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臺(tái)積電開(kāi)發(fā)N4e制程滿足物聯(lián)網(wǎng)需求,另提升特殊制程產(chǎn)能50%

作者: 時(shí)間:2024-05-21 來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

年度技術(shù)論壇的歐洲場(chǎng),向客戶展示N4e新型低功耗節(jié)點(diǎn),并未出現(xiàn)過(guò)藍(lán)圖。 表示,幾年內(nèi)將把特殊制程晶圓廠產(chǎn)能提高50%。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202405/458994.htm

Anandtech報(bào)道,計(jì)劃「四至五年」內(nèi),將特殊制程晶圓廠產(chǎn)能大幅提高50%,修改晶圓廠空間,建造Greenfield新晶圓廠。 臺(tái)積電將興建低功耗4納米節(jié)點(diǎn),稱為N4e,臺(tái)積電官方藍(lán)圖將N4e加入N4P和N4X行列。

尚不清楚 N4e 工藝可能有哪些客戶或應(yīng)用使用,但可能專門給物聯(lián)網(wǎng)和其他需要消耗電力的設(shè)備。 通常應(yīng)用都采成熟制程,因相對(duì)廉價(jià)設(shè)備用成本太高。 臺(tái)積電為需求做好規(guī)劃,因計(jì)劃要到2029年左右才能落實(shí)。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外營(yíng)運(yùn)副總經(jīng)理張曉強(qiáng)強(qiáng)調(diào),已開(kāi)始建造N4e節(jié)能制程產(chǎn)線。 張曉強(qiáng)未透露產(chǎn)線位置,產(chǎn)線快速部署是臺(tái)積電第一次基本上跳過(guò)漫長(zhǎng)審查過(guò)程,并開(kāi)始進(jìn)行。

張曉強(qiáng)強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電強(qiáng)化全球供應(yīng)鏈彈性,這種彈性透過(guò)臺(tái)灣以外建造晶圓廠,以及增加未來(lái)需要節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能。 現(xiàn)在臺(tái)積電最先進(jìn)低功耗制程是N6e,是使用0.4V~0.9V電壓的6/7納米制程。 消息指臺(tái)積電希望將N4e電壓一路降至0.4V,但研討會(huì)并未提到性能或?qū)傩栽敿?xì)信息。



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