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7納米以下技術(shù)候選人：IMEC看好GAA NWFET技術(shù)

  • 　　比利時微電子(IMEC)在2016國際電子元件會議(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極(GAA)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFETs)的CMOS集成電路，其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極，使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等，且針對7納米以下技術(shù)候選人，IMEC看好環(huán)繞式閘極納米線電晶體(GAA NWFET)會雀屏中選。 　　比利時微電子研究中心與全球許多半導體大廠、系統(tǒng)大廠均為先進制程和創(chuàng)
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imec與iMinds合并，成立世界級高科技研究中心

  • 　　歐洲主要的納米電子研究中心imec以及數(shù)字研究與育成中心iMinds即將合并，共同為數(shù)字經(jīng)濟打造一座世界級的高科技研究中心。 　　這項合作行動預(yù)計將于2016年底完成，屆時將可進一步強化比利時西部Flanders作為高科技中心的影響力以及成為更專注于打造永續(xù)發(fā)展數(shù)字未來的地區(qū)。 　　iMinds將整合于imec旗下新設(shè)的業(yè)務(wù)單位，融合來自全球超過2,500名imec研究人員的技術(shù)與系統(tǒng)專業(yè)，以及近50個國家約1,000名iMinds研究人員的先進數(shù)字能力，成為一個全新的研究中心。 　　在加入iM
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Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

  • 　　比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。 　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。 　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過使用通道中的III-V材
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IMEC：7納米制程發(fā)展仍待觀察

  • 　　SEMICON Taiwan 2015期間，除了設(shè)備、材料、晶圓代工與封測業(yè)者們齊聚一堂外，今年也很罕見地看到第三方中立機構(gòu)來臺發(fā)聲，通常這類機構(gòu)集結(jié)了全球各地產(chǎn)學研的研發(fā)人 才，扮演先進技術(shù)的開發(fā)與研究的重要角色。其中位于比利時魯汶的IMEC(愛美科)便是一例。 　　全球半導體產(chǎn)業(yè)在兩三年前，就已經(jīng)有了18寸晶圓廠的呼聲，雖然18寸晶圓廠需要龐大的資金與技術(shù)投入，甚至必須要采取結(jié)盟策略，以分擔高額開發(fā)成本所帶來的沉重負擔，在當時，市場不斷討論18寸晶圓廠導入的可能性。 　　但 時至今日，這個題議
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華為合作IMEC 進軍硅光子

  • 　　華為與納米研究中心——比利時的微電子研究中心(IMEC，Interuniversity Microelectronics Centre)聯(lián)合宣布，聚焦于光學數(shù)據(jù)鏈路技術(shù)，其戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系再進一步。 　　這一對于硅基光學互連的聯(lián)合研究有望帶來諸多益處，包括高速、低功耗和成本節(jié)省。 　　通過為創(chuàng)造用于數(shù)據(jù)傳輸和通訊的高集成度、低功耗的光收發(fā)器，硅光子學是有望徹底改變光通信的關(guān)鍵技術(shù)。 　　華為現(xiàn)已加入了IMEC聚焦于在系統(tǒng)層面優(yōu)化帶寬密度、功耗、熱穩(wěn)定性和成本的研究項目。華
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IMEC實現(xiàn)1小時完成小型自動基因檢測的芯片方案

  • 松下與比利時微電子研究中心(IMEC)共同開發(fā)出了1小時即可完成檢測的全自動小型基因檢測芯片。該芯片可利用...
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攻新材料/互連技術(shù) IMEC力克10nm設(shè)計難關(guān)

  • 　　比利時微電子研究中心(IMEC)正全速開發(fā)下世代10奈米制程技術(shù)。為協(xié)助半導體產(chǎn)業(yè)跨越10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)門檻，IMEC已啟動新一代電晶體通道材料和電路互連(Interconnect)研究計劃，將以矽鍺/三五族材料替代矽方案，并透過奈米線(Nanowire)或石墨烯技術(shù)實現(xiàn)更細致的電路成型與布局，加速10奈米以下制程問世。 　　IMEC制程科技副總裁An Steegen提到，除了10奈米以下制程技術(shù)外，IMEC亦全力推動18寸晶圓的發(fā)展，目前已有相關(guān)設(shè)備進入驗證階段。 　　I
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Alchimer與IMEC在22nm以下先進制程進行合作

  • 　　雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機電(MEMS)與太陽能等領(lǐng)域濕沉積技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Alchimer，宣布與歐洲研究機構(gòu)IMEC攜手進行一項合作研發(fā)計劃，為先進的奈米互連技術(shù)評估和實施銅(Cu) 填充解決方案。該計劃的重點將是 Alchimer 的 Electrografting (eG) 產(chǎn)品系列，其已證明可在 7nm 節(jié)點裝置上實現(xiàn)無空隙填充，并允許在阻擋層上直接進行銅填充，且鑲嵌制程無需晶種層。由于 CMOS規(guī)模增加，使制程更加精細，因此市場要求銅鑲嵌要有更小的尺寸 (<16/14 nm)，采
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IMEC探討10nm以下制程變異

