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不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)

作者: 時(shí)間:2013-01-29 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。常見(jiàn)電路有耗能式和回饋式緩沖電路?;仞伿接钟袩o(wú)源式和有源式兩種,詳細(xì)電路設(shè)計(jì)可參見(jiàn)所選用器件的技術(shù)手冊(cè)。

  橋臂共導(dǎo)損壞

  在UPS 中,逆變橋同臂支路兩個(gè)驅(qū)動(dòng)必須是互鎖的,而且應(yīng)該設(shè)置死區(qū)時(shí)間(即共同不導(dǎo)通時(shí)間)。如果發(fā)生共導(dǎo), 會(huì)迅速損壞。在控制電路應(yīng)該考慮到各種運(yùn)行狀況下的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題控制時(shí)序問(wèn)題。

  過(guò)熱損壞

  可通過(guò)降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強(qiáng)制風(fēng)扇制冷,設(shè)置過(guò)溫度保護(hù)等方法來(lái)解決過(guò)熱損壞的問(wèn)題。

  此外還要注意安裝過(guò)程中的靜電損壞問(wèn)題,操作人員、工具必須進(jìn)行防靜電保護(hù)。

  5. 結(jié)論

   兼具有功率MOSFET 和GTR 的優(yōu)點(diǎn),是UPS 中的充電、旁路開(kāi)關(guān)、逆變器,整流器等功率變換的理想器件。

  只有合理運(yùn)用,并采取有效的保護(hù)方案,才可能提高IGBT 在UPS 中的可靠性。

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