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imec 文章進入imec技術(shù)社區(qū)

imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術(shù)的生態(tài)系
關(guān)鍵字： imec High-NA EUV DRAM

小芯片大事記：imec創(chuàng)辦40周年回顧

1984年1月，比利時正在緊鑼密鼓的籌備一件重大活動，于1月16日正式成立比利時微電子研究中心（imec）。成立之初，imec雇用了70名人員。當時幾乎沒人想到imec會在接下來的40年發(fā)展為廣納全球5500名雇員的研究泰斗。
關(guān)鍵字：小芯片 imec

imec展示單片式CFET功能組件成功垂直堆棧金屬接點

于本周舉行的2024年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效晶體管（CFET）組件，該組件包含采用垂直堆棧技術(shù)形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點（contact）。雖然此次研究的成果都在晶圓正面進行接點圖形化，不過imec也展示了改從晶圓背面處理接點圖形的可行性—這能大幅提升頂層組件的存活率，將其從11%提升到79%。 CMOS互補式場效晶體管（CFET）組件搭配中間介電層（MDI）以及
關(guān)鍵字： imec 單片式 CFET 功能組件垂直堆棧金屬接點

imec展示56Gb波束成形發(fā)射機實現(xiàn)高功率零中頻的D頻段傳輸

于本周舉行的國際電機電子工程師學(xué)會（IEEE）射頻集成電路國際會議（RFIC Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）發(fā)表了一款基于CMOS技術(shù)的先進波束成形發(fā)射機，用來滿足D頻段的無線傳輸應(yīng)用。該發(fā)射器具備優(yōu)異的輸出功率及能源效率，同時支持每通道56Gb/s的超高數(shù)據(jù)傳輸率。該組件也是比利時微電子研究中心（imec）研究人員目前正在開發(fā)的四路波束成形收發(fā)機芯片之核心構(gòu)件。運用這項技術(shù)，他們希望可以協(xié)助部署新一代100GHz以上的高頻短距無線傳輸服務(wù)。 imec先進CMOS波束成
關(guān)鍵字： imec 波束成形發(fā)射機高功率零中頻 D頻段傳輸

imec助推歐洲芯片法 2納米芯片試驗將獲25億歐元投資

比利時微電子研究中心(imec)于本周舉行的2024年全球技術(shù)論壇（ITF World 2024)，宣布即將推出納米芯片（NanoIC）試驗制程。鑒于歐盟《芯片法案》的發(fā)展愿景，該試驗制程致力于加速創(chuàng)新、驅(qū)動經(jīng)濟成長，并強化歐洲半導(dǎo)體生態(tài)系。此納米芯片試驗制程聚焦開發(fā)2納米以下的系統(tǒng)單芯片，將為歐洲汽車、電信、健康衛(wèi)生等各大產(chǎn)業(yè)提供支持，以利用最新的芯片創(chuàng)新設(shè)計來開發(fā)經(jīng)得起未來考驗的產(chǎn)品。imec現(xiàn)有的試驗制造廠區(qū)已建立了數(shù)十年，該試驗制程將作為其擴建的廠房。政府及民間單位預(yù)計將注入高達25億歐元的共同投
關(guān)鍵字： imec 歐洲芯片法 2納米

運用能量產(chǎn)率模型突破太陽能預(yù)測極限

能量產(chǎn)率模型（Energy Yield Model）由歐洲綠能研究組織EnergyVille成員—比利時微電子研究中心（imec）和比利時哈瑟爾特大學(xué)（UHasselt）所開發(fā)，該模型利用由下而上（bottom-up）設(shè)計方法，精準巧妙地結(jié)合太陽能板的光學(xué)、溫度及電氣動力學(xué)，正在為太陽能預(yù)測帶來全新氣象。在追求永續(xù)能源方面，太陽能扮演著關(guān)鍵角色，然而，太陽能具備難以預(yù)測的特性，挑戰(zhàn)了準確預(yù)測能量（和財務(wù)）產(chǎn)率的實現(xiàn)。比利時微電子研究中心（imec）和比利時哈瑟爾特大學(xué)（UHasselt），透過他們在歐洲綠
關(guān)鍵字：量產(chǎn)率模型太陽能 imec

半大馬士革集成中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)面臨的挑戰(zhàn)

l 隨著芯片制造商向3nm及以下節(jié)點邁進，后段模塊處理迎來挑戰(zhàn)l 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)可能有助于縮短電阻電容的延遲時間隨著器件微縮至3nm及以下節(jié)點，后段模塊處理迎來許多新的挑戰(zhàn)，這使芯片制造商開始考慮新的后段集成方案。在3nm節(jié)點，最先進的銅金屬化將被低電阻、無需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉(zhuǎn)變帶來減成圖形化這一新的選擇。這個方法也被稱為“半大馬士革集成”，結(jié)合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)大馬士革。
關(guān)鍵字：半大馬士革空氣間隙結(jié)構(gòu) 泛林 imec

革命性醫(yī)療成像 imec用非侵入超音波監(jiān)測心臟

比利時微電子研究中心（imec）的研究人員，推出為超音波成像應(yīng)用所開發(fā)的創(chuàng)新第二代壓電式微機械超音波換能器（PMUT）數(shù)組。該數(shù)組具備一層氮化鋁鈧（AlScN）壓電層，在水中實現(xiàn)優(yōu)異的影像擷取，波束控制深度達到10cm。此次取得的技術(shù)突破為曲面感測、革命性醫(yī)療成像及監(jiān)測這類復(fù)雜的超音波應(yīng)用提供了發(fā)展條件。近期imec攜手其衍生新創(chuàng)Pulsify Medical，一同推動心臟監(jiān)測技術(shù)朝向非侵入式且無需醫(yī)師操作的方向發(fā)展。超音波成像的技術(shù)進展在非侵入性的情況下，透過超音波成像來呈現(xiàn)腹中胎兒影像的聲波應(yīng)用廣為人
關(guān)鍵字：超音波感測醫(yī)療成像 imec

