TNY256原理及性能分析

1 TNY256的性能特點

　　·內置自動重啟電路，不需外接元件，一旦發(fā)生輸出短路或控制環(huán)開路故障，可將占空比降低以保護芯片。

　　·在輸入直流高壓電路中，不需要使用瞬態(tài)電壓抑制器構成的鉗位保護電路，僅用簡單的RC吸收回路即可衰減視頻噪聲。

　　·輸入欠壓檢測電路僅需外接1只電阻，目的是在上電時將片內的功率MOSFET關斷，直到直流輸入電壓VI達到欠壓保護門限電壓(100V)為止;正常工作后若VI突然降低，對芯片也能起到保護作用。

　　·開關頻率抖動可降低電磁輻射。

　　·輸入電壓范圍寬(85～265VAC或120～375VDC)且交、直流兩用。效率高，265VAC輸入時的空載功耗低于100mW。

　　·控制方式簡單。采用開/關控制器來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的PWM脈寬調制器對輸出電壓進行調節(jié)，開關控制器可等效為脈沖頻率調制器(PFM)，其調節(jié)速度更快，對紋波的抑制能力也更強。

　　·外圍電路簡單，可選用低成本的外圍元件。無論在啟動時還是正常工作時，芯片所消耗的能量均由漏極電源提供，無需再加反饋繞組及相關電路，也不用回路補償。

　　·利用使能端可從部關斷功率MOSFET，采用跳過時鐘周期的方式來調節(jié)負載電壓，并且在快速上電時輸出電壓無過沖現象，掉電時，功率MOSFET也不會出現頻率倍增現象。

　　·高效、小功率輸出，適合構成0～16W的小功率、低成本開關電源。

　　2 TNY256的封裝及引腳功能

　　TNY256的三種封裝形式如圖1所示。該器件實際上只有4個有效引腳，D、S分別為功率MOSFET的漏極和源極;同時S也是控制電路的公共端。BP(BYPASS)為旁路端，該端與地(S極)間需接一只0.1μF的旁路電容器，通過漏極和內部電路產生5.8V的電源電壓給該芯片供電。EN/UV為使能/欠壓端，正常工作時由此端控制內部功率MOS管的通斷，當IEN≥50μA時，MOSFET關斷，該端還可用于輸入欠壓檢測，具體方法是將EN/UV端經一只2MΩ的電阻器接VI。

　　3 TNY256的工作原理

　　TNY256內含一個700V功率MOSFET開關管和一個電源控制器，與傳統(tǒng)的PWM脈寬調制控制方式不同，該器件采用簡單的開/關控制來調節(jié)輸出電壓使之穩(wěn)定。TNY256的內部結構如圖2所示，主要包括振蕩器、使能輸入、5.8V穩(wěn)壓器、BP腳欠壓保護電路、過熱保護電路、過流保護電路、自動重啟動計數器、輸入欠壓檢測電路、700V功率MOSFET。