  • 　　在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Forum上表示。 　　明天的智慧系統(tǒng)將會需要更多的運算能力和儲存容量，這些都遠遠超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動了我們對晶片微縮技術(shù)的需求。 　　在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動晶片微縮。在10nm之后，或許還
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Imec和瑞薩推出新一代高帶寬無線接收器的ADC

  • 在本周舉辦的國際固態(tài)電路研討會(ISSCC2012)上，imec和瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”)推出了創(chuàng)新型SAR-ADC(逐次比較性模數(shù)轉(zhuǎn)換器)，大幅提升了能效和速度，面向符合新一代高帶寬標準要求的無線接收器，例如LTE-advanced和新興的Wi-Fi(IEEE802.11ac)。
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采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號采集

  • 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號采集,人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
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IMEC發(fā)布14nm工藝開發(fā)套件 測試芯片下半年推出

  • 　　歐洲微電子研究機構(gòu)IMEC(比利時魯汶)日前宣布，已發(fā)布了一個早期版本的邏輯工藝開發(fā)套件(PDK)，這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點邏輯工藝的開發(fā)工具包，IMEC表示。 　　該套件支持多種有可能在14納米節(jié)點應(yīng)用的技術(shù)，包括FinFET器件和極端紫外線光刻技術(shù)。它包含了器件緊湊模型，寄生參數(shù)提取，設(shè)計規(guī)則，參數(shù)化單元(P-單元)，和基本的邏輯單元，IMEC指出。 　　14納米PDK作為IMEC Insite合作研究項目的一部分而開發(fā)，曾有報道稱Altera公司、NVIDIA公司與美國高通公司都是
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IMEC宣布第一個300mm晶圓兼容定向組裝工藝生產(chǎn)線

  • 　　IMEC宣布成功研發(fā)出世界上第一個300毫米晶圓相容的定向自組裝(DSA)的工藝生產(chǎn)線。與美國威斯康星大學，安智電子材料和東京電子IMEC的DSA合作目的，以解決關(guān)鍵的障礙，實現(xiàn)從學術(shù)DSA合作實驗室規(guī)模到大批量制造環(huán)境的升級。
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Holst中心和IMEC推出下一代柔性O(shè)LED顯示器

  • 　　近日，Holst中心和IMEC推出其下一代的柔性O(shè)LED(有機發(fā)光二極管)顯示器的新研究方案，基于其成熟的技術(shù)跟蹤記錄，并在相關(guān)領(lǐng)域如有機氧化物晶體管和柔性O(shè)LED照明等現(xiàn)有合作研究中伙伴的良好基礎(chǔ)，新方案的主要目標是建立一個經(jīng)濟可伸的路線，以及大批量的柔性有源矩陣 OLED顯示器的制造。共享程序與其合作者將匯集來自整價值鏈的解決方案，如高分辨率，低功耗，大面積，靈活性和重量輕等。 　　最先進的 OLED顯示器小巧并且使用靈便，應(yīng)用在智能手機和平板電腦中，它們的特點與傳統(tǒng)的LCD由OLED像素發(fā)出只
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日企與IMEC開發(fā)出效率超21％異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池

  • 　　日本KANEKA與比利時IMEC近日宣布，共同開發(fā)出了集電極材料采用銅(Cu)而非銀(Ag)的6英寸(約15cm)見方異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，獲得了21%以上的轉(zhuǎn)換效率。 　　異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池是指pn結(jié)由微晶硅和結(jié)晶硅等不同狀態(tài)的硅材料構(gòu)成的太陽能電池。此次KANEKA與IMEC在集電極形成技術(shù)上采用鍍銅技術(shù)，取代了原來一直采用的銀絲網(wǎng)印刷技術(shù)。
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imec介紹

IMEC,全稱為Interuniversity Microelectronics Centre, 微電子研究中心. 　　IMEC成立于1984年，目前是歐洲領(lǐng)先的獨立研究中心，研究方向主要集中在微電子，納米技術(shù)，輔助設(shè)計方法，以及信息通訊系統(tǒng)技術(shù)（ICT）. IMEC 致力于集成信息通訊系統(tǒng)設(shè)計；硅加工工藝；硅制程技術(shù)和元件整合；納米技術(shù)，微系統(tǒng)，元件及封裝；太陽能電池；以及微電子領(lǐng)域的高級培訓 [ 查看詳細 ]

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