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不間斷電源中的IGBT應用總結(jié)

作者: 時間:2013-01-29 來源:網(wǎng)絡 收藏
特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。常見電路有耗能式和回饋式緩沖電路?;仞伿接钟袩o源式和有源式兩種,詳細電路設計可參見所選用器件的技術(shù)手冊。

  橋臂共導損壞

  在UPS 中,逆變橋同臂支路兩個驅(qū)動必須是互鎖的,而且應該設置死區(qū)時間(即共同不導通時間)。如果發(fā)生共導, 會迅速損壞。在控制電路應該考慮到各種運行狀況下的驅(qū)動問題控制時序問題。

  過熱損壞

  可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導熱膠,強制風扇制冷,設置過溫度保護等方法來解決過熱損壞的問題。

  此外還要注意安裝過程中的靜電損壞問題,操作人員、工具必須進行防靜電保護。

  5. 結(jié)論

   兼具有功率MOSFET 和GTR 的優(yōu)點,是UPS 中的充電、旁路開關(guān)、逆變器,整流器等功率變換的理想器件。

  只有合理運用,并采取有效的保護方案,才可能提高IGBT 在UPS 中的可靠性。

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