電子及材料相關(guān)術(shù)語

電子及材料相關(guān)術(shù)語

1、Admittance 導(dǎo)納
指交流電路中，其電流在導(dǎo)體中流動的難易程度，亦即為"阻抗 Impedance"的倒數(shù)。

2、Aluminium Nitride(AIN)　氮化鋁
是一種相當(dāng)新式的陶瓷材料，可做為高功率零件急需散熱的封裝材料。此氮化鋁之導(dǎo)熱度極佳，可達(dá) 200m2/K，遠(yuǎn)高于鋁金屬的 20m2/K，且其熱脹系數(shù) (TCE) 也十分接近半導(dǎo)體晶粒的3.0，成為一種 IC的良好封裝材料，有替代氧化鈹(BeO)及氧化鋁(Al2O3)等陶瓷材料的可能性。

3、Analog Circuit／Analog Signal　模擬電路／模擬訊號
如左圖當(dāng)逐漸旋轉(zhuǎn)電位器之旋鈕，使輸入電流慢慢變化即可得到一種"模擬訊號"。所謂"模擬"是指輸出訊號針對輸入訊號做比較時，其間存在著一些類似或形成一定比例的變化量，采用此種方式組成的電路系統(tǒng)稱為"模擬電路"(如麥克風(fēng))。其中傳輸?shù)挠嵦杽t稱為"模擬訊號"，多以正弦波表示之。又如左圖的一個電子計算器，系按0～9以十進(jìn)制制輸入。但在計算內(nèi)部卻是另采 0 與 1 的二進(jìn)制制進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。兩者不同進(jìn)位數(shù)字之間是利用編碼和譯碼器予以溝通，使得在輸出方面又回到十進(jìn)制制。以此種方式組成的電路系統(tǒng)稱為 "數(shù)字電路" 。其中傳輸?shù)挠嵦柗Q為 "數(shù)字訊號" ，系采低準(zhǔn)位的 0 與高準(zhǔn)位的 1 所組成的方波形式表示之。早期在 0 與 1 之間的電位差是5V，但為省電起見，新式個人計算機(jī)的邏輯運(yùn)算方面已降壓至3.3V。不久將來當(dāng)硬件組件的精度再度提升后，還會再降壓至2.5V，其極限電位差應(yīng)在1.5V。

4、Attenuation　訊號衰減
指高頻訊號于導(dǎo)體中傳輸時，在振幅電壓(能量)方面的衰減而言，無論模擬訊號或數(shù)字訊號，都會因電路板的板材與制做各異，而出現(xiàn)不同程度的衰減。

5、Balanced Transmission Lines　平衡式傳輸線
指傳輸線體系中的訊號線，是由兩條并行線并合而成。這種平衡電路 (Balanced Circuit ) 也稱為 "差動線對" ( Differential Pair) 或差動線 ( Differential Line) ，又稱為偶合 (Coupled) 式傳輸線。至于由單條訊號線所組成的傳輸線，則稱為"未平衡式傳輸線" (Unbalanced Transmission Lines)。此種雙條式"差動線"其特性阻抗值的量，須用到TOR的兩組"取樣器"(Sampling Header)，分別產(chǎn)生兩個梯階波(Step Wave)使進(jìn)入兩條訊號線中。若兩梯階波之極性相同時，則從示波器所得讀值稱為"偶模阻抗"，須再除以2始得"共模阻抗"(Zcm)。若二梯階波之極性相反時稱為"奇模阻抗"，須將讀值相減再除以2始得到"差動阻抗"。在現(xiàn)場實測時儀器的軟件將會自動計算而得到所需的Zo值。

6、Capacitive Coupling電容耦合
板面上相鄰兩導(dǎo)體間，因電容的積蓄能量而引發(fā)彼此各式額外的電性作用，甚至可能導(dǎo)致原有訊號的失真，稱為"電容耦合"。尤其在高頻高速訊號的細(xì)線密線板，這種相互干擾的行為，必須要盡量設(shè)法避免，以提升終端產(chǎn)品的整體性能，因而板材介質(zhì)數(shù)就非常講究，要愈低愈好。

7、Conductance 導(dǎo)電
是"電阻值"的顛倒詞，電阻值的單位是歐姆ohm，而導(dǎo)電值的單位也是倒過來的"姆歐 mho"，當(dāng)欲測其上限的電阻值時，則不如測"導(dǎo)電度值"來的方便。例如欲測板子清潔度時，即可測其抽出液導(dǎo)電的"姆歐"值。然而一般人比較懂得電阻的"歐姆"值，故還需要換算"電阻值"才比較容易認(rèn)同。

8、Creep 潛變
金屬材料在受到壓力或拉力下，會出現(xiàn)少許伸長性應(yīng)變，但當(dāng)壓力一直未消除，將逐漸老化而形成金屬疲勞。一旦超過其應(yīng)變伸長性的限度時，可能會出現(xiàn)斷裂的情形 (Rupture)，這種逐漸發(fā)生尺寸改變的情形稱為潛變。電路板上的焊點就有這種情形存在。

9、Conductivity 導(dǎo)電度
是指物質(zhì)導(dǎo)通電流的能力，以每單位電壓下所能通過的電流大小做為表達(dá)的數(shù)據(jù)，也同樣是以"姆歐"為單位。

10、Crystalline Melting Point晶體熔點
指物質(zhì)內(nèi)部結(jié)晶構(gòu)體崩解之溫度。

11、Doping 摻雜
指半導(dǎo)體的高純度"硅元素"中，為了改變其導(dǎo)電特性，而刻意加入少量的某種雜質(zhì)，以得到所需要的物理性質(zhì)，此種"摻雜"謂之 Doping。

12、Electro-migration電遷移
在基板材料的玻璃束中，當(dāng)板子處于高溫高濕及長久外加電壓下，在金屬導(dǎo)體與玻璃束跨接之間，會出現(xiàn)絕緣失效的漏電情形稱為"電遷移"，又稱為CAF(Conductive Anodic Filaments)漏電。