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Imec和瑞薩推出新一代高帶寬無線接收器的ADC

—— 世界首款11位250Msps SAR ADC實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的低功耗 - 僅1.7mW
作者: 時間:2012-05-14 來源:電子產品世界 收藏

  在本周舉辦的國際固態(tài)電路研討會(ISSCC2012)上,電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“電子”)推出了創(chuàng)新型SAR-(逐次比較性模數轉換器),大幅提升了能效和速度,面向符合新一代高帶寬標準要求的無線接收器,例如LTE-advanced和新興的Wi-Fi(IEEE802.11ac)?! ?/p>本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/132344.htm


電子開發(fā)的SAR

 

  SAR 具有能效高和外形小巧的特點,從而讓該架構對各種無線應用都極具吸引力。SAR ADC是那些具有中等分辨率和采樣頻率的應用的首選架構。然而,符合新一代高帶寬標準(如LTE-advanced和新一代Wi-Fi)要求的無線接收器需要速度更高的ADC。這種新型SAR ADC架構由和瑞薩電子合作開發(fā)而成,滿足了對更快速的小型低功耗ADC的需求。新推出的ADC是一款超低功耗(1.7mW)、高分辨率(11位)、全動態(tài)、兩步式交織流水線SAR ADC,在高達250Msps的采樣速率下實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的高能效 - 每轉換步10fJ。它大幅提升了速率和采樣頻率,比現(xiàn)有的高級ADC IP模塊均高一個數量級。

  這是通過基于imec先前的創(chuàng)新型ADC設計的新型轉換器架構實現(xiàn)的,巧妙地抓住了現(xiàn)代高級CMOS技術創(chuàng)造的機遇。設計采用全動態(tài)電路,這樣功耗就與采樣頻率呈線性變化關系,最大限度地實現(xiàn)了數字化,比較器是僅有的模擬模塊。

  ADC原型采用40nm CMOS工藝制造而成,核心芯片面積為0.066平方毫米。測量顯示DNL(微分直線型誤差)和INL(積分直線型誤差)分別為0.8/-0.5和1.1/-1.5 LSB。動態(tài)性能表現(xiàn)為在10Msps的速率下實現(xiàn)了62dB的SNDR(10.0 ENOB),而在高達250Msps的采樣速率下則能保持9.5 ENOB的水平。功耗為6.9pJ/轉換(70µW@10Msps和1.7mW 250Msps),從而實現(xiàn)了每轉換步7~10fJ的高能效。

  在ISSCC上,imec和瑞薩電子還推出了一種連接ADC架構與整個無線電架構的新方法。為了提高整個接收器系統(tǒng)的能效和避免電壓型ADC系統(tǒng)內的大型輸入電容器帶來的問題,利用3.2-51.2mSiemens電流型可變增益跨導器(VGA)來驅動電荷型SAR ADC,而不會產生多余的消耗,大幅降低整個系統(tǒng)的總功耗降。采用40nm CMOS工藝制造而成的10位10-80Msps VGA-ADC在達到70dB的動態(tài)范圍的同時,實現(xiàn)了5.45mA以下的低電流(在1.1V的電源電壓下)。

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關鍵詞: 瑞薩 imec ADC

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