車用TPMS傳感器技術的解析
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圖3 壓力、加速度與ASIC/MCU組合封裝在一個包裝內
圖4 壓力/溫度導入孔
圖5 硅壓阻式壓力傳感器結構
圖6 加速度傳感器平面結構圖
圖7 加速度傳感器切面結構圖
同樣，加速度傳感器也是用MEMS技術制作的，圖6是MEMS加速度傳感器平面結構圖，圖7是加速度傳感器切面結構圖，圖中間是一塊用MEMS技術制作的、可隨運動力而上下可自由擺動的硅島質量塊，在其與周邊固置硅連接的硅梁上刻制有一應變片，與另外三個刻制在固置硅上的應變片組成一個惠斯頓測量電橋，只要質量塊隨加速度力擺動，惠斯頓測量電橋的平衡即被破壞，惠斯頓測量電橋就輸出一個與力大小成線性的變化電壓△V。
壓力傳感器、加速度傳感器、ASIC/MCU是三個分別獨立的裸芯片，它們通過芯片的集成廠商整合在一個封裝的單元里，如圖8美國GE公司NPX2，圖9是去掉封裝材料后能清晰地看到這三個裸芯片，三個芯片之間的聯(lián)接、匹配也都做在其中了。
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