基礎(chǔ)知識之SiC功率器件

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。 SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。 用于功率器件制作，4H-SiC最為合適。

SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，因此與Si器件相比，能夠以具有更高的雜質(zhì)濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數(shù)千V的高耐壓功率器件。 高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導(dǎo)通電阻非常低的高耐壓器件。

理論上，相同耐壓的器件，SiC的單位面積的漂移層阻抗可以降低到Si的1/300。 而Si材料中，為了改善伴隨高耐壓化而引起的導(dǎo)通電阻增大的問題，主要采用如IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor : 絕緣柵極雙極型晶體管）等少數(shù)載流子器件（雙極型器件），但是卻存在開關(guān)損耗大 的問題，其結(jié)果是由此產(chǎn)生的發(fā)熱會限制IGBT的高頻驅(qū)動。 SiC材料卻能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的多數(shù)載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現(xiàn)高耐壓，從而同時實現(xiàn) “高耐壓”、“低導(dǎo)通電阻”、“高頻” 這三個特性。 另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。

SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。

因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。 有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。

SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。 開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度設(shè)計得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時的漏電流增大。 ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。 SiC-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。 不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。

Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從正向切換到反向的瞬間會產(chǎn)生極大的瞬態(tài)電流，在此期間轉(zhuǎn)移為反向偏壓狀態(tài)，從而產(chǎn)生很大的損耗。 這是因為正向通電時積聚在漂移層內(nèi)的少數(shù)載流子不斷地進(jìn)行電傳導(dǎo)直到消亡（該時間也稱為積聚時間）。 正向電流越大，或者溫度越高，恢復(fù)時間和恢復(fù)電流就越大，從而損耗也越大。 與此相反，SiC-SBD是不使用少數(shù)載流子進(jìn)行電傳導(dǎo)的多數(shù)載流子器件（單極性器件），因此原理上不會發(fā)生少數(shù)載流子積聚的現(xiàn)象。由于只產(chǎn)生使結(jié)電容放電程度的小電流，所以與Si-FRD相比，能夠明顯地減少損耗。 而且，該瞬態(tài)電流基本上不隨溫度和正向電流而變化，所以不管何種環(huán)境下，都能夠穩(wěn)定地實現(xiàn)快速恢復(fù)。 另外，還可以降低由恢復(fù)電流引起的噪音，達(dá)到降噪的效果。