2025年存儲器市場的五大展望

存儲器市場，包括DRAM和NAND，預計在2025年將實現顯著增長，這主要得益于人工智能（AI）及相關技術的加速采用。在探索這些市場的復雜性時，出現了幾個關鍵趨勢，預計這些趨勢將塑造市場格局。以下是未來一年內存市場的五大展望，以及一個可能打亂一切的潛在不利因素。

• AI持續(xù)推動對高帶寬內存（HBM）的關注

隨著AI的興起，特別是在機器學習和深度學習等數據密集型應用中，對高帶寬內存（HBM）的需求空前高漲。預計HBM出貨量將同比增長70%，因為數據中心和AI處理器越來越多地依賴這種類型的存儲器來處理低延遲的大量數據。HBM需求的激增預計將重塑DRAM市場，制造商將優(yōu)先生產HBM，而不是傳統(tǒng)的DRAM產品。

• AI推動對大容量SSD和QLC NAND技術的需求

隨著AI繼續(xù)滲透各行各業(yè)，對大容量固態(tài)硬盤（SSD）的需求也在上升。這對于需要大量數據存儲和快速檢索時間的AI工作負載尤其如此。因此，預計QLC NAND技術的采用率將增加，該技術以較低的成本提供更高的密度。盡管QLC SSD的寫入速度比其他NAND類型慢，但由于其成本效益和適合AI驅動的數據存儲需求，它們將獲得更多青睞。預計數據中心NAND bit 需求增長繼2024年約70%的爆炸性增長之后，將在2025年超過30%。

• 資本支出（Capex）投資大幅轉向DRAM和HBM

受AI應用激增的推動，內存市場的資本支出（capex）越來越多地流向DRAM，特別是HBM。隨著制造商擴大產能以滿足日益增長的需求，DRAM資本支出預計將同比增長近20%。然而，這一轉變導致對NAND生產的投資極少，可能在市場上造成潛在的供應瓶頸。NAND領域的盈利能力持續(xù)改善，這可能會在 2026 年重新點燃該領域的投資熱情。

• 邊緣AI開始嶄露頭角，但要到2026年才會產生顯著影響

邊緣AI將AI處理功能更接近智能手機和PC等設備的數據源，預計將在2025年進入市場。然而，該技術的全面影響要到2026年才會顯現。具有真正設備端AI功能的設備預計將在2025年底推出，但銷量可能不足以立即影響存儲器市場。真正的轉變應該發(fā)生在2026年，隨著邊緣AI變得更加普及，將推動對適合這些新功能的內存解決方案的需求。

• 數據中心AI重點延遲了傳統(tǒng)服務器更換周期

對AI驅動的數據中心的關注導致傳統(tǒng)服務器基礎設施的更換周期延遲。許多企業(yè)正在將資源轉移到升級其AI能力上，導致傳統(tǒng)服務器需要更新。雖然這種延遲在短期內可能是可控的，但在某個時候，這些服務器將需要更新，這可能會推動DRAM和NAND需求的突然激增。這種延遲的更換周期一旦發(fā)生時，可能會推動存儲器需求顯著增加。