背面供電選項：下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者

imec 強調(diào)了背面供電在高性能計算方面的潛力，并評估了背面連接的選項。
關(guān)鍵字： imec BSPDN nTSV

IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖：FinFET將于3nm到達盡頭

近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖，分享對應(yīng)晶體管架構(gòu)研究和開發(fā)計劃。外媒報導(dǎo)，IMEC制程藍圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預(yù)計2024年進入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)?！鱏ource：IMEC隨著時間發(fā)展，轉(zhuǎn)移到更小的制程節(jié)點會越來越貴，原有的單芯片設(shè)計方案讓位給小芯片(Chiplet)設(shè)計。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
關(guān)鍵字： IMEC 1nm 制程 FinFET

imec觀點：微影圖形化技術(shù)的創(chuàng)新與挑戰(zhàn)

此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化制程與材料研究計劃的高級研發(fā)SVP Steven Scheer以近期及長期發(fā)展的觀點，聚焦圖形化技術(shù)所面臨的研發(fā)挑戰(zhàn)與創(chuàng)新。本篇訪談內(nèi)容，主要講述這些技術(shù)成果的背后動力，包含高數(shù)值孔徑（high NA）極紫外光（EUV）微影技術(shù)的進展、新興內(nèi)存與邏輯組件的概念興起，以及減少芯片制造對環(huán)境影響的需求。怎么看待微影圖形化這塊領(lǐng)域在未來2年的發(fā)展？Steven Scheer表示：「2019年，極紫外光（EUV）微影技術(shù)在先進邏輯晶圓廠進入量產(chǎn)，如今動態(tài)隨機存
關(guān)鍵字： imec 微影圖形化

探索埃米世代導(dǎo)線材料金屬化合物會擊敗銅嗎？

自1990年代中期，銅（Cu）一直用于后段制程，作為內(nèi)連導(dǎo)線（interconnect）與通孔（via）的主流金屬材料。這些年來，銅材在雙鑲嵌整合制程上展現(xiàn)了長年不敗的優(yōu)良導(dǎo)電性與可靠度，因此過去認為在芯片導(dǎo)線應(yīng)用上無需替換這位常勝軍。但隨著技術(shù)世代演進，局部導(dǎo)線層持續(xù)微縮，關(guān)鍵組件層的線寬降至10nm以下。偏偏在這樣的小尺寸下，銅材的電阻會急遽增加，進而影響電路的整體性能。銅世代告終？此外，銅材需要阻障層（barrier）、襯墊層（liner）與覆蓋層（cap layer）才能維持良好的可靠度；這些外加
關(guān)鍵字：埃米導(dǎo)線材料金屬化合物 imec

imec全球首創(chuàng)高光譜照相系統(tǒng) 鎖定動態(tài)全彩成像應(yīng)用

于本周舉行的國際光電工程學(xué)會（SPIE）美西光電展（Photonics West）上，比利時微電子研究中心（imec）展示全球首款高光譜多傳感器照相系統(tǒng)，涵蓋可見光與近紅外光的波長范圍，還兼具高分辨率RGB色彩傳感器。即使在動態(tài)情境下，這套系統(tǒng)也能支持高幀數(shù)影像的數(shù)據(jù)擷取，還可以協(xié)助評估特定應(yīng)用在使用單一裝置的情況下最適合采用的分辨率與光譜范圍。越來越多的企業(yè)正在研究如何利用高光譜影像技術(shù)來提升他們的產(chǎn)品或服務(wù)。有些企業(yè)一開始就知道各自所需的光譜范圍，但其他企業(yè)卻必須經(jīng)歷一段測試多臺相機的過程。盡管目前市
關(guān)鍵字： imec 高光譜照相動態(tài)全彩成像

隔空觸覺應(yīng)用看漲 imec開發(fā)微型超音波數(shù)組技術(shù)

比利時微電子研究中心（imec），于本周舉行的2022年IEEE國際超音波會議（International Ultrasonics Symposium），展示了新型壓電式微型超音波換能器（pMUT）數(shù)組，它能與平面顯示器（FPD）制程技術(shù)兼容。新型數(shù)組可以隔空感測高于1kPa的聲壓，滿足隔空觸覺與指向聲波應(yīng)用。（A）包含22個直徑為500μm環(huán)形pMUT的相控數(shù)組大范圍影像（B）細部影像此次開發(fā)的pMUT技術(shù)不再聚焦晶圓制程，而是朝向與平面顯示器技術(shù)兼容的方向發(fā)展，方便將來與隔空感測應(yīng)用整合，
關(guān)鍵字：隔空觸覺 imec 超音波數(shù)組

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imec介紹

IMEC,全稱為Interuniversity Microelectronics Centre, 微電子研究中心. 　　IMEC成立于1984年，目前是歐洲領(lǐng)先的獨立研究中心，研究方向主要集中在微電子，納米技術(shù)，輔助設(shè)計方法，以及信息通訊系統(tǒng)技術(shù)（ICT）. IMEC 致力于集成信息通訊系統(tǒng)設(shè)計；硅加工工藝；硅制程技術(shù)和元件整合；納米技術(shù)，微系統(tǒng)，元件及封裝；太陽能電池；以及微電子領(lǐng)域的高級培訓(xùn) [ 查看詳細 ]

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