信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(zhǎng)帶來(lái)了有力輔助

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來(lái)新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(zhǎng)帶來(lái)了有力輔助。

2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長(zhǎng)的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應(yīng)樣品。

圖片來(lái)源：信越化學(xué)

從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產(chǎn)線來(lái)生產(chǎn)GaN，但由于缺乏適合GaN生長(zhǎng)的大直徑基板，因此無(wú)法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù)，可實(shí)現(xiàn)大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長(zhǎng)，并抑制SEMI標(biāo)準(zhǔn)厚度的QST襯底上GaN外延層的“翹曲”或“裂紋”，從而大大降低了器件成本。

資料顯示，QSTTM襯底是美國(guó)Qromis公司開發(fā)的專用于GaN生長(zhǎng)的復(fù)合材料，并于2019年授權(quán)給信越化學(xué)。QSTTM是Qromis的美國(guó)商標(biāo)（注冊(cè)號(hào)5277631）。目前，信越化學(xué)已銷售了150毫米（6英寸）、200毫米（8英寸）QST襯底，以及QST外延襯底上的GaN，如今公司還開發(fā)出300mmQST基板。信越化學(xué)表示，在擴(kuò)大150mm和200mmQST基板設(shè)施的同時(shí)，公司還將致力于300mmQST基板的量產(chǎn)。

信越化學(xué)稱，利用這一特性，許多客戶正在評(píng)估QSTTM襯底和QSTTM外延襯底上的GaN，用于功率器件、高頻器件和LED。盡管商業(yè)環(huán)境充滿挑戰(zhàn)，但客戶已進(jìn)入實(shí)用化開發(fā)階段，應(yīng)對(duì)功率器件（包括數(shù)據(jù)中心電源）日益增長(zhǎng)的需求。

01氮化鎵襯底廠商，動(dòng)態(tài)頻頻

氮化鎵整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈可細(xì)分為襯底、外延、晶圓代工、芯片設(shè)計(jì)四個(gè)環(huán)節(jié)，而襯底（Substrate）是產(chǎn)業(yè)鏈的源頭。從制備難度上看，不同于Si和SiC芯片，GaN的外延片通常用的是異質(zhì)襯底，藍(lán)寶石、碳化硅、硅等是氮化鎵外延片主流的異質(zhì)襯底材料。相對(duì)于常規(guī)半導(dǎo)體材料，GaN單晶的生長(zhǎng)進(jìn)展緩慢，晶體尺寸小且成本高，當(dāng)前的GaN基器件主要基于異質(zhì)襯底制作而成，使得GaN單晶襯底及同質(zhì)外延器件的發(fā)展落后于基于異質(zhì)外延器件的應(yīng)用。

目前，GaN外延技術(shù)常用的主要是HPVE（氫化物化學(xué)氣相外延）、氨熱法（Ammonothermal）、 助熔劑法/鈉流法（Na Flux Method）三種，還有一些廠商采用PVD（物理氣相傳輸法）、MOCVD（金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積）、MBE（分子束外延）、CVD（化學(xué)氣相沉積）等方法。

從市場(chǎng)格局上看，國(guó)外襯底廠商主要有日本住友化學(xué)（SCIOCS）、日本礙子（NGK）、日本三菱（Mitsubishi）、日本古河電氣（Furukawa）、波蘭Ammono、美國(guó)Kymatech。國(guó)內(nèi)襯底廠商主要是蘇州納維 (Nanowin)、東莞中鎵( Sino Nitride)。
今年來(lái)，氮化鎵襯底研發(fā)有了新動(dòng)態(tài)。今年1月，據(jù)日媒報(bào)道，住友化學(xué)已經(jīng)成功建立4英寸氮化鎵襯底的量產(chǎn)技術(shù)，將從2024年開始與客戶協(xié)調(diào)量產(chǎn)事宜，還將提供GaN on GaN垂直型外延產(chǎn)品。

據(jù)悉，阜陽(yáng)師范大學(xué)科研處于3月1日到訪鎵數(shù)氮化物產(chǎn)業(yè)研究院，就“4英寸氮化鎵單晶襯底制備關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目展開調(diào)研。該GaN項(xiàng)目為阜陽(yáng)市校合作產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院項(xiàng)目，目前鎵數(shù)中試線能夠順利生產(chǎn)4英寸氮化鎵單晶襯底，6英寸和更大尺寸的氮化鎵單晶尚在技術(shù)攻堅(jiān)過(guò)程中。

資料顯示，鎵數(shù)氮化物產(chǎn)業(yè)研究院成立于2022年，經(jīng)營(yíng)范圍包括新材料技術(shù)研發(fā)、半導(dǎo)體分立器件制造等。

