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臺積電高雄廠已完成2nm營運團隊建設,未來或切入1.4nm

作者: 時間:2023-10-25 來源:全球半導體觀察 收藏

據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報報道,高雄廠正式編定為臺積22廠(Fab 22),并且完成該廠營運團隊建設。供應鏈認為,或許可能將高達逾7000億新臺幣的投資計劃轉向高雄,但仍視其他縣市爭取臺積電進駐態(tài)度及臺積電全盤規(guī)劃而定。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202310/452057.htm

報道指出,臺積電打破在不同產區(qū)同時生產最先進制程的慣例,將高雄廠原計劃切入28納米及7納米的規(guī)劃,改為直接切入2納米。同時在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際,也立刻于高雄第一期工廠作為生產2納米制程。

此前據(jù)TechNews消息,臺積電在北部(新竹寶山)、中部(臺中中科)和南部(高雄楠梓)都有重大投資,興建工廠。

據(jù)了解,新竹寶山廠第一廠初期月產能約達3萬片;高雄廠則計劃在寶山廠量產隔年也著手2納米強化版N2P的量產作業(yè),初期規(guī)劃月產能也會在2萬片以上。

臺積電在制程節(jié)點將首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管,同時制造過程仍依賴于極紫外線(EUV)光刻技術,原計劃2024年末將做好風險生產的準備,并在2025年末進入大量生產,客戶在2026年就能收到首批采用N2制程制造的芯片。



關鍵詞: 臺積電 2nm 1.4nm

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