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Global Foundries志在英特爾　臺(tái)廠不是主要對(duì)手

  • 　　Global Foundries制造系統(tǒng)與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專攻28納米制程已以下制程技術(shù)，未來將持續(xù)延攬來自各界半導(dǎo)體好手加入壯大軍容，同時(shí)他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領(lǐng)域臺(tái)積電雖是對(duì)手之一，但真正的目標(biāo)(Bench Mark)其實(shí)對(duì)準(zhǔn)英特爾(Intel)。 　　競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電45/40
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英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

  • 　　新聞事件： 　　韓國(guó)LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響： 　　將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費(fèi)與標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場(chǎng) 　　LS預(yù)計(jì)于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊 　　韓國(guó)LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。 　　合
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  IGBT  CIPOS  射極控制二極管技術(shù)  SOI  

新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

  • 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
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IMEC加入SOI聯(lián)盟

  •         據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)道，旨在推進(jìn)SOI晶圓應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)組織SOI聯(lián)盟（SOI Consortium）宣布，比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC已加入?yún)f(xié)會(huì)作為學(xué)術(shù)會(huì)員。         IMEC是一家獨(dú)立的納電子研究中心，已在SOI技術(shù)領(lǐng)域積極開展研究超過20年。IMEC開展的合作性CMOS微縮研究較商用制造水平超前2至3個(gè)節(jié)點(diǎn)。IMEC不僅研究SOI相關(guān)的器件原
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加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作

  •         由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)舉辦的“集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作交流會(huì)”2月17日在張江休閑中心召開。來自上海新陽半導(dǎo)體材料有限公司、安集微電子（上海）有限公司、上海新傲科技有限公司、上海華誼微電子材料有限公司等集成電路材料企業(yè)就高純CU電鍍液、SOI外延片、CMP拋光液、清洗液及高純化學(xué)試劑等新材料、新工藝做了介紹。會(huì)上近60位長(zhǎng)三角地區(qū)晶圓制造企業(yè)代表參與并就四個(gè)報(bào)告進(jìn)行交流。  &nb
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Power Integrations與 BCD Semiconductor的專利訴訟達(dá)成和解

  • 　　2009年2月11日加州圣何塞消息–用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商Power Integrations （納斯達(dá)克代號(hào)：POWI）今天宣布，公司已經(jīng)同意與BCD Semiconductor的專利訴訟中提出的和解條件。根據(jù)和解條件，BCD將接受美國(guó)特拉華州聯(lián)邦地方法院的一項(xiàng)決議，即禁止BCD在美國(guó)生產(chǎn)和銷售此項(xiàng)訴訟中涉及的產(chǎn)品。這項(xiàng)決議還禁止BCD將這些產(chǎn)品出售并用于銷往美國(guó)市場(chǎng)的最終產(chǎn)品中。BCD還同意向最近接觸的客戶、分銷商和其它第三方提供有關(guān)此項(xiàng)決議的通告。 　　
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BCD和PI就專利訴訟案達(dá)成和解

  • ??　?BCD Semiconductor Manufacturing Limited(簡(jiǎn)稱BCD)是一家位于大中華區(qū)，首屈一指的模擬信號(hào)制造商（IDM），從事電源管理集成電路產(chǎn)品的設(shè)計(jì)研發(fā)、工藝制造和銷售。 　　BCD日前與Power Integrations（簡(jiǎn)稱PI） 就一項(xiàng)達(dá)成和解，雖然BCD并不認(rèn)為有侵犯PI之任何專利，并且PI于此訴訟中所主張之專利大都被美國(guó)商標(biāo)專利局撤銷；BCD出于商業(yè)原因之考慮，最終同意與PI達(dá)成和解。根據(jù)一項(xiàng)由美國(guó)聯(lián)邦法院所作出之和解裁定，
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SOI的CAN收發(fā)器實(shí)現(xiàn)EMC優(yōu)化重大突破

  • 網(wǎng)絡(luò)電子系統(tǒng)在汽車和工業(yè)應(yīng)用中日益得到廣泛部署，飛利浦采用獨(dú)特的新型絕緣體上硅芯片(SOI)技術(shù)推出的控制...
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用IC激發(fā)汽車電子的創(chuàng)新

  • 訪NXP 高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官 Rene Penning de Vires 當(dāng)人們?cè)谥鸩搅?xí)慣使用車用遙控門鎖（Remote Keyless Entry）打開車門的時(shí)候，也在慢慢淡忘曾經(jīng)的手動(dòng)金屬鑰匙。將來，被稱作“駛向未來的鑰匙”的智能鑰匙又會(huì)怎樣簡(jiǎn)化汽車的駕乘？ 智能鑰匙其實(shí)是采用了NFC(近距離無線通信)、GPS無線技術(shù)和顯示技術(shù)的智能卡。可以通過顯示屏直觀地顯示汽車停泊的位置、安全狀態(tài)等等信息，并且可以打造成一個(gè)非接觸式支付的多功能錢包。智能鑰匙通過無線網(wǎng)絡(luò)將駕
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滿足高溫環(huán)境需求的汽車電子器件

