根到底仍然遵循歐姆定律和基礎(chǔ)物理學(xué)規(guī)律，與電勢(shì)差 (V = IR)、電功率 (P = IV) 及功率損耗 (P = I2R) 相關(guān)。供電仍需要電流與電壓的結(jié)合，但電勢(shì)差（損耗）隨電流
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X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

中國(guó)北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長(zhǎng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
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攻克復(fù)雜性障礙：下一代 SOI 天線調(diào)諧

過(guò)去十年，天線調(diào)諧技術(shù)領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化。天線變得更小、性能更強(qiáng)，能處理更多的射頻信號(hào)。這些發(fā)展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術(shù)——它提供的調(diào)諧能力提高了設(shè)計(jì)靈活性，并大幅改善了性能。復(fù)雜射頻世界中的器件性能有時(shí)候，科技似乎在飛速發(fā)展，日新月異——產(chǎn)品變得越來(lái)越小，處理速度越來(lái)越快，我們的世界剎那間便不同以往。移動(dòng)設(shè)備的天線也是如此。支持許多頻段的更小移動(dòng)設(shè)備使得天線更加復(fù)雜。對(duì)于工程師而言，這種復(fù)雜性也是需要攻克的障礙。與此同時(shí)，技術(shù)開(kāi)發(fā)工程師每推出一代新技術(shù)，都會(huì)做出漸進(jìn)式改進(jìn)，通過(guò)這種持續(xù)改善來(lái)幫
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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)(IPC)方案

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶視智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光電（SOI）JX-K06圖像傳感器的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)（IPC）方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的IPC方案的展示板圖近年來(lái)，消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智慧城市的發(fā)展，推動(dòng)了智能監(jiān)控技術(shù)的革新，也驅(qū)動(dòng)了IPC（網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)）的需求。相比于傳統(tǒng)攝像機(jī)，IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果，還具有網(wǎng)絡(luò)輸出接口，可直接將攝像機(jī)接入本地局域網(wǎng)。這些特性使其
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ST和GlobalFoundries在法國(guó)Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI

意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導(dǎo)體位于法國(guó)Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運(yùn)營(yíng)的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點(diǎn)，包括FD-SOI。ST和GF預(yù)計(jì)，該晶圓廠將于2024年開(kāi)始生產(chǎn)芯片，到2026年將達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達(dá)62萬(wàn)片300毫米晶圓。法國(guó)東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠(yuǎn)，長(zhǎng)期以來(lái)一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來(lái)看，F(xiàn)D-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實(shí)現(xiàn)FinF
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意法半導(dǎo)體和格芯將在法國(guó)新建12英寸晶圓廠，推進(jìn) FD-SOI 生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)

·????? 隨著世界經(jīng)濟(jì)向數(shù)字化和脫碳轉(zhuǎn)型，新的高產(chǎn)能聯(lián)營(yíng)晶圓廠將更好滿足歐洲和全球客戶需求·????? 新工廠將支持各種制造技術(shù)，包括格芯排名前列的 FDX? 技術(shù)和意法半導(dǎo)體針對(duì)汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用開(kāi)發(fā)的節(jié)點(diǎn)低至18納米的全面技術(shù)·????? 預(yù)計(jì)該項(xiàng)合作投資金額達(dá)數(shù)十億歐元，其中包括來(lái)自法國(guó)政府的大筆財(cái)政支持?2022 年
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CEA、Soitec、格芯、意法半導(dǎo)體攜手推動(dòng)下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規(guī)劃

CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半導(dǎo)體宣布一項(xiàng)新合作協(xié)議，四家公司計(jì)劃聯(lián)合制定產(chǎn)業(yè)之下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導(dǎo)體組件和FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新對(duì)法國(guó)和歐盟以及全球客戶具有策略價(jià)值。FD-SOI能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員和客戶系統(tǒng)帶來(lái)巨大益處，包括更低功耗以及易于整合更多功能，例如，通訊聯(lián)機(jī)和安全保護(hù)，這對(duì)汽車、物聯(lián)網(wǎng)和行動(dòng)應(yīng)用而言，其優(yōu)勢(shì)是FD-SOI技術(shù)的一個(gè)重要特質(zhì)。CEA主席Francois Jacq表示，二十多年來(lái)，在Grenoble-Crolles生態(tài)系統(tǒng)中，CEA一
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ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長(zhǎng)跑35年第十代即將量產(chǎn)

意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng)，表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開(kāi)關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來(lái)，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)／
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田字形單質(zhì)量塊三軸電容式微加速度計(jì)的設(shè)計(jì)與仿真

介紹了一種田字形單質(zhì)量塊三軸電容式微加速度計(jì)的設(shè)計(jì)與仿真。該加速度計(jì)以SOI晶圓作為基片，經(jīng)過(guò)氧化、光刻、干法刻蝕和濕法刻蝕等工藝步驟得到。通過(guò)支撐梁和3個(gè)軸的敏感結(jié)構(gòu)的巧妙設(shè)計(jì)，有效避免了平面內(nèi)和垂直方向的交叉軸干擾的影響，并提高了Z軸的靈敏度。通過(guò)差分電容的設(shè)計(jì)，理論上消除了交叉軸干擾。通過(guò)仿真得到了該加速度計(jì)在3個(gè)軸向上的靈敏度及抗沖擊能力。結(jié)合理論分析和ANSYS仿真結(jié)果，可以得出結(jié)論：所設(shè)計(jì)的加速度計(jì)擁有較低的交叉軸干擾、較高的靈敏度以及較強(qiáng)的抗沖擊能力，在慣性傳感器領(lǐng)域有一定的應(yīng)用前景。
關(guān)鍵字：微加速度計(jì) SOI 交叉軸干擾靈敏度