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優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備通過技術(shù)鑒定

作者: 時間:2024-06-12 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

6月7日,蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡稱“”)宣布電阻法獲行業(yè)專家認(rèn)可,成功通過技術(shù)鑒定評審。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202406/459825.htm

鑒定委員會認(rèn)為,電阻法晶體生長設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大,創(chuàng)新性強(qiáng),突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術(shù)瓶頸,擁有自主知識產(chǎn)權(quán),經(jīng)濟(jì)效益顯著。

資料顯示,成立于2010年12月,專注于大尺寸(6英寸及以上)導(dǎo)電型晶體生長設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC,經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化,目前已推出至第四代機(jī)型——UKING ERH SiC RV4.0電阻法SiC長晶設(shè)備,可用于6英寸、量產(chǎn)。

據(jù)了解,此前4月,優(yōu)晶半導(dǎo)體最新出口至某國際知名客戶的大尺寸電阻法長晶設(shè)備已順利通過驗(yàn)收,標(biāo)志著優(yōu)晶科技國際業(yè)務(wù)取得突破。此次出口的SiC電阻法長晶設(shè)備,是優(yōu)晶科技根據(jù)市場需求研發(fā)的第四代產(chǎn)品,設(shè)備的穩(wěn)定性、可靠性、工藝水準(zhǔn)均有提升。



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