  • 汽車中使用的電子器件數(shù)量在不斷增多，而且這一趨勢(shì)也開始出現(xiàn)在一些由于環(huán)境惡劣而通常難以使用具有成本效益 ...
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半導(dǎo)體業(yè)秋風(fēng)瑟瑟 新進(jìn)赴美IPO打退堂鼓

  • 　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)漸漸進(jìn)入谷底，這讓原本打算IPO的企業(yè)打了退堂鼓。 　　《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》獲悉，原本有望登陸美國(guó)資本市場(chǎng)的上海BCD（新進(jìn)）半導(dǎo)體公司，已中止赴美上市計(jì)劃。該公司給出的理由是，市場(chǎng)條件惡劣，時(shí)機(jī)不適宜。 　　2月中旬，這家本土著名模擬半導(dǎo)體器件供應(yīng)商曾對(duì)外透露，暫時(shí)延緩美國(guó)IPO之旅，原因同樣是市場(chǎng)條件不合預(yù)期。 　　記者登陸美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC)官方主頁查詢到，2月12日、6月30日兩天，新進(jìn)半導(dǎo)體已兩次提交“登記撤銷請(qǐng)求”。 　　此前在1月底，新進(jìn)
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待機(jī)調(diào)光模式的電荷泵背光驅(qū)動(dòng)IC

  • 　　小尺寸的LCD顯示模塊早已成為手持式數(shù)碼產(chǎn)品的重要組成部分，隨著消費(fèi)者對(duì)視覺方面要求的提高，LCD顯示模塊的設(shè)計(jì)變得越來越重要。如何在1.8寸至2.8寸的LCD屏上顯示更多的信息并提高顯示質(zhì)量達(dá)到更好的視覺效果，成為眾多手持式數(shù)碼產(chǎn)品設(shè)計(jì)者的重點(diǎn)之一。除了提高LCD屏的分辨率、減小延遲時(shí)間以及在軟件上提升之外，LCD屏的背光設(shè)計(jì)也扮演著重要角色。 傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中，小尺寸彩色LCD屏一般采用白色LED作為背光源。1.8寸至2.8寸的LCD屏多采用1至4顆白色LED。為達(dá)到好的顯示效果，要求白色LED亮度
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新SOI電路模型應(yīng)邀競(jìng)爭(zhēng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) 北大微電子研究爭(zhēng)創(chuàng)世界一流水平

  • 　　近日，北京大學(xué)微電子學(xué)研究院教授何進(jìn)博士的喜接美國(guó)電子和信息技術(shù)聯(lián)合會(huì) (GEIA: Government Electronics & Information Technology Association）旗下的國(guó)際集成電路模型標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CMC： Compact modeling Council）的主席邀請(qǐng)函，邀請(qǐng)何進(jìn)教授參加于6月5日到6日在美國(guó)波士頓舉行的關(guān)于新一代SOI 集成電路國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)模型選擇的CMC會(huì)議， 攜帶北京大學(xué)自主研發(fā)的新SOI電路模型競(jìng)爭(zhēng)高科技IT技術(shù)—納米
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愛特梅爾推出采用BCD-on-SOI技術(shù)的高溫驅(qū)動(dòng)器IC

  • 　　愛特梅爾公司宣布推出全新高溫六路半橋驅(qū)動(dòng)器芯片ATA6837和ATA6839。這兩款產(chǎn)品采用愛特梅爾的0.8 um 高壓BCD-on-SOI技術(shù) (SMART-I.S.?) 制造，可采用尺寸更小的低成本QFN封裝。新推器件具有高承壓能力 (高達(dá)40V)，因而既可用于客車 (如空調(diào)系統(tǒng)出風(fēng)口控制)，也可用于24V卡車。此外，這些器件還具有多種保護(hù)功能。 　　ATA6837是帶有集成功率級(jí)的完全保護(hù)的六路半橋驅(qū)動(dòng)器IC。經(jīng)由微控制器 (如愛特梅爾符合汽車規(guī)范要求的AVR? 微控制器ATm
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Atmel采用BCD-on-SOI技術(shù)的高溫驅(qū)動(dòng)器集成電路

  • 　　Atmel推出新型高溫六邊形半橋驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) ATA6837 和 ATA6839。ATA6837 和 ATA6839 采用 Atmel 的高壓 0.8 um BCD-on-SOI 技術(shù) (SMART-I.S.(R)) 制造，該技術(shù)使得采用更小、成本更低的 QFN封裝成為可能。鑒于其高壓性能（高達(dá) 40V），這些新設(shè)備可同時(shí)用于乘用車應(yīng)用（如空調(diào)系統(tǒng)的片控制）以及 24V 卡車應(yīng)用。這些設(shè)備還具備廣泛的保護(hù)功能。 　　ATA6837 是一個(gè)得到充分保護(hù)、擁有全面功率級(jí)的六邊形半橋驅(qū)動(dòng)器 I
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