3月8日，據(jù)日媒報(bào)道，日本大阪大學(xué)（Osaka University）、豐田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN襯底開發(fā)項(xiàng)目取得了新進(jìn)展，已成功制備高質(zhì)量6英寸GaN襯底。豐田合成借助了大阪大學(xué)新開發(fā)的技術(shù)成功制備缺陷密度為104/ cm2的6英寸GaN襯底，該技術(shù)結(jié)合了Na助焊劑法和多點(diǎn)晶種法，兼具高質(zhì)量及易擴(kuò)徑的優(yōu)點(diǎn)。此外，以該技術(shù)為基礎(chǔ)，他們將開發(fā)兼容8英寸或更大尺寸的晶體生長(zhǎng)設(shè)備，用于未來(lái)進(jìn)一步開發(fā)大尺寸襯底。

02氮化鎵：第二次電力電子學(xué)革命催化劑

從原理上看，氮化鎵是由鎵（原子序數(shù)31）和氮（原子序數(shù)7）結(jié)合而來(lái)的化合物，是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這里的禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量。而氮化鎵的禁帶寬度為3.4eV，是硅的3倍多，故氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。

Source:GaN Wurtzite crystal structure, Wikipedia

由于氮化鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快100倍。而由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。從氮化鎵目前的發(fā)展來(lái)看，據(jù)業(yè)界披露，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過(guò)800V的電壓，其漏極漂移區(qū)為10-20μm，或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。不過(guò)氮化鎵器件目前仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于約300V/μm的禁帶寬度極限，這意味著還有巨大的改進(jìn)和優(yōu)化空間。

此外，據(jù)業(yè)界稱，氮化鎵的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍，并且氮化鎵功率芯片將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。據(jù)業(yè)界估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40% 的能源浪費(fèi)，相當(dāng)于節(jié)省了 100 兆瓦時(shí)太陽(yáng)能和1.25 億噸二氧化碳排放量。

圖片來(lái)源：Navitas

03GaN發(fā)展，再次提速

近年來(lái)，氮化鎵已在消費(fèi)（如電源適配器）和工業(yè)如數(shù)據(jù)中心電源和太陽(yáng)能逆變器）已得到廣泛采用。從目前發(fā)展應(yīng)用情況來(lái)看，消費(fèi)電子仍是其重要的下游市場(chǎng)，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)、AI、汽車等行業(yè)對(duì)氮化鎵的需求也在不斷增強(qiáng)。

具體來(lái)看，在汽車行業(yè)，氮化鎵正成為新能源汽車領(lǐng)域中，電源轉(zhuǎn)換和電池充電的首選技術(shù)。Transphorm（現(xiàn)Renesas-瑞薩電子）于2017年發(fā)布的第一個(gè)符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的功率GaN產(chǎn)品，截至目前已有多家廠商推出豐富的汽車級(jí)產(chǎn)品。TrendForce集邦咨詢稱，雖然GaN進(jìn)入Inverter、OBC等動(dòng)力系統(tǒng)組件還面臨著多個(gè)技術(shù)問(wèn)題，但相信在英飛凌、瑞薩等汽車芯片大廠的持續(xù)投資推動(dòng)下，GaN不久就會(huì)成為汽車功率組件中的關(guān)鍵角色。

在消費(fèi)電子領(lǐng)域，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，消費(fèi)電子是功率GaN產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng)，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機(jī)等領(lǐng)域。具體而言，GaN已經(jīng)在低功率的手機(jī)快速充電器中被大規(guī)模采用，下一步GaN將進(jìn)入可靠性要求更為嚴(yán)格的筆電、家電電源。另外，其他蘊(yùn)藏潛力的消費(fèi)場(chǎng)景包括Class-D Audio、Smartphone OVP等。

其他領(lǐng)域，從市場(chǎng)來(lái)看，氮化鎵越來(lái)越多地出現(xiàn)在太陽(yáng)能發(fā)電裝置采用的逆變器中，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他工業(yè)電源轉(zhuǎn)換的方案中。此外在AI領(lǐng)域，面對(duì)更高端的AI運(yùn)算，服務(wù)器電源的效能、功率密度必須進(jìn)一步提高，氮化鎵因其優(yōu)秀的特性備受關(guān)注。今年，英飛凌與納微半導(dǎo)體均公布了針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的技術(shù)路線圖，將液冷技術(shù)與GaN相結(jié)合，在較低結(jié)溫下具有明顯的優(yōu)勢(shì)，為數(shù)據(jù)中心提供了巨大的機(jī)會(huì)，可以最大程度地提高效率，滿足不斷增長(zhǎng)的電力需求，并克服服務(wù)器發(fā)熱量不斷增加所帶來(lái)的挑戰(zhàn)。業(yè)界稱，隨著AI應(yīng)用普及，GaN有望成為減熱增效的關(guān)鍵解決技術(shù)之一。

展望氮化鎵市場(chǎng)前景，據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)