先進制程之戰(zhàn)：三星/英特爾/臺積電動態(tài)跟蹤

近期，三星電子旗下晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry 透露，已開始跟大型芯片客戶接洽，準備提供1.4nm及2nm制程的服務(wù)。

據(jù)朝鮮日報報道，對于三星率先量產(chǎn)3nm（環(huán)繞式閘極，gate-all-around，GAA）制程、大客戶方面卻不如臺積電的言論，Samsung Foundry科技長Jeong Ki-tae近日在韓國國際會議暨展示中心（COEX）舉行的2023年半導(dǎo)體博覽會（Semiconductor Expo 2023）表示，晶圓代工客戶大約需要3年才能做出最終購買決定。三星正在跟大客戶接洽，可能在未來幾年展現(xiàn)成果。

Jeong表示，GAA制程是一種可以延續(xù)到未來的技術(shù)，鰭式場效電晶體（FinFET）制程則無法更加精進，公司已在跟大客戶討論2nm、1.4nm等未來制程。

晶圓代工先進制程進展如何？

相較于成熟制程，先進制程更適用于追求高性能、低功耗的領(lǐng)域。隨著AI、高性能計算等新興技術(shù)的驅(qū)動下，先進制程需求持續(xù)增長，半導(dǎo)體巨頭們執(zhí)迷追求新技術(shù)研發(fā)，芯片先進制程已從5nm、4nm、發(fā)展至3nm，未來還有可能到達2nm、1.4nm。

從當前大廠研發(fā)進度看，三星已量產(chǎn)第二代3nm芯片，并計劃2025年底前推出2nm制程、2027年底前推出1.4nm制程；

臺積電預(yù)計N3P將于2024年下半年投產(chǎn)，N3X、2nm工藝計劃2025年進入量產(chǎn)階段。臺積電介紹，公司將在2nm制程節(jié)點首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，相較于N3E ，該工藝在相同功耗下，速度最快將可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30% ，同時芯片密度增加大于15% 。

英特爾正努力推進“四年五個制程節(jié)點”計劃，目前其Intel 7和Intel 4已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)；Intel 3制程預(yù)計在今年下半年可進入準備量產(chǎn)階段，后續(xù)Intel 20A與18A制程則分別計劃于2024年上、下半年也進入準備量產(chǎn)階段。

此外，業(yè)界認為，可能在接下來的短期內(nèi)，英特爾在先進制程晶圓代工領(lǐng)域會以Intel 3制程為主打，以應(yīng)對臺積電、三星等業(yè)者的競爭。