晶閘管整流橋的使用方法

　　(5)重復(fù)1～4，即可實現(xiàn)一個完整的控制過程。

　　3 注意事項

　　在圖2方案電路中，要關(guān)注：

　　(1)電阻功率問題：在圖2中，由上分析，可見電阻R5、R6在初次緩上電時瞬時流過的電流非常大，正常帶載工作過程，瞬時流過的電流也比較大，所以，在實際應(yīng)用時，必須注意選取電阻R5、R6的功率足夠大;同時，在可控硅開通瞬間，流過電阻R1、R2的瞬間電流也較大，如圖5所示，即為圖2功率回路帶電機(jī)負(fù)載(負(fù)載功率約為5kW)所測得的波形圖：

　　由圖可見，R6的電壓降達(dá)7V，在每個供電周期(=50Hz*6=300Hz)均流過電流。由于R2的電壓降被可控硅G、K極嵌位在2V以內(nèi)，則在電阻R1上的壓降：

　　≥7-2=5(V)

　　電阻R1上的瞬時功率：≥5*5/47≈0.53(W)

　　可見，電阻R1需承受的功率較大，所以也要注意選取電阻R1、R2的功率足夠大，以充分保障整個觸發(fā)控制電路的可靠性;

　　(2)時序問題：在上電時，如果在橋內(nèi)的可控硅未滿足導(dǎo)通條件，就允許功率回路帶上負(fù)載，則電阻R5、R6很容易就燒斷損壞，所以上電時，一定要保證在充分滿足橋內(nèi)的可控硅所需的開通條件后，再允許功率回路帶上負(fù)載工作;同樣，掉電時，也要充分保證在完全斷開負(fù)載后，再使可控硅關(guān)斷。否則，不但很容易會造成緩上電電阻R5、R6甚至R1、R2損壞，也使可控硅可能工作在大電流情況下關(guān)斷，極易產(chǎn)生很高的關(guān)斷過壓，進(jìn)而損橋內(nèi)的可控硅，更是對橋內(nèi)的可控硅的安全工作造成威脅;

　　(3)電流變化率問題：在任何情況下，必須保證可控硅導(dǎo)通期任何時候的電流變化率都不能超過其標(biāo)稱的重復(fù)值;

　　(4)通態(tài)平均電流額定值：在實際使用中，由于不能充分保證整流橋的散熱，則元件應(yīng)降額使用。具體降額多少，需根據(jù)實際使用狀況來決定。

　　(5)驅(qū)動光耦問題：由于涉及到強(qiáng)電、弱電隔離，可控硅導(dǎo)通時需要的推動功率較大，光耦付邊耐壓問題等，必須慎重的選擇內(nèi)置可控硅的推動光耦。