大聯(lián)大詮鼎集團推出基于Innoscience產(chǎn)品的1KW DC/DC電源模塊方案

2024年1月18日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件的1KW DC/DC電源模塊方案。 

圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的1KW DC/DC電源模塊方案的展示板圖

隨著“雙碳”概念的逐漸深入，智能化和低碳化已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心的兩大“確定性”發(fā)展趨勢。據(jù)知名機構(gòu)Research調(diào)查顯示，現(xiàn)有的采用Si方案的數(shù)據(jù)中心整體功率轉(zhuǎn)換能效大約為75%，而采用GaN器件則可將能源效率提升到87.5%。其中，DC/DC 48V-12V環(huán)節(jié)在整個鏈路中扮演了重要角色。在這種背景下，大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件推出1KW DC/DC電源模塊方案，其利用氮化鎵寄生結(jié)電容小的特點，配合磁集成方案，將開關(guān)頻率提升至1MHz，具有高效率和高功率密度特性。  

圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的1KW DC/DC電源模塊方案的場景應(yīng)用圖

本方案采用全橋LLC DCX拓撲結(jié)構(gòu)，固定變比為4：1，支持48V輸入轉(zhuǎn)12V輸出，集成Innoscience旗下兩顆100V InnoGaN ISG3201和八顆INN040LA015A低壓GaN芯片。ISG3201是一顆耐壓100V的半橋氮化鎵合封芯片，其通過內(nèi)部集成驅(qū)動器，優(yōu)化驅(qū)動回路和功率回路，顯著降低寄生電感和開關(guān)尖峰，進一步提高1KW 48電源模塊系統(tǒng)的整體性能和可靠性。不僅如此，該芯片還具有獨立的高側(cè)和低側(cè)PWM信號輸入，并支持TTL電平驅(qū)動，可由專用控制器或通用MCU進行驅(qū)動控制，是數(shù)據(jù)中心模塊電源，電機驅(qū)動以及D類功率放大器等48V電源系統(tǒng)的最佳選擇。

INN040LA015A是一顆耐壓40V導阻1.5mΩ的增強型氮化鎵晶體管，其采用FCLGA 5*4封裝，體積小巧，同時具備極低柵極電荷和導通電阻，且反向恢復(fù)電荷為零，不僅可以降低占板面積，而且具有更高的開關(guān)頻率，能夠為系統(tǒng)提供更高的動態(tài)響應(yīng)。 

圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的1KW DC/DC電源模塊方案的方塊圖

本方案能夠以39mm×26mm×7.5mm的尺寸為數(shù)據(jù)中心帶來高功率密度與低損耗的優(yōu)勢。在實際測試中，輸入電壓48V、輸出12V/30A時，峰值效率可達98%；輸入電壓48V、輸出12V/85A時，滿載效率可達96.29%。未來，隨著數(shù)據(jù)中心向更高效與更智能的方向發(fā)展，氮化鎵也將成為重要綠色革命的關(guān)鍵角色，在這個進程中，大聯(lián)大與Innoscience將持續(xù)研發(fā)以氮化鎵為核心的解決方案，為數(shù)字時代賦能。

核心技術(shù)優(yōu)勢：

 高效率：98%@48V-12V/30A；

 高頻率：1MHz；

 高功率密度：2150W/in³；

 超小體積：39mm×26mm×7.5mm。

方案規(guī)格：

 尺寸：39mm×26mm×7.5mm；

 效率：

?峰值效率：98%@12V/30A；

?滿載效率：96.29%@12V/85A；

 功率密度：2150W/in³。