半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

第9章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
9.1 概述

9.2 只讀存儲(chǔ)器
9.2.1固定ROM的結(jié)構(gòu)和工作原理
一、電路組成
二、讀數(shù)
9.2.2可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）
9.2.3可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EPROM）
9.2.4集成EPROM
（2716 EPROM）
9.2.5 EPROM的應(yīng)用
作業(yè)：P287 9.1 9.2

第9章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
9.1 概述
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器以其容量大、體積小、功耗低、存取速度快、使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于數(shù)字系統(tǒng)。
根據(jù)用途分為兩大類：
1、只讀存儲(chǔ)器 ROM。用于存放永久性的、不變的數(shù)據(jù)。
2、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM。用于存放一些臨時(shí)性的數(shù)據(jù)或中間結(jié)果，需要經(jīng)常改變存儲(chǔ)內(nèi)容。

9.2 只讀存儲(chǔ)器
9.2.1固定ROM的結(jié)構(gòu)和工作原理
一、電路組成

它由一個(gè)二線―四線地址譯碼器和一個(gè)4×4的二極管存儲(chǔ)矩陣組成。
存儲(chǔ)矩陣由二極管或門組成，其輸出為D0～D3 。
為輸入的地址碼，可產(chǎn)生W0～W3 4個(gè)不同的地址，
W0～W3稱為字線，用以選擇存儲(chǔ)的內(nèi)容，
D0～D3稱作位線。
在W0～W3中，任一輸出為高電平時(shí)，在D0～D3 4根線上輸出一組4位二進(jìn)制代碼，每組代碼稱作一個(gè)字。

二、讀數(shù)
舉例分析ROM的存儲(chǔ)原理。

9.2.2可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）
可編程只讀存儲(chǔ)器是一種用戶可直接向芯片寫入信息的存儲(chǔ)器，這樣的ROM稱為可編程ROM，簡(jiǎn)稱PROM。向芯片寫入信息的過程稱為對(duì)存儲(chǔ)器芯片編程。
熔絲 見P273 圖9.2.2
9.2.3可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EPROM）
它允許對(duì)芯片進(jìn)行反復(fù)改寫。
根據(jù)對(duì)芯片內(nèi)容擦除方式的不同，可分為：
一、EPROM，紫外線擦除方式，數(shù)據(jù)可保持10年左右。
二、EEPROM（也寫作 PROM），電擦除可編程方式，速度快，數(shù)據(jù)可保持10年以上時(shí)間。

9.2.4集成EPROM（2716 EPROM）
P275 圖9.2.4（b）畫出了2716的引腳圖，各引腳的功能如下：
A10～A0：地址碼輸入端。
D7～D0：8位數(shù)據(jù)線。正常工作時(shí)為數(shù)據(jù)輸出端，編程時(shí)為寫入數(shù)據(jù)輸入端。
VCC和GND：＋5V工作電源和地。

9.2.5 EPROM的應(yīng)用
實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)的步驟：
（1）將函數(shù)化為標(biāo)準(zhǔn)與一或式
（2）確定存儲(chǔ)單元內(nèi)容
（3）畫出用PROM實(shí)現(xiàn)的邏輯圖。