PIC單片機(jī)之16C84單片機(jī)介紹（二）

作者：時(shí)間：2012-11-14 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

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OUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">　　量TOCS為1(OPTION5>)選擇TMRO為計(jì)數(shù)器方式。這種方式下 TM?RO將對(duì)RA4/TOCK1引腳上出現(xiàn)的上跳變或下跳變加1。清0TOSE(OPTION4>)選擇上跳變否則為下跳變。有關(guān)預(yù)分頻器的使用與PIC16C6X系列相同。當(dāng)TMRO在計(jì)時(shí)/計(jì)數(shù)器方式下其值由FFH到00H時(shí)產(chǎn)生溢出中斷，這個(gè)溢出中斷將置TOIF位為1。此中斷可以TOIE位為0來(lái)屏蔽。要能再次產(chǎn)生中斷，必須在中斷服務(wù)程序中，通過(guò)軟件使TOIF清0，TMRO中斷不可以用來(lái)喚醒芯片。因?yàn)樵赟LEEP狀態(tài)下，計(jì)時(shí)器是關(guān)閉的。

　　如何使用TMRO的外部時(shí)鐘，外部時(shí)鐘的同步問(wèn)題，預(yù)分頻器的使用等，參看PIC16C6X系列關(guān)于TMRO的技術(shù)性能。

七、數(shù)據(jù)EEPROM存儲(chǔ)器

　　數(shù)據(jù)EEPROM存儲(chǔ)器在滿電源電壓(VDD)時(shí)，正常操作期間是可讀，可寫(xiě)的，這部分存儲(chǔ)器不能直接映象到寄存器文件空間，只有通過(guò)專用功能寄存器經(jīng)間接尋址來(lái)訪問(wèn)，有四個(gè)SFR用于讀、寫(xiě)這些存儲(chǔ)器，這些寄存器是EECON1;EECON2;EEDATA;EEDAR。

　　其中EEDATA用來(lái)保持8位的讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)。EEADR用來(lái)保持正在訪問(wèn) 的EEPROM單元的地址。PIC16C84具有64個(gè)字節(jié)的EEPROM，其單元的地址范圍是00H-3FH。

　　EEPROM允許一次讀/寫(xiě)一個(gè)字節(jié)。一個(gè)字節(jié)的寫(xiě)入將自動(dòng)擦除該單元，寫(xiě)入新的內(nèi)容(在寫(xiě)入之前擦除)。EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是高速率的擦/寫(xiě)周期，寫(xiě)入時(shí)間正常為10ms，由芯片的計(jì)時(shí)器控制。實(shí) 際寫(xiě)入時(shí)間與所加電壓，溫度，芯片等有關(guān)。嚴(yán)格的時(shí)間請(qǐng)參看芯片的AC說(shuō)明。當(dāng)器件是在代碼保護(hù)時(shí)，只有CPU可以完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀 /寫(xiě)。即器件的編程器的不再訪問(wèn)存儲(chǔ)器(外部讀/寫(xiě)被關(guān)閉)。

　　6 連接的考慮

　　因?yàn)槟M輸入用了ESD保護(hù)，它們有反偏二極管連到VDD和VSS。這就要求模擬輸入電壓應(yīng)在VDD和VSS之間。

　　如果模擬輸入電壓超過(guò)了最大值的0.6V以上的范圍，二極管可能變?yōu)檎驅(qū)ǎ绻斎腚娏鞒^(guò)了說(shuō)明書(shū)上的規(guī)定，它可能破壞器件。有些時(shí)候把外部的RC濾波器加在輸入信號(hào)上。要求選用的電阻R要保證總的信號(hào)源電阻不超過(guò)10K，任何在模擬信號(hào)上的其它的附加元件均應(yīng)有非常小的漏電流。

　　7.變換功能

　　理論上A/D變換器的變換功能如下。

　　當(dāng)模擬輸入信號(hào)電壓是1位L sb的電壓時(shí)(或是VREF/256)第一次變換就發(fā)生。

　　8 A/D變換工作的流程圖

　　表2-4 PIC16C74/73的A/D變換所涉及的寄存器

　　地址名稱 bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit 2 bit1 bit0

　　0B/8B INTCON GIE PEIE

　　0C PIR1 ADIF

　　8C PIE1 ADIE