臺積電計劃 2025 年推出 N4C 工藝,相比 N4P 成本最高降幅 8.5%
IT之家 4 月 26 日消息,臺積電近日展示了全新 4nm 級別生產(chǎn)工藝 N4C,通過顯著降低成本和優(yōu)化設(shè)計能效,進一步增強 5nm 級別生產(chǎn)工藝。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202404/458129.htm臺積電公司近日舉辦了 2024 北美技術(shù)研討會,IT之家翻譯該公司業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁張凱文內(nèi)容如下:
我們的 5nm 和 4nm 工藝周期還未結(jié)束,從 N5 到 N4,光學(xué)微縮密度改進了 4%,而且我們會繼續(xù)增強晶體管性能。
我們現(xiàn)在為 4nm 技術(shù)陣容引入 N4C 工藝,讓我們的客戶能夠消除一些掩模并改進標(biāo)準(zhǔn)單元和 SRAM 等原始 IP 設(shè)計,以進一步降低總體產(chǎn)品級擁有成本。
N4C 工藝進一步擴充了臺積電 N5 / N4 節(jié)點系列陣容,建立在 N4P 工藝技術(shù)上,通過重新設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)單元和 SRAM 單元、改變一些設(shè)計規(guī)則以及減少使用的掩模層數(shù)量,成本比 N4P 最多可以降低 8.5%。
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